硬件工程師煉成之路

在工作中，硬件工程師設(shè)計(jì)得最多的應(yīng)該是2層板和4層板，提到多層板，兄弟們想必腦子里面想到的是這幾個(gè)詞....

之前的文章“如何理解虛無(wú)縹緲的ESD”，里面有用到仿真電路，有個(gè)兄弟提了個(gè)好問(wèn)題：靜電槍的地和產(chǎn)品的....

測(cè)量MOS管的電壓和電流波形，判斷電壓和電流是否超標(biāo)

SOA區(qū)指的是MOSFET的安全工作區(qū)，其英文單詞是Safe Operating Area。也有一些....

當(dāng)控制信號(hào)PWR_EN為高時(shí)，三極管Q1導(dǎo)通，R2下端等于接GND。由于R1和R2的分壓作用，MOS....

ROM：Read-Only Memory，只讀存儲(chǔ)器。

??這是今天剛剛到貨的防靜電桌墊。既然它能夠防靜電，也就是說(shuō)它不是一個(gè)嚴(yán)格的絕緣體。那么它的電阻究竟....

CMRR(Common Mode Rejection Ratio)的絕對(duì)值越大對(duì)共模電壓的抑制能力越....

求解環(huán)路增益：將負(fù)相端剪開(kāi)，假定負(fù)相端輸入一個(gè)信號(hào)vi，信號(hào)沿環(huán)路跑一圈回到剪開(kāi)的地方時(shí)信號(hào)變?yōu)関o....

在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題，本文旨在分....

集成芯片的數(shù)字輸出引腳分為開(kāi)漏（OD, Open Drain）和推挽（Push-Pull）結(jié)構(gòu)。開(kāi)漏....

? ? ? ?比較器是被設(shè)計(jì)用在開(kāi)環(huán)系統(tǒng)，運(yùn)算放大器是被設(shè)計(jì)用于閉環(huán)系統(tǒng)，所以從系統(tǒng)設(shè)計(jì)的魯棒性上來(lái)....

隨著技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)電子設(shè)備已成為我們生活和文化的重要組成部分。平板電腦和智能手機(jī)觸摸技術(shù)的應(yīng)用，讓....

D類(lèi)功率放大器以高輸出功率，高效率，小體積等優(yōu)點(diǎn)，在車(chē)載音響領(lǐng)域異軍突起。

調(diào)頻FM 收音機(jī)進(jìn)一步改善了我們交流的方式。? 根據(jù)霍華德·阿姆斯特朗的對(duì)手戴維·薩爾諾夫的說(shuō)法，調(diào)....

分享一個(gè)EMI整改文檔，對(duì)于EMC來(lái)說(shuō)，接觸的案例越多，整改的成功率就越高，整改的方法也越多，從案例....

最近一兄弟分享了他寫(xiě)的RTC筆記，我覺(jué)得還是挺不錯(cuò)的，征求其意見(jiàn)后發(fā)出來(lái)給兄弟們看看。

做硬件我們經(jīng)常會(huì)遇到各種各樣的問(wèn)題，一些通信接口也會(huì)出現(xiàn)，I2C自然也不例外。假如遇到I2C沒(méi)反應(yīng)，....

最近嘉立創(chuàng)新推出了FPC軟板工藝，大家平時(shí)工作學(xué)習(xí)過(guò)程中肯定經(jīng)常有用到過(guò)FPC軟板或者杜邦線進(jìn)行板與....

多層陶瓷電容器是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯....

一般說(shuō)到運(yùn)放的增益，可能有兩個(gè)，一個(gè)叫開(kāi)環(huán)增益，另一個(gè)叫閉環(huán)增益。

如下圖：如果我們把運(yùn)放當(dāng)作理想的，那么放大電路的增益就是兩個(gè)電阻的比值，如果要讓增益等于2，那么R1....

因?yàn)闆Q定穩(wěn)定性的只是環(huán)路增益AOL*β。同相反相放大，它的β都是一樣的，即Rg/（Rg+Rf）。對(duì)數(shù)....

現(xiàn)如今歐姆定律是任何電類(lèi)學(xué)科同學(xué)再熟悉不過(guò)的理論了，?但它的誕生以及被科學(xué)界所接納的背后曲折故事，被....

BOM分析可以完成如位號(hào)重復(fù)、規(guī)格值信息不全、封裝跟位號(hào)不匹配、某器件在BOM文件有位號(hào)，在坐標(biāo)文件....

這就是信號(hào)通過(guò)AC耦合電容后，隔去直流成分，以及達(dá)到收發(fā)芯片使用不同電平的效果；

我們經(jīng)常見(jiàn)到信號(hào)中串有耦合電容，如下結(jié)構(gòu)。

如何求出從TL431到光耦的傳遞函數(shù)？下圖是反激的TL431的典型電路，我們的目標(biāo)就是求出傳遞函數(shù)V....

簡(jiǎn) 介： 本文對(duì)于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)....

fs和fa之間的區(qū)域（圖2中的陰影區(qū)域）是并聯(lián)諧振的區(qū)域。在這一區(qū)域晶振工作在并聯(lián)諧振狀態(tài)，并且在此....