中國積極布局第三代半導(dǎo)體材料！國內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商？

隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩，未來半導(dǎo)體技術(shù)的提升，除了進(jìn)一步榨取摩爾定律在制造工藝上的最后的“剩余價值”外，尋找硅（Si）以外的新一代半導(dǎo)體材料，則成了一個重要的方向。近幾年，氮化鎵作為一個高頻詞匯進(jìn)入了人們的視野中。

什么是氮化鎵？氮化鎵何以占據(jù)C位？

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

氮化鎵自出生以來南征北戰(zhàn)，無論是PK碳化硅（SiC）還是吊打砷化鎵（GaAs），作為第三代半導(dǎo)體材料的GaN優(yōu)勢凸顯。由于禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；其較大的禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導(dǎo)通電阻減少，有利于提升器件整體的能效；且電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。

同為第三代半導(dǎo)體材料，相比于SiC，GaN之所以更受寵主要是兩個因素：

（1）GaN在成本控制方面顯示出了更強(qiáng)的潛力。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件，來替代昂貴的SiC襯底。有分析預(yù)測，到2019年GaN MOSFET的成本將與傳統(tǒng)的Si器件相當(dāng)，并且GaN技術(shù)對于供應(yīng)商來說是一個非常有吸引力的市場機(jī)會，它可以向它們的客戶提供目前半導(dǎo)體工藝材料可能無法企及的性能。

（2）再者，由于GaN器件是個平面器件，與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，這使其更容易與其他半導(dǎo)體器件集成。

Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認(rèn)為，碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用，氮化鎵則適用于200~600V中功率應(yīng)用。根據(jù)Yole的預(yù)測，到2020年氮化鎵將進(jìn)一步往600~900V發(fā)展，屆時GaN勢必會與碳化硅產(chǎn)生競爭關(guān)系。

2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲的當(dāng)年的諾貝爾物理獎。其中氮化鎵正是推動了藍(lán)光LED向前發(fā)展的重要新型材料。至此，氮化鎵在確立了其在光電領(lǐng)域的重要地位。

除了LED，氮化鎵也被使用到了功率半導(dǎo)體與射頻器件上。基于氮化鎵的功率芯片正在市場站穩(wěn)腳跟。氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。

中國積極布局第三代半導(dǎo)體材料

最近幾年，我國正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件，自然也受到了重點關(guān)注。

2015年5月，國務(wù)院印發(fā)了《中國制造2025》。其中，4次提到了以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件。

2016.09科技部立項國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項---面向下一代移動通信的GaN基射頻器件關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)應(yīng)用”， 該項目旨在針對5G通信需求，建立開放的工藝代工線，實現(xiàn)從高效率器件到超寬帶電路設(shè)計等系列自主可控的GaN基射頻器件和電路成套技術(shù)；建立“產(chǎn)學(xué)研用”協(xié)同創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)GaN器件與電路在通信系統(tǒng)的應(yīng)用，推動我國第三代半導(dǎo)體在射頻功率領(lǐng)域的可持續(xù)發(fā)展。

2018年7月，國內(nèi)首個《第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)路線圖》正式發(fā)布。路線圖主要從襯底/外延/器件、封裝/模塊、SiC應(yīng)用、GaN應(yīng)用等四個方面展開論述，提出了中國發(fā)展第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的路徑建議和對未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預(yù)測。

到目前為止，國內(nèi)已有四條4/6英寸SiC生產(chǎn)/中試線和三條GaN生產(chǎn)/中試線相繼投入使用，并在建多個與第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研發(fā)中試平臺。

在GaN襯底方面，國內(nèi)已經(jīng)小批量生產(chǎn)2英寸襯底，具備4英寸襯底生產(chǎn)能力，并開發(fā)出6英寸襯底樣品。國內(nèi)可提供相關(guān)產(chǎn)品的企業(yè)有：納維科技、中鎵半導(dǎo)體。

那么國內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商？

根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導(dǎo)體器件市場2023年全球預(yù)測”稱，氮化鎵器件市場預(yù)計將從2016年的165億美元，增長至2023年的224.7億美元，年復(fù)合增長率為4.51%。GaN產(chǎn)業(yè)鏈包括上游的材料（襯底和外延）、中游的器件和模組、下游的系統(tǒng)和應(yīng)用。在國內(nèi)GaN逐步擴(kuò)大的市場帶動下，上、中、下游各環(huán)節(jié)均開始出現(xiàn)大批廠商。

