Everspin 試生產(chǎn)1Gb STT-MRAM

Everspin 近日宣布，其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。去年 12 月的時候，其已發(fā)布了首批預(yù)生產(chǎn)樣品。新 MRAM 器件采用格羅方德（GlobalFoundries）的 28nm 工藝制造，與當(dāng)前的 40nm 256Mb 器件相比，其在密度和容量方面有了重大的進步。預(yù)計今年下半年的時候，其產(chǎn)能會開始增加。

新器件提供了 8 / 16-bit 的 DDR4-1333 MT/s（667MHz）接口，但與較舊的基于 DDR3 的 MRAM 組件一樣，時序上的差異使得其難以成為 DRAM（動態(tài)隨機存取器）的直接替代品。

低容量的特性，使得 MRAM 組件更適用于嵌入式系統(tǒng)，其中 SoC 和 ASIC 可更容易地設(shè)計兼容的 DDR 控制器。

據(jù)悉，最新的 1Gb 容量 STT-MRAM 擴大了 MRAM 的吸引力，但 Everspin 仍需努力追趕 DRAM 的存儲密度。

當(dāng)然，我們并不指望 MRAM 專用存儲設(shè)備可以迅速在市面上普及（SSD或 NVDIMM）。畢竟市面上的混合型 SSD，仍依賴于 NAND 閃存作為主要存儲介質(zhì)。

目前行業(yè)內(nèi)已通過 MRAM 來部分替代 DRAM，比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模塊，以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型。

需要指出的是，盡管 Everspin 不是唯一一家致力于 MRAM 技術(shù)的公司，但它們卻是分立式 MRAM 器件的唯一供應(yīng)商。

作為與格羅方德合作生產(chǎn)的第二款分立型 MRAM 器件，他們還在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工藝路線圖中嵌入了 MRAM 。

鑒于該工廠取消了 7nm 和更低制程的計劃，包括嵌入式內(nèi)存在內(nèi)的特殊工藝對其未來顯然至關(guān)重要。