賽靈思推出內(nèi)存解決方案，領(lǐng)先業(yè)界

賽靈思交付業(yè)界首款數(shù)據(jù)速率高達(dá)每秒2400 Mb的All Programmable UltraScale器件內(nèi)存解決方案

2014年3月11日，北京—All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(NASDAQ: XLNX)今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)，可支持大量I/O和超大存儲帶寬，并能夠大幅降低功耗和時(shí)延。賽靈思穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案可加速設(shè)計(jì)進(jìn)程，并增加了對DDR4接口的支持。

UltraScale器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲帶寬，能夠滿足視頻成像與處理、流量管理和高性能計(jì)算等重要應(yīng)用領(lǐng)域新一代前沿系統(tǒng)設(shè)計(jì)對海量數(shù)據(jù)流快速處理以及海量內(nèi)存的需求。從DDR3升級為DDR4后，應(yīng)用的讀取時(shí)延減少了30%，而且在相同數(shù)據(jù)速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是，從每秒1866 Mb的DDR3升級到每秒2400 Mb的DDR4后，客戶不僅提升了30%的數(shù)據(jù)速率，同時(shí)還能削減20%的功耗。

這些DDR4內(nèi)存接口經(jīng)過嚴(yán)格系統(tǒng)條件下（例如變化的電壓和溫度、系統(tǒng)抖動）高難度數(shù)據(jù)模式的測試，可確保為實(shí)際系統(tǒng)部署預(yù)留工作裕量。賽靈思的SelectIO接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，有助于確保獲得最大時(shí)序裕量。為保證最佳信號完整性，I/O技術(shù)還包括傳輸預(yù)加重、接收均衡、低抖動時(shí)鐘和噪聲隔離設(shè)計(jì)技術(shù)。

賽靈思公司FPGA產(chǎn)品管理與市場營銷高級總監(jiān)Dave Myron指出；“為讓客戶采用當(dāng)今最先進(jìn)的內(nèi)存解決方案進(jìn)行設(shè)計(jì)，賽靈思現(xiàn)已開始交付高性能DDR4接口，而領(lǐng)先的PC制造商在今年晚些時(shí)候才會推出線速較低的產(chǎn)品。”

美光（Micron）公司DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle表示：“當(dāng)今的客戶不斷要求使用更高的存儲帶寬支持更大規(guī)模數(shù)據(jù)密集型的應(yīng)用，通過與賽靈思的強(qiáng)大合作，美光的DDR4內(nèi)存技術(shù)和賽靈思的UltraScale器件相結(jié)合，致力于為我們的共同客戶提供市場領(lǐng)先的解決方案?！?/p>