GaN襯底供應(yīng)商

納維科技

2007年蘇州納維科技有限公司成立，成為我國首家具備氮化鎵晶片生產(chǎn)能力的公司。經(jīng)過10年努力，實現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)在是國內(nèi)唯一一家、國際上少數(shù)幾家之一能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位。公司氮化鎵產(chǎn)品性能綜合指標(biāo)國際領(lǐng)先，未來3年重點實現(xiàn)將技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為在全球的市場優(yōu)勢。

東莞中鎵

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月，公司創(chuàng)造性采用MOCVD技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法，研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)品包括：氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體襯底材料，GaN/AI2O3復(fù)合襯底、GaN單晶襯底及氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE）等，主要應(yīng)用于MiniLED& MicroLED、車燈、激光器、功率器件、射頻器件。

公司已建成國內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵（GaN）襯底材料生產(chǎn)線，制備出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。

GaN外延供應(yīng)商

蘇州晶湛

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成立于2012年3月，2014年底，晶湛半導(dǎo)體在全球首家發(fā)布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，并填補了國內(nèi)乃至世界氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。截至目前，晶湛半導(dǎo)體已完成B輪融資，用于擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月產(chǎn)能達(dá)1萬片。

蘇州精湛致力于為電子電力、微波射頻、微顯示器件應(yīng)用領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵材料。

聚能晶源

2018 年，耐威科技先后投資設(shè)立了聚能晶源、青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司，兩家控股子公司業(yè)務(wù)均與氮化鎵（GaN）相關(guān)：聚能創(chuàng)芯主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā)；聚能晶源主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)。

2018年12月聚能晶源成功研制了 8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實現(xiàn)了 650V/700V 高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。

世紀(jì)金光

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體成立于2010年，公司經(jīng)過多年的發(fā)展，公司在SiC、GaN領(lǐng)域的單晶、外延、器件和模塊都有涉及。已成為集半導(dǎo)體單品材料、外延、器件、模塊的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售于一體的、貫通第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的“雙創(chuàng)型”高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)。

GaN射頻器件供應(yīng)商

中晶半導(dǎo)體

東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司成立于2010年，公司以北京大學(xué)為技術(shù)依托，引進(jìn)海內(nèi)外優(yōu)秀的產(chǎn)學(xué)研一體化團(tuán)隊，技術(shù)涵蓋Mini/MicroLED、器件等核心領(lǐng)域。

中晶半導(dǎo)體主要以HVPE設(shè)備等系列精密半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)為支撐，以GaN襯底為基礎(chǔ)，重點發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術(shù)，并向新型顯示模組方向延展；同時，中晶半導(dǎo)體將以GaN襯底材料技術(shù)為基礎(chǔ)，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導(dǎo)體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國際前沿技術(shù)，并進(jìn)行全球產(chǎn)業(yè)布局。

英諾賽科

英諾賽科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海歸團(tuán)隊發(fā)起，并集合了數(shù)十名國內(nèi)外精英聯(lián)合創(chuàng)辦的第三代半導(dǎo)體電力電子器件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。公司的主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件，產(chǎn)品設(shè)計及性能均達(dá)到國際先進(jìn)水平。

2017年11月英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)，成為國內(nèi)首條實現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。

三安集成

三安集成成立于2014年，其母公司三安光電是一家LED外延芯片龍頭企業(yè)，三安集成是涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領(lǐng)域的化合物半導(dǎo)體制造平臺，具備襯底材料、外延生長、以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力，擁有大規(guī)模、先進(jìn)制程能力的MOCVD 外延生長制造線。

目前已小批量生產(chǎn)砷化鎵、氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品，并陸續(xù)投用市場。

蘇州能訊

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司是由海外歸國人員創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè)，能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計與制造（IDM）的模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、芯片設(shè)計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。目前公司擁有專利280項，在國際一流團(tuán)隊的帶領(lǐng)下，能訊已經(jīng)擁有全套自主知識產(chǎn)權(quán)的氮化鎵電子器件設(shè)計、制造技術(shù)。

GaN電子電力器件供應(yīng)商

江蘇能華

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司成立于2010年6月，是由國家“千人計劃”專家朱廷剛博士創(chuàng)辦，建設(shè)8條6英寸以上的外延片生產(chǎn)線和一條完整的功率器件工藝生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)以氮化鎵為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓及其功率器件、芯片和模塊。

2016年，江蘇能華參與了國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點專項，進(jìn)行GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)項目。

江蘇華功

江蘇華功半導(dǎo)體有限公司成立于2016年5月，在第三代半導(dǎo)體行業(yè)擁有雄厚的專家資源、優(yōu)秀的人才隊伍、長期的技術(shù)積累和豐富的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。

