東科半導體

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• 發(fā)布了文章 2023-02-08 04:38

  企業(yè)新聞 | 東科半導體榮獲安徽省“專精特新”企業(yè)50強

  

  點擊S日前，安徽省“新春第一會”——全省發(fā)揚自我革命精神堅持嚴的基調(diào)持續(xù)深化“一改兩為”全面提升工作效能大會在合肥舉行。會上表揚通報了2022年度安徽省民營企業(yè)稅收貢獻50強、“專精特新”企業(yè)50強等榮譽企業(yè)，東科半導體（安徽）股份有限公司榮獲安徽省“專精特新”企業(yè)50強。作為國家級專精特新小巨人企業(yè)，東科此次被評為省“專精特新”企業(yè)50強是對公司在持續(xù)創(chuàng)新

  東科 半導體

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• 發(fā)布了文章 2023-02-04 04:38

  產(chǎn)品介紹 | 東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

  

  前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動器+GaN功率器件等，電路設(shè)計復雜，成本較高。東科半導體通過合封氮化鎵的方式，一顆芯片即可完成原有三顆芯片的功能，使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，提升功率密度和效率的同時，還可節(jié)約成本。此外也有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數(shù)，電源工程師在應(yīng)用過程中更加方便快捷，易于調(diào)試，可加速產(chǎn)品上市周期。什么是合封氮化鎵在氮化鎵

  快充 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-01-11 16:38

  拆解報告：倍仕達35W雙USB-C口充電器 ——內(nèi)置東科DK5V100R10S同步整流芯片

  

  -----充電頭網(wǎng)拆解報告第2447篇-----前言伴隨著蘋果推出雙USB-C口的電源適配器，引領(lǐng)新的USB-C適配器形式，改變消費者的使用習慣以來，有多家快充廠商都推出了雙口適配器，并支持功率自動分配，滿足兩臺設(shè)備的同時充電需求。倍仕達推出了一款35W雙USB-C適配器，雙口支持功率盲插，能滿足筆記本電腦供電，雙口同時輸出時支持18+18W功率分配，滿足同

  芯片 充電器

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• 發(fā)布了文章 2022-07-15 10:38

  拆解報告 | 聯(lián)想小新智能投影儀65W充電器——內(nèi)置東科DK065G搭配DK5V100R10M

  

  -----充電頭網(wǎng)拆解報告第2179篇-----前言聯(lián)想推出了一款超薄的小新520智能投影儀，具備1080P高分辨率，4.8cm的超薄厚度，設(shè)計非常小巧，可以與筆記本一同攜帶，獲得全新的觀影體驗。聯(lián)想為這款輕薄投影儀配備了一款氮化鎵充電器，同樣小巧精致，與投影儀風格搭配，并且采用USB-C接口，支持5-20V輸出電壓，可以為筆記本和手機充電。充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到

  充電器

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• 上傳了資料 2022-06-30 16:16

  DK 025G

  氮化鎵電源 電源管理芯片 AC-DC電源芯片

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• 上傳了資料 2022-06-30 16:08

  DK 036G

  氮化鎵電源 電源管理芯片 AC-DC電源芯片

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• 上傳了資料 2022-06-30 15:50

  DK 045G

  電源管理IC 氮化鎵電源 AC-DC電源芯片

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• 上傳了資料 2022-06-30 15:37

  DK 065G

  電源管理IC 氮化鎵 AC-DC

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• 發(fā)布了文章 2022-06-21 02:06

  東科力推7款合封氮化鎵主控芯片 — 功率覆蓋12W-65W

  

  2021年是氮化鎵技術(shù)大規(guī)模商用的一年，也是合封氮化鎵芯片快速發(fā)展的一年。東科半導體繼推出國內(nèi)外首顆合封氮化鎵快充芯片以來，持續(xù)深耕合封工藝，推出了適用于不同功率范圍的高集成氮化鎵芯片。在3月26日舉辦的「2021（春季）USBPD＆Type-C亞洲展」上，東科半導體無錫有限公司副總經(jīng)理孫經(jīng)緯先生發(fā)表了《加速氮化鎵全面普及-東科半導體全系合封氮化鎵產(chǎn)品介紹》

  GaN 主控芯片 東科

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• 發(fā)布了文章 2022-06-21 01:53

  新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

  

  DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電路和半橋驅(qū)動電路，是目前業(yè)內(nèi)唯一一款一體式合封氮化鎵有源箝位反激功率轉(zhuǎn)換芯片。上管采用400mΩGaN功率管，下管采用260mΩGaN功率管，最大開關(guān)頻率可達500KHz。專利的上管電流關(guān)斷控制技術(shù)保證了上管

  氮化鎵 GaN GaN器件

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