安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器
安森美半導體，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。
AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術，提供低導通損耗和開關損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。
該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管共同封裝，從而在硅基方案的較低性能和完全基于SiC方案的較高成本之間提供出色的權衡。該高性能器件額定工作電壓650 V，能夠處理高達100 A@25 °C (50 A@100 °C)的連續(xù)電流，以及高達200 A的脈沖電流。對于需要更大電流能力的系統(tǒng)，正溫度系數(shù)令并行工作更簡便。
AFGHL50T65SQDC可在高達175 °C的結(jié)溫下工作，適用于包括汽車在內(nèi)的最嚴苛的電源應用。它完全符合AEC-Q 101認證，進一步證明其適用于電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV) 車載充電機。
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原文標題：安森美推出全新基于碳化硅(SiC)的混合IGBT
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