1、通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)放反接保護(hù)。如下圖所示:
這種解法簡(jiǎn)單可靠適合小電流電路。當(dāng)輸入電流比較大的時(shí)候,此電路消耗功耗嚴(yán)重,例如:輸入2A的電流,二極管的壓降為0.7V,則消耗的功率為Pd=2A * 0.7V=1.4W,這樣效率低,發(fā)熱量大,需要加散熱器。
2、用二極管整流橋對(duì)輸入做整流:那樣雖然輸入部分正負(fù),但是大電流時(shí),消耗的功耗是上圖的2倍,2.8W。下圖所示:
3、MOS管型防反接保護(hù)電路
利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在MOSFET Rds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級(jí),解決了現(xiàn)有采用二極管防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
極性反接保護(hù)將保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管與PMOS場(chǎng)效應(yīng)管或NMOS場(chǎng)效應(yīng)管。一旦被保護(hù)電路的電源極性反接,保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)形成斷路,防止電流燒毀電路中的場(chǎng)效應(yīng)管元件,保護(hù)整體電路。
N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接與電源和負(fù)載之間,R1為MOS管提供偏置電壓,利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開,從而防止電源反接給負(fù)載帶來損壞。正接時(shí)候,R1挺高VGS電壓,MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候,MOS不能導(dǎo)通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20毫歐實(shí)際損耗很小,2A的電流,功耗為0.08W根本不用外加散熱片。解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
VZ1為穩(wěn)壓管防止柵極電壓過高擊穿MOS管。NMOS的導(dǎo)通電阻比PMOS的小,最好選擇NMOS。?
審核編輯:湯梓紅
評(píng)論
查看更多