一份關(guān)于國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)龍頭——上海微電子的介紹

編者按：近日，關(guān)于ASML的一則流言的傳出，又引起了國(guó)內(nèi)對(duì)***的關(guān)注。作為芯片產(chǎn)業(yè)的重要設(shè)備，***的意義是不言而喻的。值著這個(gè)機(jī)會(huì)，我們?cè)谶@里轉(zhuǎn)載一份關(guān)于國(guó)產(chǎn)***龍頭——上海微電子的介紹，幫助大家對(duì)本土這個(gè)領(lǐng)域有更深的了解。

上海微電子是在國(guó)家科技部和上海市政府共同推動(dòng)下，由國(guó)內(nèi)多家企業(yè)集團(tuán)和投資公司共同投資組建的高科技企業(yè)。公司成立于2002年，主要從事半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備以及高端智能裝備的設(shè)計(jì)制造銷(xiāo)售，其中光刻設(shè)備是公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)。公司在光刻設(shè)備領(lǐng)域擁有全國(guó)最先進(jìn)的技術(shù)。目前公司***可以應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中晶圓制造、封裝測(cè)試，以及平板顯示、高亮度 LED 等領(lǐng)域。

1.2 公司在大陸市場(chǎng)份額高，業(yè)績(jī)逐漸向好

公司是大陸光刻設(shè)備龍頭企業(yè)。目前公司所研發(fā)的高端前道***實(shí)現(xiàn)90nm制程。在中端先進(jìn)封裝***和LED***領(lǐng)域，公司技術(shù)領(lǐng)先，在中國(guó)大陸市場(chǎng)份額已經(jīng)超過(guò)80%。其先進(jìn)封裝***率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并遠(yuǎn)銷(xiāo)海外市場(chǎng)，獲得多項(xiàng)大獎(jiǎng)和技術(shù)認(rèn)證廣受業(yè)內(nèi)認(rèn)可。根據(jù)芯思想數(shù)據(jù)，上海微電子2018年出貨大概在50-60臺(tái)之間。

根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)，公司在半導(dǎo)體設(shè)備商中排名第5，是唯一上榜的專(zhuān)門(mén)研究銷(xiāo)售***的廠商。

公司具有強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，自主創(chuàng)新能力不斷提升。在國(guó)家的大力支持下，公司不斷通過(guò)引進(jìn)優(yōu)秀的人才壯大核心團(tuán)隊(duì)以進(jìn)一步提升公司的競(jìng)爭(zhēng)力和產(chǎn)品研發(fā)效率。根據(jù)國(guó)投高新，上海微電子目前研發(fā)隊(duì)伍不斷壯大，其中包括擁有卓越才能的國(guó)家千人計(jì)劃專(zhuān)家、上海市科技領(lǐng)軍人才、上海市技術(shù)學(xué)科帶頭人等重量級(jí)專(zhuān)業(yè)人才。根據(jù)企查查數(shù)據(jù)，公司近年來(lái)專(zhuān)利發(fā)布數(shù)量呈增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，這也顯示出上微自主創(chuàng)新能力不斷提升。截至2018年12月，SMEE直接持有各類(lèi)專(zhuān)利及專(zhuān)利申請(qǐng)超過(guò)2400項(xiàng)，同時(shí)公司通過(guò)建設(shè)并參與產(chǎn)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟，進(jìn)一步整合共享了大量聯(lián)盟成員知識(shí)產(chǎn)權(quán)資源，涉及光刻設(shè)備、激光應(yīng)用、檢測(cè)類(lèi)、特殊應(yīng)用類(lèi)等各大產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，全面覆蓋產(chǎn)品的主要銷(xiāo)售地域，使得公司競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力不斷提升。公司是國(guó)家重點(diǎn)扶持企業(yè)。上海微電子在國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)的支持下積極布局***制造。

上海微電子積極為 IPO 做準(zhǔn)備。根據(jù)證監(jiān)會(huì)公布的《上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司輔導(dǎo)備案基本情況表》，公司已經(jīng)在 2017 年 12 月27 日與中信建投證券股份有限公司簽署輔導(dǎo)協(xié)議并進(jìn)行輔導(dǎo)備案。

1.3 公司實(shí)控人是上海國(guó)資委

公司最大股東為上海電氣，股本占比達(dá)到32.09%。上海市國(guó)資委是公司的實(shí)際控制人，其通過(guò)電氣集團(tuán)、上?？仆丁⑻┝ν顿Y等股東合計(jì)持有公司 53.49%的股權(quán)。公司擁有4家全資子公司以及一家參股子公司。

***：高壁壘資本密集核心設(shè)備，市場(chǎng)廣闊龍頭集中

2.1 光刻技術(shù)是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程的關(guān)鍵設(shè)備

