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圖所示的電流檢測電路是所謂的欠飽和檢測電路。它起初用于IGBT，用來檢測由于過流而過飽和的 IGBT 的電壓。這就是說，它也可以用于MOSFET。對于 MOSFET，原理相似，因?yàn)檫^載時(shí) FET 上的電壓將會(huì)顯著增加。
圖欠飽和檢測電路圖?
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??????? 計(jì)算電阻值用下面的方法。
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??????? Rg 是門極電阻，選擇適當(dāng)阻值以優(yōu)化開關(guān)速度和開關(guān)損耗。
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??????? R1 典型值為 20k；高的阻值有助于最大限度地減小由于二極管 D1 而增加的彌勒電容，確保沒有顯著電流從 HO 流出。注意二極管 D1 應(yīng)具有和自舉二極管一樣的特性。
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??????? 當(dāng) HO 輸出為高時(shí)，MOSFET（也可以是 IGBT）Q1 開通。則圖 6 中的 X點(diǎn)被拉低至一個(gè)電壓，此電壓等于 FET 上的壓降 Vds 加上二極管 D1 壓降。所以，當(dāng) FET Q1 上的壓降達(dá)到你所設(shè)定的指示過載故障的限值時(shí)，我們將關(guān)掉驅(qū)動(dòng)器輸出。
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??????? 所以 Q1 上 Vds 電壓為 10V。一個(gè)的超快恢復(fù)二極管的典型電壓值為1.2V。
Vx=VD1+VDS
Vx=1.2+10
Vx=11.2V
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??????? 計(jì)算電阻值用下面的方法。
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??????? Rg 是門極電阻，選擇適當(dāng)阻值以優(yōu)化開關(guān)速度和開關(guān)損耗。
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??????? R1 典型值為 20k；高的阻值有助于最大限度地減小由于二極管 D1 而增加的彌勒電容，確保沒有顯著電流從 HO 流出。注意二極管 D1 應(yīng)具有和自舉二極管一樣的特性。
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??????? 當(dāng) HO 輸出為高時(shí)，MOSFET（也可以是 IGBT）Q1 開通。則圖 6 中的 X點(diǎn)被拉低至一個(gè)電壓，此電壓等于 FET 上的壓降 Vds 加上二極管 D1 壓降。所以，當(dāng) FET Q1 上的壓降達(dá)到你所設(shè)定的指示過載故障的限值時(shí)，我們將關(guān)掉驅(qū)動(dòng)器輸出。
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??????? 所以 Q1 上 Vds 電壓為 10V。一個(gè)的超快恢復(fù)二極管的典型電壓值為1.2V。
Vx=VD1+VDS
Vx=1.2+10
Vx=11.2V
IR2127 CS 端開啟電壓為 250mV，所以我們需要對 Vx 分壓，使 Vx=11.2V 時(shí)，Vy=250mV。
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VY=Vx * R3/(R2+R3)????????? 設(shè) R2=20k???? R3=457
PCB布板注意事項(xiàng)
以下是在應(yīng)用電流傳感驅(qū)動(dòng)器時(shí)布板需要注意的幾點(diǎn)。
1）盡可能縮短輸出到門極的連線（小于 1 inch 比較合適）。
2）使電流檢測電路盡可能靠近 IC 以使由電路耦合噪聲引起誤觸發(fā)的可能性降到最低。
3）所有大電流連線盡可能加寬以減小電感。
4）更進(jìn)一步的布線提示可以參考設(shè)計(jì)提示 97-3“由控制 IC 驅(qū)動(dòng)的功率電路中的瞬態(tài)問題的處理”
工商網(wǎng)監(jiān)
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