，因此需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和檢測(cè)，以確保其可靠性和穩(wěn)定性。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的類型 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（N-channel FET）和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（P-channel FET）。這兩種類型的場(chǎng)效應(yīng)管具有相似的結(jié)構(gòu)和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:24
1117 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:25540 的區(qū)別在于其中的導(dǎo)電材料不同。本文將詳細(xì)討論如何區(qū)分n溝道型和p溝道型場(chǎng)效應(yīng)管。 1. 器件外觀區(qū)分 對(duì)于常見的場(chǎng)效應(yīng)管，n溝道型和p溝道型的器件外觀有一些區(qū)別。在塑料殼體封裝的場(chǎng)效應(yīng)管上，通常會(huì)在表面上標(biāo)注“N”或“P”，或者采用不同的顏色區(qū)分（如黑色
2023-09-02 10:05:172277 下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2023-08-14 17:02:13732 
NDS9410A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50:14
根據(jù)提問者的意思，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 09:06:061529 
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的H 橋電路，它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS
2023-03-17 15:26:05
1 場(chǎng)效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場(chǎng)效應(yīng)管的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-02-27 17:49:441483 
下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路。
2023-02-15 11:06:401386 
用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來劃分，它有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管之分。
2022-09-20 10:52:132345 QH02N20E200V2AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:44:250 QH10N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:19:020 QH9N20K200V9AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:16:070 QH5N20K200V5AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:12:170 MFB5N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:09:560 SVF4N65FTO-220FN溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2021-11-16 15:11:270 全部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的推挽功效說明。
2021-04-10 09:52:3212 場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動(dòng)電路是有本質(zhì)上的差異，首要場(chǎng)效應(yīng)管通常分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其間絕緣柵型
2020-09-26 10:55:3915243 
KW25N120E是電磁爐里較常用的一款大功率IGBT管，該管內(nèi)部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管作為輸入級(jí)，具有很高的輸入電阻。
2020-03-14 11:00:2012060 本文首先介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的四個(gè)區(qū)域，其次介紹了mos場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)和工作原理，最后介紹了它的作用。
2018-08-24 14:38:3054033 本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的作用，最后介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法。
2018-08-08 15:23:2737249 本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因以及場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。由于電路設(shè)計(jì)、頻率太高、沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)以及MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，都有可能造成場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重。
2018-01-30 15:13:2031789 
所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的H 橋電路，它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS 管H 橋。 橋臂上的4 個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管
2017-10-20 10:25:4059 驅(qū)動(dòng)電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對(duì)小功率場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管Q1 、Q2 組成。當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí),同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管Q2 導(dǎo)通,與地相聯(lián)的N 溝道場(chǎng)效應(yīng)
2012-04-17 15:43:0419066 
采用兩只N溝道和兩只P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的全橋驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在驅(qū)動(dòng)控制IC的控制下，使V4、V1同時(shí)導(dǎo)通，V2、V3同時(shí)導(dǎo)通，且V4、V1導(dǎo)通時(shí)，V2、V3截止，也就是說，V4、V1與V2、V3是交替導(dǎo)通
2012-04-05 11:34:2512027 
以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管為核心，基于H橋PWM控制原理，設(shè)計(jì)了一種直流電機(jī)正反轉(zhuǎn)調(diào)速驅(qū)動(dòng)控制電路，滿足大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。實(shí)驗(yàn)表明該驅(qū)動(dòng)控制電路具有結(jié)構(gòu)簡單、驅(qū)動(dòng)能
2010-12-13 17:37:18160 自偏壓電路 自偏壓用于結(jié)型和耗盡型MOS管放大電路，圖5.2-6示出N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自偏電路。
2010-04-16 10:24:113712 
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533152 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031268 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
1.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型
已知場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式：
2009-11-09 15:59:192276 場(chǎng)效應(yīng)管的分類: 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類 按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型
2009-11-09 14:27:451300 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
(1)Ugs對(duì)導(dǎo)電溝道和D i 的控制作用當(dāng)Ugs= 0時(shí)，導(dǎo)電溝道未受任何電場(chǎng)的作用，導(dǎo)電溝道最寬，當(dāng)外加U
2009-09-16 09:33:4812377 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其符號(hào)如圖4-1所示。其中圖4-1a為N溝道JFET的結(jié)構(gòu)示意圖。
2009-09-16 09:31:249452 N 溝道結(jié)型開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 16:04:392153 CS系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
CS系列結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見表16-2 。
2009-08-22 16:01:14970 3DJ系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
3DJ 系列場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見表16-1 。
2009-08-22 16:00:484329
采用橋式中和的MOS場(chǎng)效應(yīng)管高頻放大器
2008-12-15 15:08:30488 
雙通道場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路 (Dual MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:37:05968 1.4.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管1.4.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)
2008-07-16 12:52:16177
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