***應(yīng)用廣泛，包括IC前道***、用于封裝的后道***以及用于LED領(lǐng)域及面板領(lǐng)域的***等等。封裝***對(duì)于光刻的精度要求低于前道光刻要求，面板***與IC前道***工藝相比技術(shù)精度也更低，一般為微米級(jí)。IC前道***技術(shù)最為復(fù)雜，光刻工藝是IC 制造的核心環(huán)節(jié)，利用光刻技術(shù)可以將掩模版上的芯片電路圖轉(zhuǎn)移到硅片上。***是一種投影曝光系統(tǒng)，包括光源、光學(xué)鏡片、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)等。在制造過(guò)程中，通過(guò)投射光束，穿過(guò)掩膜板和光學(xué)鏡片照射涂敷在基底上的光敏性光刻膠，經(jīng)過(guò)顯影后可以將電路圖最終轉(zhuǎn)移到硅晶圓上。

***分為無(wú)掩模***和有掩模***。無(wú)掩模***可分為電子束直寫(xiě)***、離子束直寫(xiě)***、激光直寫(xiě)***。電子束直寫(xiě)***可以用于高分辨率掩模版以及集成電路原型驗(yàn)證芯片等的制造，激光直寫(xiě)***一般是用于小批量特定芯片的制造。有掩模***分為接觸/接近式***和投影式***。接觸式光刻和接近式***出現(xiàn)的時(shí)期較早，投影***技術(shù)更加先進(jìn)，圖形比例不需要為1:1，減低了掩膜板制作成本，目前在先進(jìn)制程中廣泛使用。隨著曝光光源的改進(jìn)，***工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小。

目前最先進(jìn)的***來(lái)自ASML的EUV***，采用13.5nm光源，最小可以實(shí)現(xiàn)7nm的制程。此設(shè)備的開(kāi)發(fā)難度更高，使用條件更復(fù)雜目前只有ASML攻破此項(xiàng)技術(shù)。因?yàn)樗形镔|(zhì)吸收EUV輻射，用于收集光（收集器），調(diào)節(jié)光束（照明器）和圖案轉(zhuǎn)移（投影光學(xué)器件）的光學(xué)器件必須使用高性能鉬硅多層反射鏡，并且必須容納整個(gè)光學(xué)路徑在近真空環(huán)境中，整個(gè)設(shè)備十分復(fù)雜。

芯片尺寸的縮小以及性能的提升依賴(lài)于光刻技術(shù)的發(fā)展。光刻設(shè)備光源波長(zhǎng)的進(jìn)一步縮小將推動(dòng)先進(jìn)制程的發(fā)展，進(jìn)而降低芯片功耗以及縮小芯片的尺寸。根據(jù)International Society for Optics and Photonics以及VLSI Research研究發(fā)現(xiàn)，高精度EUV***的使用將使die和wafer的成本進(jìn)一步減小，但是設(shè)備本身成本也會(huì)增長(zhǎng)。

目前光刻工藝是IC 制造中最關(guān)鍵也是最復(fù)雜步驟，***是目前成本最高的半導(dǎo)體設(shè)備，光刻工藝也是制造中占用時(shí)間比最大的步驟。其約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備成本30%，占芯片制造時(shí)間40%-50%。以***行業(yè)龍頭ASML為例，其研發(fā)投入每年在10億歐元左右，并且逐年增長(zhǎng)。

高端EUV價(jià)格不斷攀升。根據(jù)芯思想，2018年單臺(tái)EUV平均售價(jià)1.04億歐元，較2017年單臺(tái)平均售價(jià)增長(zhǎng)4%。而在2018年一季度和第四季的售價(jià)更是高達(dá)1.16億歐元。

2.2 ***市場(chǎng)空間廣闊，高低端市場(chǎng)格局迥異

2.2.1. ***市場(chǎng)龍頭集中，中低端市場(chǎng)廣闊競(jìng)爭(zhēng)激烈

***設(shè)備市場(chǎng)龍頭集中，EUV***被ASML壟斷。全球***出貨量99%集中在ASML，尼康和佳能。其中ASML份額最高，達(dá)到67.3%，且壟斷了高端EUV***市場(chǎng)。ASML技術(shù)先進(jìn)離不開(kāi)高投入，其研發(fā)費(fèi)用率始終維持在15%-20%，遠(yuǎn)高于Nikon和Canon。

ASML在高端EUV、ArFi、ArF機(jī)型市場(chǎng)占有率不斷提升。2017年ASML上述三種機(jī)型出貨量總計(jì)為101臺(tái)，市場(chǎng)份額占比為78.29%，到2018年ASML出貨量增長(zhǎng)到120臺(tái)，市場(chǎng)份額約90% 。2018年ASML共出貨224臺(tái)***，較2017年198年增加26臺(tái)，增長(zhǎng)13.13%。Nikon2018年度（非財(cái)年）***共出貨106臺(tái)，半導(dǎo)體用***出貨36臺(tái)，同比增長(zhǎng)33.33%，面板（FPD）用***出貨70臺(tái)。2018年Canon***出貨183臺(tái)，同比增1.6%。半導(dǎo)體用***出貨達(dá)114臺(tái)，增長(zhǎng)62.85%。但是主要是i-line、KrF兩個(gè)低端機(jī)臺(tái)出貨，其面板（FPD）用***出貨69臺(tái)。

