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關(guān)于非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器的功能介紹和應(yīng)用

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來源:djl ? 2019-08-22 16:52 ? 次閱讀

羅姆的內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFETDC/DC轉(zhuǎn)換器IC

“BD9G341AEFJ”

“我大概只有這么小?!?/p>

而80V耐壓已經(jīng)是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平,在羅姆的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機(jī)型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加,因此其需求日益高漲。然而,現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的制造商有限,而且種類也并不是很多。

BD9G341AEFJ是作為功率開關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC,僅需增加很少外置元器件,注意是很少,即可構(gòu)建高性能的高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。一般高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器采用外置高耐壓MOSFET的電路結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高耐壓的情況較多,而BD9G341AEFJ為減少安裝面積并簡化設(shè)計,IC設(shè)計采用內(nèi)置高耐壓MOSFET結(jié)構(gòu),這需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外,內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低,僅為150mΩ,有利于提高效率。

BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置,而續(xù)流二極管為外置。續(xù)流二極管是肖特基勢壘二極管,需要能夠容許電路最大輸入電壓的高耐壓品。羅姆擁有適合開關(guān)電源的各種二極管,因此還可一并供應(yīng)BD9G341AEFJ所需的肖特基勢壘二極管。

下面是主要特點(diǎn)和標(biāo)準(zhǔn)電路例。通過采用電流模式控制,相位補(bǔ)償簡單,可獲得高速的瞬態(tài)響應(yīng)。開關(guān)頻率可在50kHz~750kHz之間設(shè)置,因此可優(yōu)化尺寸與效率。另外還搭載了所需的幾乎所有的保護(hù)功能,這也是該產(chǎn)品的特點(diǎn)之一。

<特點(diǎn)>

關(guān)于非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器的功能介紹和應(yīng)用

<電路例>

關(guān)于非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器的功能介紹和應(yīng)用

與美隊盾的生抗不同,BD9G341AEFJ內(nèi)置對應(yīng)高電壓的功率MOSFET的降壓1ch開關(guān)穩(wěn)壓器。內(nèi)置80V耐壓3.5A額定、導(dǎo)通電阻150mΩ的功率MOSFET。還通過電流模式控制方式,實(shí)現(xiàn)了高速瞬態(tài)響應(yīng)和簡便的相位補(bǔ)償設(shè)定。頻率在50kHz ~ 750kHz的范圍內(nèi)可變,內(nèi)置低電壓誤動作防止電路、過電流保護(hù)電路等保護(hù)功能。此外,可通過高精度的EN引腳閾值進(jìn)行低電壓鎖定,及使用外接電阻設(shè)定滯后。

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