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在瞬態(tài)事件發(fā)生前，C1 和 C2 上的直流電壓電平直接影響瞬態(tài)電流路徑。在 ESD 或 EFT 模擬中，BS 終端與鐵氧體磁珠一起在 ESD/EFT 抑制中發(fā)揮作用。此外，BS 終端還可用于 EMC 目的。這些電容器清楚地定義了 ESD 或 EFT 沖擊時(shí)的最初路徑。
圖 5、本圖闡明了鐵氧體磁珠和鉗位二極管將正極ESD/EFT事件從 TPS2384 芯片的 N 終端轉(zhuǎn)移到底座接地的電流路徑。
模擬可以提供在不同瞬態(tài)事件中可能的電壓大小的指示功能。線路對(duì)大地接地電容器上的最大可能電壓是 1kV，這表明選擇額定值為 2kV 的電容器是安全的。模擬還表明，應(yīng)用 8-kV ESD 時(shí)，若同時(shí)存在 150-pF/330-HHM，則 BS 終端上 1-nF 電容器的電壓將小于 100V。對(duì)于Class 2 事件來說，在浪涌測(cè)試中，施加到該電容器的最高電壓是 1kV。同理，對(duì)于 10-nF 的電容器來說，200-V 的額定值也是安全的。不過，因?yàn)闆]有定義一個(gè) ESD 線纜放電模型，因此還沒有進(jìn)行過此類模擬。對(duì)于四端口的 PSE 來說，圖 6 顯示了一款推薦使用的電路板布局，其符合先前所述的所有設(shè)計(jì)指南。
圖 6、PSE PCB 板的設(shè)計(jì)遵循了提高電子系統(tǒng)穩(wěn)健性的布局指南，以提高 ESD/EFT 事件保護(hù)能力。
很明顯，D2、D4、D3、D1、C1、C2以及電源輸入和 RJ-45 連接器必須靠得非常近，以使瞬態(tài)電流回路所占空間以及其生成的阻抗盡可能的小。在多端口應(yīng)用中，推薦對(duì)每一組的兩個(gè)或四個(gè)端口使用與 C1 一樣的去耦電容器，并使每個(gè)電容的放置都靠近其相關(guān)組。為抑制器器件提供足夠的銅箔面積以促進(jìn)散熱也是非常重要的。另外一個(gè)注意事項(xiàng)是以太網(wǎng)接口電路通常要求數(shù)據(jù)線路驅(qū)動(dòng)電路要有數(shù)據(jù)線路保護(hù)器。不過，本文的重點(diǎn)是闡述用于 PoE 電路的保護(hù)技術(shù)。
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