動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-05-06 17:24
從型號(hào)看實(shí)力！仁懋GaN器件命名規(guī)則全解析
型號(hào)背后的技術(shù)密碼仁懋氮化鎵（GaN）器件型號(hào)采用"三段式編碼規(guī)則"，通過(guò)字母與數(shù)字組合精準(zhǔn)傳遞技術(shù)參數(shù)。示例型號(hào)：MOTGE65R190Q1.前綴定位技術(shù)路線-GE：增強(qiáng)型（E-mode）氮化鎵-GD：耗盡型（D-mode）氮化鎵技術(shù)差異：E-mode器件無(wú)需負(fù)壓關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)電路更簡(jiǎn)化；D-mode需搭配驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn)常閉特性。2.耐壓等級(jí)標(biāo)識(shí)-65：650V -
發(fā)布了文章 2025-04-25 10:32
靜音省電新標(biāo)桿！仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?
在智能家居普及的今天，消費(fèi)者對(duì)家用風(fēng)扇的要求早已超越基礎(chǔ)送風(fēng)功能，面臨的問(wèn)題如下能效焦慮：傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通損耗高，三級(jí)能效產(chǎn)品年耗電超50度，電費(fèi)成本激增；噪音困擾：開關(guān)損耗導(dǎo)致的PWM嘯叫，夜間運(yùn)行噪音＞35dB；體積桎梏：笨重的電源模塊侵占設(shè)計(jì)空間，阻礙超薄化、藝術(shù)化造型；可靠性危機(jī)：電壓波動(dòng)引發(fā)MOS雪崩失效，返修率高達(dá)12%。仁懋電子專為智能風(fēng)扇打造的 -
發(fā)布了文章 2025-04-17 14:17
告別燒MOS！仁懋大功率水泵電機(jī)控制選型指南
在極端天氣頻發(fā)的當(dāng)下，灌溉水泵已成為農(nóng)田保收的生命線。然而，行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)顯示：27%的灌溉系統(tǒng)故障源于MOS管過(guò)熱燒毀或浪涌擊穿，傳統(tǒng)器件在惡劣情況下暴露三大短板：高溫降容：環(huán)境溫度＞45℃時(shí)，MOS電流承載能力驟降40%；水汽腐蝕：濕度＞80%環(huán)境下，鍵合線銹蝕導(dǎo)致導(dǎo)通電阻（RDS(on)）年漂移超15%；外部影響：外部環(huán)境復(fù)雜，對(duì)器件抗震動(dòng)要求高，容易引242瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-10 09:45
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發(fā)布了文章 2025-04-02 14:22
仁懋MOS產(chǎn)品在電動(dòng)叉車上的應(yīng)用
隨著電動(dòng)叉車向高效化、輕量化、長(zhǎng)續(xù)航方向發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件的選擇對(duì)系統(tǒng)性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、高功率密度、優(yōu)異的熱性能以及緊湊的封裝尺寸，成為電動(dòng)叉車電力電子系統(tǒng)的理想選擇。仁懋電子深耕動(dòng)力器件領(lǐng)域，推出MOT7130T4、MOT1113T4、MOT7136T等專用MOS產(chǎn)品，以“超低損耗、極致可靠”172瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-21 17:35
算力革命背后的隱形力量：仁懋MOSFET如何讓服務(wù)器電源效率狂飆？
算力時(shí)代的高壓挑戰(zhàn)隨著AI大模型訓(xùn)練集群規(guī)模突破10萬(wàn)卡，單機(jī)柜功率密度已飆升至30kW，傳統(tǒng)服務(wù)器電源的MOSFET面臨極限考驗(yàn)——1%的效率差距意味著單數(shù)據(jù)中心年損耗超5000萬(wàn)度電。仁懋電子專為高壓直流場(chǎng)景打造的MOT12N65T/MOT35N65T，以“高頻高效、極寒散熱”重新定義服務(wù)器電源MOS選型標(biāo)準(zhǔn)。技術(shù)破局：三重復(fù)合戰(zhàn)力1.導(dǎo)通損耗碾壓式領(lǐng)先 -
發(fā)布了文章 2025-03-14 16:52
吸塵器“心臟”革命！仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動(dòng)力
吸塵器動(dòng)力系統(tǒng)的“高溫圍城”在無(wú)線吸塵器滲透率超60%的今天，電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS過(guò)熱降速卻成為用戶體驗(yàn)的致命傷——行業(yè)測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，80%的高端吸塵器在連續(xù)工作8分鐘后觸發(fā)MOS溫控保護(hù)，吸力衰減超25%。傳統(tǒng)封裝器件在高速無(wú)刷電機(jī)場(chǎng)景下面臨三重枷鎖：-電流暴力沖擊：電機(jī)啟動(dòng)瞬間電流超150A，鍵合線熔斷風(fēng)險(xiǎn)激增；-散熱空間困局：MOS占PCB面積超20%，制約 -
發(fā)布了文章 2025-03-06 17:55
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發(fā)布了文章 2025-02-28 15:44
自研體二極管技術(shù)如何改寫戶儲(chǔ)MOS游戲規(guī)則？
戶儲(chǔ)行業(yè)痛點(diǎn)：PFC電路的“沉默殺手”在家庭儲(chǔ)能系統(tǒng)普及率突破18%的今天，PFC（功率因數(shù)校正）電路MOS失效卻成為行業(yè)隱形痛點(diǎn)——某第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，32%的戶儲(chǔ)設(shè)備故障源于MOS溫升超標(biāo)或體二極管反向恢復(fù)失效。傳統(tǒng)MOS器件在戶用場(chǎng)景下面臨雙重暴擊：*開關(guān)損耗困局：Qg與Coss失衡導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)延遲，20kHz工況下?lián)p耗激增40%；*體二極管“反殺” -
發(fā)布了文章 2025-02-20 17:43
仁懋TOLL產(chǎn)品為無(wú)人機(jī)動(dòng)力鏈打造高可靠解決方案
【行業(yè)痛點(diǎn)：無(wú)人機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)的“高空生死局”】在物流配送、農(nóng)業(yè)植保等無(wú)人機(jī)應(yīng)用場(chǎng)景爆發(fā)式增長(zhǎng)的今天，動(dòng)力系統(tǒng)的可靠性直接關(guān)乎商業(yè)價(jià)值——據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì)，35%的炸機(jī)事故源自電調(diào)MOS器件失效。傳統(tǒng)封裝器件在極端工況下面臨三重挑戰(zhàn)：*電流過(guò)載危機(jī)：起飛瞬間200A以上浪涌電流導(dǎo)致鍵合線熔斷；*熱失控魔咒：封閉空間內(nèi)溫升＞80℃引發(fā)MOS性能雪崩；*體積重量枷鎖：電調(diào)516瀏覽量
