MOS管做功放的優(yōu)缺點(diǎn)

MOS管做功放的優(yōu)點(diǎn)

1、MOS管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL的輸入，到達(dá)抑止零點(diǎn)漂移的效果。

2、中音厚，沒有三極管那么大的交越失真。

電流推進(jìn)級通常由一至二級組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流，這樣本級不會(huì)產(chǎn)生開關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級也一直處于放大區(qū)，因而輸出級同樣不會(huì)產(chǎn)生開關(guān)失真和交越失真。

3、MOS管的線性比晶體管好。

MOS管做功放的缺點(diǎn)

1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞，MOSFET場效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無法外電路維護(hù)），開關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管。

2、開啟電壓太高。

3、偏流開很大，還是有一定的交越失真，沒交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。

4、MOS管不好配對在同一批次管，相對來說要好配對一點(diǎn)。

5、MOS管的低頻下太硬，用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個(gè)簡單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。