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模擬技術(shù)

探討電壓基準噪聲對模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的有效位數(shù)(ENOB)和無噪聲分辨率的影響
在眾多使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的系統(tǒng)中,從溫控器到飛行控制等,ADC 將現(xiàn)實世界的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號進行處理。由于信號鏈存在各種誤差,需考慮有效位數(shù)(ENOB)和無噪聲分辨率來更好地比較和提取信息,而電壓基準作為信號鏈關(guān)鍵元件,其噪聲對 ADC 精度和準確度有重要影響。 *附件:探討電壓基準噪聲對模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的有效位數(shù)(ENOB)和無噪聲分辨率的影響.pdf 電壓基準對 ADC 噪聲的影響 低頻噪聲尤其是閃爍噪聲(0.1Hz - 10Hz)難以濾除,
簡易講解運放電路
雖然本博客主要是講解單片機的不過對于初學電子的人員而言。一定的硬件知識是必須的。而且書本上的教學方式太正確,太具體一本厚厚的模擬電路。嚇都嚇死人了。讓人摸不到重點。太具體 讓我們不知道到底在講什么。現(xiàn)在我以應(yīng)用的角度去分析,讓大家拿到一個運放電路就知道他是做什么的。 旁敲側(cè)擊: 首先我們不看運放先看看別的電路 下面是一個典型的電阻分壓電路 如果VCC是5V那么A點的電壓是怎么確定的。 先算出電流 I= Vcc/R1+R2 ??然后算出
安森美如何引領(lǐng)電源技術(shù)的綠色變革
在全球氣候變化日益嚴峻的背景下,節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策,推動能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟發(fā)展,旨在實現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定的溫升控制目標。在此趨勢下,高效、環(huán)保的電源技術(shù)成為了行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵方向。
基本半導體正激DCDC開關(guān)電源芯片BTP1521x簡介
基本半導體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關(guān)電源芯片,集成上電軟啟動功能及過溫保護功能,輸出功率可達6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設(shè)定,最高工作頻率可達1.3MHz,適用于給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝、DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。
安森美高效電機架構(gòu)與解決方案
電機的應(yīng)用相當廣泛,可用于各種小型家用電器、工業(yè)制造和重型應(yīng)用等,電機的多功能性使它們幾乎可以用于各種用途。不過,由于電機所消耗的電力約占全球電力消耗的一半,且仍在呈不斷上升的趨勢。如今隨著減少碳排放的要求力度不斷加大,因此,通過實施新穎的控制算法、利用新型的、更高效的電機架構(gòu),以及結(jié)合現(xiàn)代半導體技術(shù)來提高效率變得越來越重要。本文將為您介紹電機的應(yīng)用與市場,以及由安森美(onsemi)推出的相關(guān)解決方案。
安世半導體助力構(gòu)成光儲充一體化系統(tǒng)解決方案
在中國,新能源電動汽車市場已經(jīng)進入了高速發(fā)展期。根據(jù)公安部數(shù)據(jù)顯示,截至2024年6月底,我國新能源汽車保有量已達2472萬輛[1]。然而與電動汽車的需求增速相比形成巨大反差的是,作為電動汽車推廣“最后一公里”的充電設(shè)施,其配套程度卻尚未達到理想水平,充電站和充電樁設(shè)施的能源效率也有進一步的提升空間。
圣邦微電子硅TVS二極管的特性和優(yōu)勢
靜電放電(ESD)是造成電子產(chǎn)品和集成電路系統(tǒng)損壞的主要元兇之一,每年給電子行業(yè)帶來的損失高達數(shù)千億人民幣。ESD 對電子產(chǎn)品造成的損傷中有 90% 都是潛在性損傷,這類損傷在出廠質(zhì)量檢測中難被檢測到,但會在產(chǎn)品使用過程中逐漸顯現(xiàn)出質(zhì)量問題。因此,ESD 被視為是電子產(chǎn)品質(zhì)量最大的潛在威脅,而靜電防護也成為電子產(chǎn)品質(zhì)量控制中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
MOS管及本征增益簡介
MOS,是金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管英文名稱的縮寫,是一種獨特的半導體器件,它通過電場效應(yīng)來控制輸出回路的電流,這一特性使其得名。
遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案
遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的極化超級結(jié)(PSJ: Polarization Super Junction)技術(shù),并對工藝進行進一步優(yōu)化,使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升(1700V/30A)。
