0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

可控硅電路常見的擊穿現(xiàn)象及預(yù)防方法

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:郭婷 ? 2019-05-24 13:57 ? 次閱讀

擊穿是電路設(shè)計(jì)者最不想看到的現(xiàn)象之一,但是由于各種各樣的原因,擊穿總是時(shí)不時(shí)發(fā)生。本文就將為大家介紹在電路中經(jīng)常出現(xiàn)的集中擊穿現(xiàn)象,并簡(jiǎn)述如何對(duì)這種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行預(yù)防。

1、過(guò)壓擊穿:

過(guò)壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一,可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎是沒有時(shí)間的,即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿的,因此實(shí)際應(yīng)用電路中,在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路,以避免各種無(wú)規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿,請(qǐng)檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。

2、過(guò)流與過(guò)熱擊穿:

過(guò)流擊穿與過(guò)熱擊穿是一回事。過(guò)流擊穿就是電流在通過(guò)可控硅芯片時(shí)在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng),使芯片溫度升高,當(dāng)芯片溫度達(dá)到175℃時(shí)芯片就會(huì)失效且不能恢復(fù)。在正常的使用條件下,只要工作電流不超過(guò)可控硅額定電流是不會(huì)發(fā)生這種熱擊穿的,因?yàn)檫^(guò)流擊穿原理是由于溫度升高所引起的,而溫度升高的過(guò)程是需要一定時(shí)間的,所以在短時(shí)間內(nèi)過(guò)流(幾百毫秒到幾秒時(shí)間)一般是不會(huì)擊穿的。

3、過(guò)熱擊穿:

過(guò)熱擊穿是指在工作電流并不超過(guò)可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿,發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過(guò)高導(dǎo)致?lián)舸?。?duì)于采用水冷方式工作的,主要檢查進(jìn)水溫度是否過(guò)高(一般要求水溫應(yīng)在25℃以下,但最高不能超過(guò)35℃),流量是否充足;對(duì)于采用風(fēng)冷方式工作的,應(yīng)檢查風(fēng)扇的轉(zhuǎn)數(shù)是否正常,還有環(huán)境溫度也不能太高等,但無(wú)論是風(fēng)冷的還是水冷的,如果你在更換可控硅時(shí)只是更換了芯片的話,安裝時(shí)要注意芯片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸,接觸面要平整,不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入,還要保證有足夠且均勻的壓力,特別是對(duì)水冷的可控硅,三個(gè)螺栓的拉力一定要均勻,并且還要經(jīng)常檢查和清理水垢,水垢太多也會(huì)影響散熱效果導(dǎo)致過(guò)熱擊穿的。另外如果多次更換芯片也會(huì)導(dǎo)致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果,如果您的機(jī)器上的某只可控硅經(jīng)常擊穿又找不到其他原因的話,就應(yīng)該考慮在更換可控硅時(shí)連同散熱器一齊更換。

推薦閱讀:http://wenjunhu.com/article/89/92/2017/20170424510222.html

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    172

    文章

    5915

    瀏覽量

    172268
  • 電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    6863

    瀏覽量

    132207
  • 可控硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    959

    瀏覽量

    71866
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    可控硅(SCR)觸發(fā)方法總結(jié)

    ,包括柵極驅(qū)動(dòng)要求(如果使用柵極觸發(fā))、觸發(fā)時(shí)間(需要保持所施加的觸發(fā)激勵(lì)時(shí)間以使電路鎖存)等各個(gè)方面都很重要,各種參數(shù)的重要性取決于所使用的可控硅( SCR )觸發(fā)形式。 可控硅(SCR)觸發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 15:26 ?4370次閱讀
    <b class='flag-5'>可控硅</b>(SCR)觸發(fā)<b class='flag-5'>方法</b>總結(jié)

