動態(tài)
-
發(fā)布了文章 2022-05-17 11:16
NCP1342驅(qū)動氮化鎵國產(chǎn)替代—PN8213
自從小米發(fā)布了旗下第一款采用GaN技術(shù)的充電器,市場上便掀起了GaN“快充風(fēng)”,目前國內(nèi)市場上手機、筆記本、平板等電子產(chǎn)品的GaN快充產(chǎn)品的核心器件—GaN驅(qū)動IC,基本上都依賴進口,驪微電子推出NCP1342驅(qū)動氮化嫁國產(chǎn)替代芯片—PN8213,適用于65W氮化鎵充電器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■內(nèi)置高壓啟動電路■供電電壓9~57V,1.7k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-07 11:36
NCP1342替代料PN8213 65W氮化鎵pd充電器方案
氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個非常高頻的詞匯,在氮化鎵快充市場迅速增長之際,65W這個功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點,從而率先成為了各大品牌的必爭之地,ncp1342替代料PN8213氮化鎵充電器主控芯片,適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■內(nèi)置高壓啟動電路■供電電壓9~57V,適合寬輸出電壓應(yīng)用■Valle1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-04 16:41
30V MOS管N溝道PKC26BB替代料SVG032R4NL5
MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管和N溝道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工藝技術(shù)制造是100A、30VN溝道增強型場效應(yīng)管,可兼容替代尼克森PKC26BB。PKC26BB替代料SVG032R4NL5特點■100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ@Vcs=10V■低柵極電荷■低反向傳輸1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-28 15:07
降壓eup3270芯片4A輸出QC3.0快充方案
EUP3270是一款能夠驅(qū)動4A連續(xù)負(fù)載并帶有優(yōu)良線性和負(fù)載調(diào)整率的的同步降壓型變換器,故障保護包括電流限制,短路保護和熱關(guān)斷。內(nèi)部軟啟動系統(tǒng)能夠在芯片啟動過程實現(xiàn)小的浪涌電流和輸出過沖。降壓eup3270芯片特點■4.5V到30V寬輸入電壓范圍■80KHz到800KHz的的開關(guān)頻率可調(diào)■CC/CV的模式控制■達到4A的輸出電流■+/-1.5%電壓基準(zhǔn)精度■979瀏覽量 -
上傳了資料 2022-04-27 16:58
-
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-04-27 16:53
ncp1252a代替料啟達啟臣微CR1252A正激式開關(guān)電源控制芯片
產(chǎn)品型號:CR1252A 品牌:啟臣微 型號:CR1252A 封裝:SOP-81.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-26 17:32
60v mos管ao4264E/VS6410AS替代料SVGP069R5NSA
SVGP069R5NSA采用sop-8封裝,具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量,14A、60V的電流、電壓,RDS(on)=8.0mΩ(typ),最高柵源電壓@VGS=±20V,典型應(yīng)用于10W-44W快充。60vmos管SVGP069R5NSA特點■開關(guān)速度快■提升了dv/dt能力■低柵極電荷■低反向傳輸電容■14A,60V,RDs(o944瀏覽量 -
上傳了資料 2022-04-26 16:55
-
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-04-26 16:53
IR2106變頻電機驅(qū)動芯片替代芯片ID2206D 600V半橋驅(qū)動芯片
產(chǎn)品型號:ID2206DSEC-R1 工作電壓:10 V ~20 V 輸出電流:210 mA / 360mA1.3k瀏覽量 -
上傳了資料 2022-04-26 16:37