FinFET之父胡正明教授展望2nm之后的長遠發(fā)展之路

近日，一年一度的新思科技開發(fā)者大會在上海拉開帷幕。作為新思科技開發(fā)者大會特邀嘉賓，被譽為FinFET之父的胡正明教授視頻分享了其對行業(yè)發(fā)展的獨到見解。

2nm之后的路在何方？

胡正明教授指出“行業(yè)每20年總會有一個危機。20年前，行業(yè)對今后用什么技術來提高芯片性能、降低功耗的同時不增加成本，非常悲觀。FinFET技術的出現(xiàn)解決了這個問題，但是現(xiàn)如今最前端的公司都面臨著先進工藝不斷向7nm、5nm、2nm邁進之后的工藝挑戰(zhàn)。解決之道就是要找到長遠的發(fā)展之路。”

近期的研究分享

2018年，胡正明教授的同事有一個發(fā)明：負電容晶體管。過去十年，胡正明教授都在參與研究負電容晶體管以期將功耗降低10倍，也許以后還有更多益處。

對中國開發(fā)者的寄語

他肯定了過去十幾年，行業(yè)的開發(fā)者團隊對世界科技進步和經(jīng)濟成長的重要性，建議開發(fā)者一步一個腳印，踏踏實實進行產(chǎn)業(yè)革新，不管是對于個人還是公司，都要在現(xiàn)有的基礎上，讓自己的產(chǎn)品研發(fā)在國內(nèi)和國際上越來越有競爭力。

今年的開發(fā)者大會對新思科技來說更具時代意義——擁有29年歷史的SNUG(新思科技用戶大會)全新升級、煥然新生。大會共吸引了超過1400位來自全球的開發(fā)者共享前沿科技的創(chuàng)新成果，分享了超過40個開發(fā)者優(yōu)秀案例，覆蓋眾多改變未來世界的熱門應用。同時，有超過20家全球合作伙伴在現(xiàn)場展示最新應用互動體驗，涉及人工智能、智能汽車、5G、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等前沿領域。

人類走到今天，每一個微小的進步都不可或缺。新思科技致力于為全球開發(fā)者提供最前沿的工具和平臺實現(xiàn)芯片創(chuàng)新，攜手開發(fā)者讓科技更有溫度，讓世界更美好，讓明天更有新思。