    可控硅易燒壞的問題

    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 編輯 我這有一個(gè)BTA06的雙向可控硅電路,負(fù)載接的是電機(jī),用了一段時(shí)間后發(fā)現(xiàn)可控硅很容易擊穿,之后
    發(fā)表于 10-22 19:14

    可控硅擊穿問題

    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯 我這有一個(gè)BTA06的雙向可控硅電路,負(fù)載接的是電機(jī),用了一段時(shí)間后發(fā)現(xiàn)可控硅很容易擊穿,之后
    發(fā)表于 10-22 20:18

    KP型普通可控硅常見故障分析

    ,都有可能使可控硅特性下跌,被擊穿損壞,造成停機(jī)故障。這時(shí)須采取有效措施,迅速排除故障,使整流器恢復(fù)正常。一、故障現(xiàn)象:有的可控硅整流器調(diào)試時(shí),加上觸發(fā)脈沖就導(dǎo)通,脈沖消失又關(guān)斷。原因
    發(fā)表于 12-20 16:45

    如何有效預(yù)防中頻爐可控硅元件的損壞

    25只可控硅屬于比較正常的,如果經(jīng)常燒壞可控硅,就要引起廣大電工的警覺了。可控硅的工作電流幾千安,電壓通常在一兩千伏,良好的主控板保護(hù)和良好的水冷條件是必備的。 有效預(yù)防中頻爐
    發(fā)表于 01-17 10:53

    如何判別可控硅的損壞原因

    當(dāng)可控硅損壞后需要檢查分析其原因時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿
    發(fā)表于 02-15 11:59

    可控硅的分類和型號(hào)

      可控硅有多種分類方法。按關(guān)斷QS3861QG、導(dǎo)通及控制方式不同,可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種
    發(fā)表于 12-08 17:11

    可控硅元件—可控硅整流電路

    可控硅元件—可控硅整流電路 一、單相半波可控整流電路 1、工作原理
    發(fā)表于 07-25 11:19 ?3280次閱讀

    可控硅的原理/可控硅(晶閘管)原理圖

    可控硅的原理_可控硅(晶閘管)原理圖    可控硅T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成可控硅的主
    發(fā)表于 12-02 10:38 ?1676次閱讀

    可控硅擊穿的原因分析

    可控硅擊穿的原因分析 1、過(guò)壓擊穿: 過(guò)壓擊穿可控硅擊穿的主要原因之一,
    發(fā)表于 12-11 09:48 ?6660次閱讀

    可控硅的測(cè)試方法

    可控硅的測(cè)試方法
    發(fā)表于 11-03 17:22 ?8次下載

    可控硅的電氣符號(hào)怎么畫?可控硅電路符號(hào)表示方法

    可控硅的電氣符號(hào)怎么畫?可控硅電路符號(hào)表示方法 可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,
    發(fā)表于 04-14 15:49 ?2.5w次閱讀
    <b class='flag-5'>可控硅</b>的電氣符號(hào)怎么畫?<b class='flag-5'>可控硅</b>的<b class='flag-5'>電路</b>符號(hào)表示<b class='flag-5'>方法</b>

    可控硅擊穿原因分析

    過(guò)壓擊穿可控硅擊穿的主要原因之一,可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎是沒有時(shí)間的,即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿的,因此實(shí)際應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:58 ?7126次閱讀

    可控硅觸發(fā)電路原理+案例,手把手教你設(shè)計(jì)

    詳細(xì)總結(jié)了一下可控硅觸發(fā)的方法,這次給大家講解一下可控硅觸發(fā)電路原理,常見可控硅觸發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 11-12 09:21 ?1.1w次閱讀

    可控硅觸發(fā)電路原理 可控硅觸發(fā)電路的觸發(fā)方式

    可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR)是一種具有控制性能的半導(dǎo)體器件,在電力控制領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。可控硅觸發(fā)電路是指對(duì)可控硅進(jìn)行觸發(fā)控制的
    的頭像 發(fā)表于 02-03 10:47 ?4231次閱讀