三星宣布7nm EUV明年1月量產(chǎn) 5nm技術(shù)研發(fā)已完成

隨著NVIDIA宣布其新一代的7nm GPU交由三星代工，三星在晶圓代工市場(chǎng)上總算又拉來一個(gè)大客戶，如果算上之前的IBM Power 10以及傳聞中的高通驍龍865訂單，再加上三星自己的7nm Exynos芯片，三星在7nm節(jié)點(diǎn)總算有所收獲了。

與臺(tái)積電相比，三星在7nm及未來的5nm節(jié)點(diǎn)上確實(shí)還要落后，主要是時(shí)間進(jìn)度上，臺(tái)積電的7nm去年都量產(chǎn)了，海思、蘋果、賽靈思以及現(xiàn)在的AMD都是臺(tái)積電7nm的大客戶。

日前三星在韓國(guó)又舉行了新一輪晶圓代工制造論壇會(huì)議，參與的人數(shù)比之前多了40%，超過500多名無晶圓廠芯片客戶與會(huì)，副總晶圓代工業(yè)務(wù)的三星副總裁Jung Eun-seung公布了三星在半導(dǎo)體制造工藝上的進(jìn)展。他表達(dá)，三星今年9月份將完成韓國(guó)華城的7nm EUV工藝生產(chǎn)線，明年1月份量產(chǎn)。

在7nm之后，三星還將推出5nm FinFET工藝，目前已經(jīng)完成了技術(shù)研發(fā)，而且5nm被視為是最后一代FinFET工藝。

在之后的重大節(jié)點(diǎn)就是3nm了，三星率先公布了3nm節(jié)點(diǎn)將使用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

值得注意的是，三星召開會(huì)議的這幾天里，日本突然宣布制裁韓國(guó)，限制日本半導(dǎo)體材料、OLED顯示面板材料的對(duì)韓出口，隨后正式施行。

日本限制出口的材料主要用于半導(dǎo)體芯片及顯示面板生產(chǎn)，即便是三星也要依賴日本供應(yīng)商，所以這件事可能對(duì)三星影響很大。

目前三星官方尚未對(duì)此事發(fā)表評(píng)論，不過韓國(guó)總統(tǒng)國(guó)家安全辦公室副主任金賢重日前會(huì)見了三星副董事長(zhǎng)金基南，討論日本的制裁及應(yīng)對(duì)措施。