華功半導(dǎo)體的技術(shù)團(tuán)隊以北京大學(xué)、中山大學(xué)以及合作的高校產(chǎn)業(yè)化企業(yè)為核心，從2012年開始合作推動硅基氮化鎵功率電子產(chǎn)業(yè)化，目前已攻克了相關(guān)材料與器件的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。

大連芯冠

大連芯冠科技有限公司成立于2016年3月，是一家由海外歸國團(tuán)隊創(chuàng)立的半導(dǎo)體國家級高新技術(shù)企業(yè)。采用了整合設(shè)計與制造（IDM）的商業(yè)模式，開展以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體外延材料和電子器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

公司擁有國際先進(jìn)的德國愛思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測系統(tǒng)、可靠性測試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，公司已實現(xiàn)6英寸650伏硅基氮化鎵外延片的量產(chǎn)，并發(fā)布了比肩世界先進(jìn)水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電源管理、太陽能逆變器、電動汽車及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動等領(lǐng)域。在微波射頻領(lǐng)域，公司已進(jìn)行硅基氮化鎵外延材料的開發(fā)，射頻芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備工作亦已展開，產(chǎn)品定位為10GHz以下的射頻通訊和射頻能量市場。

蘇州捷芯威

蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司是國內(nèi)第一家專注于氮化鎵電力電子器件研發(fā)和制造的高科技企業(yè)，由海外歸國人員創(chuàng)辦于蘇州工業(yè)園區(qū)，擁有專業(yè)的銷售、研發(fā)、技術(shù)團(tuán)隊。自主研發(fā)世界上第一款氮化鎵電路保護(hù)開關(guān)器件，單管擊穿電壓達(dá)2000V；擁有多款硅基氮化鎵電力電子器件、電壓等級從200V到600V，并率先在國內(nèi)實現(xiàn)了600V氮化鎵增強(qiáng)型高壓開關(guān)器件。同時開發(fā)了多款基于GaN技術(shù)的應(yīng)用電路，例如500W的PFC電路、500W的DC-DC、DC-AC和AC-DC轉(zhuǎn)換電路、雙脈沖測試電路、無線電能傳輸電路等。產(chǎn)品涉及IT、消費電子、電機(jī)控制、電動汽車、可再生資源、智能電網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域。

GaN功率器件供應(yīng)商

華潤微電子

2017年12月，華潤微電子完成對中航（重慶）微電子有限公司的收購，擁有8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線和國內(nèi)首個8英寸600V/10A GaN功率器件產(chǎn)品，用于電源管理。

華潤微規(guī)劃建設(shè)的化合物半導(dǎo)體項目,判斷生產(chǎn)線主要是GaN工藝。該項目將分兩期實施,其中一期項目投資20億元,二期投資30億元。

杭州士蘭微

2017年三季度士蘭微打通了一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。打通之后士蘭微會進(jìn)一步加強(qiáng)這方面的技術(shù)研發(fā)，公司預(yù)計在未來1-2年內(nèi)會有產(chǎn)品突破，能夠有新產(chǎn)品盡快推到市場上。

2018年10月，杭州士蘭微電子股份有限公司廈門12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式開工。2017年12月，士蘭微電子與廈門市海滄區(qū)人民政府簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。士蘭微電子公司與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同投資220億元人民幣，在廈門規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90～65nm的特色工藝芯片（功率半導(dǎo)體芯片及MEMS傳感器）生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件（第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片）生產(chǎn)線。

GaN光電供應(yīng)商

三安光電

三安光電股份有限公司成立于2000年11月,于2008年7月在上海證券交易所掛牌上市。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品性能指標(biāo)居國際先進(jìn)水平。

公司憑借強(qiáng)大的企業(yè)實力，繼2014年擴(kuò)大LED外延芯片研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化規(guī)模、同時投資集成電路產(chǎn)業(yè)，建設(shè)砷化鎵高速半導(dǎo)體與氮化鎵高功率半導(dǎo)體項目之后， 2018年三安光電在福建泉州南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC材料及器件、特種封裝等產(chǎn)業(yè)。

中蕊光電

中蕊光電公司在光電裝備領(lǐng)域擁有多項領(lǐng)先優(yōu)勢，其中：公司掌握著光電半導(dǎo)體核心器件、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體器件制備技術(shù)的核心科技，技術(shù)指標(biāo)和裝備質(zhì)量達(dá)到國際同行業(yè)領(lǐng)先水平；

