CMOS反相器由一個P溝道增強型MOS管和一個N溝道增強型MOS管串聯(lián)組成。通常P溝道管作為負載管,N溝道管作為輸入管。這種配置可以大幅降低功耗,因為在兩種邏輯狀態(tài)中,兩個晶體管中的一個總是截止的。處理速率也能得到很好的提高,因為與NMOS型和PMOS型反相器相比,CMOS反相器的電阻相對較低。
特點
(1)靜態(tài)功耗極低。在穩(wěn)定時,CMOS反相器工作在工作區(qū)Ⅰ和工作區(qū)Ⅴ,總有一個MOS管處于截止狀態(tài),流過的電流為極小的漏電流。
(2)抗干擾能力較強。由于其閾值電平近似為0.5VDD,輸入信號變化時,過渡變化陡峭,所以低電平噪聲容限和高電平噪聲容限近似相等,且隨電源電壓升高,抗干擾能力增強。
(3)電源利用率高。VOH=VDD,同時由于閾值電壓隨VDD變化而變化,所以允許VDD有較寬的變化范圍,一般為+3~+18V。
(4)輸入阻抗高,帶負載能力強。
cmos反相器電路圖(一)
圖1 CMOS反相器電路
(1)工作原理
①輸入低電平 Ui=0時,VN截止,VP導通 Uo≈VDD
②輸入高電平,UI=+UDD,VN導通,Vp截止 Uo≈0v
(2)電壓傳輸特性
(截止區(qū))AB:UI《VTN VN截止、VP導通。
(導通區(qū))CD:UI》VDD-VTP VN 導通、VP截止。
(轉(zhuǎn)折區(qū))BC:閾植電壓:UTH=1/2UDD 若VI=UTH=1/2UDD 則ID達最大。
(3)輸入保護電路
圖2 輸入保護電路
(4)功耗
①靜態(tài):總是一管導通一管止,漏電流很小,功耗小,只有幾微瓦(TTL靜態(tài)功耗單位mw)。
②動態(tài):轉(zhuǎn)換是電流大,(若工作頻率高,功耗mw左右)。
(5)CMOS的特點
①微功耗??;②對電源電壓適應(yīng)性強(3---18V);③抗干擾能力強;?、軒ж撦d能力強(扇出系數(shù)大于100以上)。
CMOS門電路非門 驅(qū)動管并聯(lián);負載管并聯(lián);有1出0,全1出1。
圖3CMOS或非門
cmos反相器電路圖(二)
本文介紹的是用CMOS門電路產(chǎn)生-5V電源的實際電路,這里使用一片CMOS六反相器CD4069,反相器F1和F2用以構(gòu)成兩級反相式阻容振蕩器。R1、C1分別為振蕩電阻與振蕩電容。R2是偏置電阻,用于穩(wěn)定F1的工作點,該振蕩器輸出為方波電壓,取R1=52kΩ、C2=0.022μF時,振蕩頻率約為400Hz。F1~F4是緩沖器,現(xiàn)將4個反相器作并聯(lián)使用,一方面將振蕩器與負載隔離,另一方面能提高方波信號的輸出能力。
由C1、VD1、VD2組成半波倍壓整流電路。在振蕩信號的正半周,VD1導通,VD2截止,若忽略VD1的正向?qū)▔航?,則信號電壓全部降落在C2上,在信號的負半周,VD1截止,VD2導通,信號電壓就與C2上的電壓疊加,經(jīng)VD2整流后變成負極性的脈動直流電壓,再經(jīng)過C2濾波,獲得-5V電壓。
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