聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
處理器
+關注
關注
68文章
19286瀏覽量
229853 -
直流
+關注
關注
7文章
439瀏覽量
42938 -
可穿戴設備
+關注
關注
55文章
3815瀏覽量
167042
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
不同二極管的壓降是多少?
不同類型的二極管具有不同的壓降特性,以下是一些常見二極管類型的壓降范圍: 硅二極管 :硅二極管是最常見的二極管類型,其正向壓
芯片工作全鏈路壓降分析
芯片壓降的管理是確保集成電路(IC)穩(wěn)定運行的關鍵,涉及單板(PCB)、封裝、芯片內(nèi)部等多個層面。具體的推薦指標數(shù)據(jù)因應用領域、工藝節(jié)點、芯片類型等不同而有所差異,但以下是一些通用的指導原則和參考指標。
igbt導通壓降受哪些因素影響
。這個參數(shù)對于整個電力電子系統(tǒng)的效率和性能至關重要。導通壓降的大小受到多種因素的影響,以下是一些主要因素的分析: IGBT的結構和設計 : 柵極氧化層厚度 :柵極氧化層的厚度會影響IG
飽和管壓降和導通電壓區(qū)別在哪
在電子學中,飽和管壓降(saturation voltage drop)和導通電壓(turn-on voltage)是兩個重要的概念,它們描述了半導體器件,特別是晶體管和二極管在特定工作狀態(tài)下的電壓
IGBT導通壓降和飽和壓降怎么區(qū)分
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導通壓降特性。在電力電子領域,IGBT廣泛應用于變頻器、電動汽車、太陽能逆變器等設備中。 導通壓
通過優(yōu)化的功率級布局免費提高大電流直流/直流穩(wěn)壓器的EMI性能
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過優(yōu)化的功率級布局免費提高大電流直流/直流穩(wěn)壓器的EMI性能.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 08-26 11:17
?0次下載
肖特基二極管的正向壓降會變化嗎?
肖特基二極管(SBD)是一種快速開關二極管,具有低正向壓降和快速恢復時間。在實際應用中,肖特基二極管的正向壓降可能會受到多種因素的影響,從而導致其發(fā)生變化。 溫度的影響 溫度是影響肖特
INA188為何會有壓降的情況產(chǎn)生 ?
我目前使用感測器的 0~5V 輸出連接到 INA188 的輸入端時會有 15mV 的壓降,即全幅輸出 5.000V 會變成 4.985V,在不接 INA188 時直接測量則無 15mV 的壓降
發(fā)表于 08-14 07:22
二極管壓降是什么意思,怎么測量
二極管壓降是指二極管在正向導通時,其兩端電壓的差值。它是二極管的一個重要參數(shù),對于二極管的工作原理和應用有著重要的影響。 一、二極管壓降的概念 什么是二極管
搞定電源完整性,不如先研究PDN!
,各個因素在特定的頻率范圍內(nèi)起著主導作用。了解這些影響因素,對于優(yōu)化PDN設計,提高電源穩(wěn)定性和整體系統(tǒng)性能至關重要。
PCB設計、去耦電容、芯片封裝和芯片設計決定了PDN在不同頻率的
發(fā)表于 06-12 15:21
怎么降低同軸分流器在等效串聯(lián)電感上的壓降對測量結果的影響呢?
的準確性。 2. 增加信號功率:通過增加輸入信號的功率,可以降低同軸分流器的影響,使其在等效串聯(lián)電感上引起的壓降相對較小。 3. 校準同軸分流器:定期對同軸分流器進行校準,確保其性能穩(wěn)定,并能準確補償其引入的誤差。 4. 使用更
逆變器的導通壓降和續(xù)流二極管的導通壓降
隨電壓升高而增大,試了幾次仍然是這樣,按理說輸出功率限制后不應該明顯增大,而我設置時輸出功率達到了上百瓦進而直流源觸發(fā)保護,斷電后放電測量IGBT的續(xù)流二極管,二極管壓降正常0.381V,但是測量
發(fā)表于 02-18 19:52
熱管理解決方案 | 容易被忽略的能耗降低策略——流阻試驗/壓降試驗
通過流阻試驗或壓降試驗可驗證介質(zhì)種類、溫度、流速等參數(shù)與流道系統(tǒng)的關系,探究實際運行過程中系統(tǒng)的流阻及壓降情況,可助力產(chǎn)品結構設計優(yōu)化及工況
評論