目前市場(chǎng)上低功耗的應(yīng)用非常多,實(shí)現(xiàn)低功耗其中一個(gè)途徑就是關(guān)閉當(dāng)前非工作狀態(tài)的模塊或者電路。要實(shí)現(xiàn)這種管理,就需要一種智能的控制中心,目前普遍采用的是具有低功耗定時(shí)器的MCU,讓MCU工作在深度睡眠模式,使用一個(gè)簡(jiǎn)單的,超低功耗時(shí)鐘喚醒電路,利用中斷機(jī)制進(jìn)行定時(shí)喚醒。其實(shí),如果我們只是需要一個(gè)非常低功耗的喚醒,完全可以用一個(gè)低功耗的比較器配置出的一個(gè)簡(jiǎn)單的模擬時(shí)鐘電路來(lái)實(shí)現(xiàn),省去MCU。另外,這種模擬時(shí)鐘還可以工作在非常低的電壓下(使用紐扣電池電壓低至1V),即使不用單獨(dú)的調(diào)整器也可以提供周期性的升壓信號(hào)。
圖1 所示電路就是用一個(gè)非常低的功耗的比較器Silicon Labs TSM9119來(lái)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的振蕩電路。整個(gè)電路功耗約500nA。振蕩器配置成一個(gè)非常低的占空比。一般情況下,高電平電路使能,可以提供電源。大部分的時(shí)間處于低電平狀態(tài),是不對(duì)外供電的。圖1中使用的低功耗模擬比較器TSM9119,可以提供非常低的功耗的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)占空比控制。
圖1 基本振蕩電路
電路的定時(shí)設(shè)計(jì)如下:首先,高位遲滯閥值(VUPTHR)和地位遲滯閥值(VLWTHR)由R1,R2,R3 決定:
然后,R4 用來(lái)選擇需要的關(guān)閉時(shí)間:
R5 用來(lái)選擇需要的開啟時(shí)間:
因?yàn)閂UPTHR 和 VLWTHR 由Vbatt 來(lái)分壓出來(lái),因此TON 或者TOFF 都是由Vbatt 決定。TSM9119的輸入偏移電流小于2nA。很多晶體管可以選做Q1,Q2,但是摻金分立的晶體管不能選用,因?yàn)閾浇鹁w管會(huì)增加漏電流。市面上很多2N3904,2N3906都是不摻金的。所有電容選用低漏電流的陶瓷電容。一般情況下,此種電路在高溫下可以表現(xiàn)出很好的特性,但是漏電流會(huì)增大。使用NPO或者COG電容可以提高輸出時(shí)鐘的穩(wěn)定性和減小信號(hào)失真。表1 列出了工作電壓和電流在相同占空比下的關(guān)系。
表1 工作電壓和電流在相同占空比下的關(guān)系
TSM9119的特性:
本文介紹的電路可以用做周期性的時(shí)鐘來(lái)喚醒微控制器。盡管大多數(shù)微控制器都有內(nèi)置的中斷定時(shí)器,但是功耗往往較高。因此,通過(guò)模擬時(shí)鐘電路喚醒深度睡眠模式中的微控制器去執(zhí)行任務(wù),能通過(guò)非常低的占空比使能供電去執(zhí)行一個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)量,使能微控制器去執(zhí)行任務(wù),不用一直處在計(jì)時(shí)等待中斷中,從而達(dá)到減少能耗的目的。
評(píng)論
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