依據(jù)公司的中長期發(fā)展規(guī)劃，公司將夯實現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)，充分發(fā)揮核心技術(shù)的國際領(lǐng)先性，迅速拓展裝備應(yīng)用領(lǐng)域，形成以GaN半導(dǎo)體材料科研基地和光電裝備生產(chǎn)基地，逐步推進(jìn)形成達(dá)百億產(chǎn)值的GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

聚芯光電

山東聚芯光電科技有限公司成立于2016年3月，由山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司和內(nèi)蒙古蒙西高新技術(shù)集團(tuán)有限公司共同出資設(shè)立，專業(yè)從事LED芯片、氮化鎵功率器件、太陽能LED燈具的研發(fā)生產(chǎn)銷售與技術(shù)服務(wù)。

公司擁有授權(quán)發(fā)明專利四項、授權(quán)實用新型專利六項，建有現(xiàn)代化的研發(fā)實驗室和研發(fā)生產(chǎn)基地，擁有較強(qiáng)的科技研發(fā)實力和技術(shù)創(chuàng)新能力，先后獲評山東省科技型中小微企業(yè)、東營市科技型企業(yè)、國家科技型中小企業(yè)、東營市知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)、國家級高新技術(shù)企業(yè)。

晶能光電

晶能光電（江西）有限公司成立于2006年，晶能光電是硅襯底LED技術(shù)的最早實踐者，并在 2012 年 6 月開始量產(chǎn)硅襯底氮化鎵LED芯片

作為全球硅襯底LED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，晶能光電用短短十年時間將一項實驗室技術(shù)發(fā)展成為全球第三條藍(lán)光LED技術(shù)路線，完成全球硅襯底LED專利布局。目前，圍繞該項目已申請專利330多項，已授權(quán)專利 147項，其中授權(quán)國際專利47項。這些專利將是構(gòu)建中國LED產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)池的基石，對我國的LED產(chǎn)業(yè)格局和產(chǎn)業(yè)安全將產(chǎn)生重大的影響。

GaN代工供應(yīng)商

海威華芯

海特高新控股子公司海威華芯主要從事第二代/第三代化合物半導(dǎo)體集成電路芯片的晶圓代工業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要面向5G、雷達(dá)、新能源、物聯(lián)網(wǎng)等高端芯片市場。海威華芯是國內(nèi)首家提供六英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電（GaAs/GaN MMIC）的純晶圓代工服務(wù)的制造企業(yè)。公司的氮化鎵已成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術(shù)。

海威華芯填補了國內(nèi)空白，打破了國外對中國高端射頻芯片的封鎖，成為國家高端芯片供應(yīng)安全的重要保障。

氮化鎵的難度比外界想象的大很多

國內(nèi)氮化鎵材料的發(fā)展難題主要有以下幾點：

一是在技術(shù)上，寬禁帶功率半導(dǎo)體面臨的技術(shù)難題很多，如襯底材料的完整性、外延層及歐姆接觸的質(zhì)量、工藝穩(wěn)定性、器件可靠性以及成本控制等，寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的難度比外界想象的要大很多。

二是在生態(tài)環(huán)境假設(shè)上。5G移動通信、電動汽車等是寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最具有爆發(fā)性增長潛力的應(yīng)用領(lǐng)域，國內(nèi)在產(chǎn)業(yè)生態(tài)的成熟度上與國外的差距還比較明顯，落后程度更甚于技術(shù)層面的落后程度。產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同不足，尚未解決材料“能用-可用-好用”發(fā)展過程中的問題和障礙。

雖然目前我國在一些GaN領(lǐng)域取得了關(guān)鍵性突破，但是與國際領(lǐng)先水平相比，我國在第三代半導(dǎo)體襯底、外延材料、器件的整體技術(shù)水平落后3年左右。在GaN領(lǐng)域缺少原始創(chuàng)新的專利，仍需要積極引進(jìn)國外優(yōu)秀技術(shù)人才，多方面借鑒國外發(fā)展經(jīng)驗，逐步提升國內(nèi)技術(shù)水平。

GaN作為新一代半導(dǎo)體材料，對于芯片和器件的制備，半導(dǎo)體行業(yè)特點突出，是否具備高良率，是否具備商業(yè)化價值是衡量企業(yè)的另一關(guān)鍵要素。國內(nèi)要想發(fā)展GaN，就要依靠自主研發(fā)，實現(xiàn)技術(shù)突破。當(dāng)前我國第3代半導(dǎo)體材料研發(fā)與國外差距不大，如果通過產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，完全有可能實現(xiàn)彎道超車，打破半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受制于人的被動局面。