使用環(huán)旭電子FEDS平臺解決電源完整性模擬難題
在現(xiàn)代高速電子系統(tǒng)中,電源完整性是指確保電子系統(tǒng)中所有元件都能穩(wěn)定、準確地獲得電源電壓和電流,以確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行,避免受到雜訊或波動的影響。電源完整性已成為系統(tǒng)性能和可靠性的關(guān)鍵因素,要達成這目標,需在設(shè)計初期利用模擬軟體進行系統(tǒng)阻抗特性模擬,以確保電源品質(zhì)。但是,往往專案開發(fā)時程有限,如何在時間有限的情況下,完成大量電源設(shè)計的模擬需求,成為了優(yōu)化開發(fā)流程的關(guān)鍵課題。
使用LTspice仿真功能檢查SW節(jié)點波形和輸出瞬態(tài)響應(yīng)
在上篇《活學活用 LTspice 進行電路設(shè)計 — 電源啟動時的評估要素》中,我們以一般降壓電源為例,介紹了檢查輸出電壓過沖和浪涌電流的方法。
飛虹半導體MOS管FHP230N06V在電機驅(qū)動控制器中的應(yīng)用
在24-36V的BLDC電機驅(qū)動控制器中,MOS管作為核心功率開關(guān)元件,負責高效能量轉(zhuǎn)換、精準電流控制和系統(tǒng)保護。因此在電路設(shè)計中選擇一款好的MOS管是能真正提升整個BLDC驅(qū)動系統(tǒng)的性能和壽命。
飛虹半導體MOS管FHP230N06V在戶外儲能電源中的應(yīng)用
MOS管在戶外儲能電源里通常扮演功率開關(guān)的作用,它是確保整個產(chǎn)品系統(tǒng)高效運行和長久穩(wěn)定的重要一環(huán)。尤其是在逆變模塊中的DC-DC推挽拓撲升壓電路上使用,它充當高頻開關(guān)操作,實現(xiàn)直流電與交流電之間的轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)效率。
RIGOL插入變頻器對SNR和誤碼率惡化的量化測量
變頻器可以將輸入頻率轉(zhuǎn)換到更高或者更低的頻段,一般稱為上變頻或者下變頻;混頻器則可以將輸入信號與本振信號混頻,得到兩者的和或差,有時候也會有多個信號混合。這種功能讓變頻器和混頻器在射頻電路中不可或缺,它在通信系統(tǒng)、射頻電路設(shè)計和信號處理等領(lǐng)域中扮演著重要的角色。
極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹
雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲能、便攜式儲能和電動汽車等應(yīng)用,在能源使用效率備受關(guān)注的今天,雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標準,高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)字電源市場競爭的關(guān)鍵,這不僅順應(yīng)全球節(jié)能減排的趨勢,也對促進電子設(shè)備小型化、集成化起到關(guān)鍵作用。
DC/DC轉(zhuǎn)換器電路中MOSFET的選擇指南(上)
本系列文章以轉(zhuǎn)換器 IC 評估板的參考電路為主題,說明選擇各種分立元件時的重要特性。在講解過程中,通過使用 LTspice 改變元器件或元器件本身的常數(shù),并使用仿真波形和計算值檢查電路的變化,解釋特性與電路之間的關(guān)系。
采用MPS 可變關(guān)斷時間控制器HFC0300實現(xiàn)反激變換器的設(shè)計指南
本應(yīng)用說明介紹了采用MPS 可變關(guān)斷時間控制器HFC0300實現(xiàn)反激變換器的設(shè)計指南,如圖 1 所示。遵循本文的步驟,即可輕松設(shè)計具有可變關(guān)斷時間(或準固定導通時間)控制的反激變換器。此外,文章最后一部分還展示了基于設(shè)計實例得出的實驗結(jié)果。 *附件:采用MPS 可變關(guān)斷時間控制器HFC0300實現(xiàn)反激變換器的設(shè)計指南.pdf 圖1: 采用可變關(guān)斷時間控制器HFC0300實現(xiàn)的反激變換器 HFC0300簡介 HFC0300是一款集成了高壓電流源的可變關(guān)斷時間控制器。它采用固定峰
柵極驅(qū)動DCDC電源模塊在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電機驅(qū)動系統(tǒng)中,高效能與高安全性是設(shè)計的核心目標。而功率半導體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
三菱電機超小型全SiC DIPIPM解析
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
既然增益帶寬積中的增益是開環(huán)增益及其帶寬,那如何用增益帶寬積計算電路閉環(huán)帶寬呢?
Part 01 前言 之前的文章中(硬件工程師面試??嫉囊坏李},講講運算放大器的增益帶寬積),我們講解了增益帶寬積中的增益表示的是運放的開環(huán)增益,并且增益帶寬積只有在一定的頻率范圍內(nèi)才成立,低頻時和接近單位增益帶寬對應(yīng)的頻率點時增益和頻率的乘積不是定值,此時增益帶寬積不成立。目的是讓大家先理解增益帶寬積是什么以及什么條件下才會成立。 我們實際用的運放電路一般都是閉環(huán)控制的,比如同相放大電路,反相放大電路等負反饋電
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