IC前道***國(guó)產(chǎn)化嚴(yán)重不足。目前國(guó)內(nèi)***處于技術(shù)領(lǐng)先的是上海微電子，其最先進(jìn)的ArF光源***節(jié)點(diǎn)為90nm，中國(guó)企業(yè)技術(shù)整體較為落后，在先進(jìn)制程方面與國(guó)外廠商仍有較大差距。

Nikon 和 Canon 目前在高端市場(chǎng)技術(shù)與 ASML 相差甚遠(yuǎn)幾乎完全退出市場(chǎng)，Canon 也退出了 ArF 光源***研發(fā)與銷(xiāo)售，將其業(yè)務(wù)重點(diǎn)集中于中低端***市場(chǎng)，包括封裝***、LED ***以及面板***等，與復(fù)雜的 IC 前道制造相比，工藝要求和技術(shù)壁壘較低。

封裝***技術(shù)不斷發(fā)展，新技術(shù)不斷涌現(xiàn)。與前端區(qū)域相關(guān)。翹曲處理以及異質(zhì)材料對(duì)光刻技術(shù)構(gòu)成了巨大挑戰(zhàn)。此外，一些MEMS制造設(shè)備需要精確的層層對(duì)準(zhǔn)，步進(jìn)和掩模對(duì)準(zhǔn)器是目前大批量制造中使用的兩種主要光刻技術(shù)。激光直接成像（LDI）和激光燒蝕等新的光刻技術(shù)也不斷涌現(xiàn)。

中低端***需求量不斷增長(zhǎng)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇。根據(jù)Yole,2015-2020年先進(jìn)封裝、MEMS以及LED***出貨量將持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2020年總數(shù)將超過(guò)250臺(tái)/年。中低端市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)主要受先進(jìn)封裝的推動(dòng)，隨著步進(jìn)技術(shù)發(fā)展，2015年到2020年先進(jìn)封裝光刻設(shè)備出貨量年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到15%。MEMS光刻市場(chǎng)主要受益于IC前道制造***的重復(fù)使用與改裝。中低端***市場(chǎng)規(guī)模的不斷擴(kuò)大和相對(duì)于前道制造較低的技術(shù)壁壘，競(jìng)爭(zhēng)者數(shù)目較多，目前尼康與佳能是中低端市場(chǎng)兩大龍頭。

2.2.2.半導(dǎo)體產(chǎn)線升級(jí)為光刻設(shè)備帶來(lái)更大需求

晶圓尺寸變大和制程縮小將使產(chǎn)線所需的設(shè)備數(shù)量加大，性能要求變高。12寸晶圓產(chǎn)線中所需的***數(shù)量相較于8寸晶圓產(chǎn)線將進(jìn)一步上升，先進(jìn)制程的發(fā)展將進(jìn)一步提升對(duì)于***性能的要求。

隨著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和建廠潮的推動(dòng)和邊際需求改善，光刻設(shè)備市場(chǎng)將不斷增長(zhǎng)。根據(jù)Varianat Market Research，到2025年全球光刻設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模估計(jì)將達(dá)到4.917億美元; 從2017年到2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到為15.8％。

對(duì)接多元***市場(chǎng)需求，積極開(kāi)拓封裝、LED和平板顯示***業(yè)務(wù)3.公司前道***差距較大，后道封裝***優(yōu)勢(shì)明顯

3.1.1.公司前道***與國(guó)際先進(jìn)水平差距較大

公司IC前道***技術(shù)與國(guó)際先進(jìn)水平差距明顯。IC前道***研發(fā)迭代周期長(zhǎng)，耗資巨大，目前國(guó)際IC前道***霸主ASML已實(shí)現(xiàn)7 nm EUV光刻先進(jìn)工藝，而國(guó)內(nèi)龍頭上海微電子由于起步較晚且技術(shù)積累薄弱，目前技術(shù)節(jié)點(diǎn)為90 nm，且多以激光成像技術(shù)為主，客觀上與國(guó)際先進(jìn)水平存在較大差距。

依托國(guó)家專(zhuān)項(xiàng)公司率先實(shí)現(xiàn)90 nm制程，未來(lái)有望逐步實(shí)現(xiàn)45、28 nm。公司自2002年創(chuàng)立至今積極投入IC前道***產(chǎn)品研發(fā)，公司600系列步進(jìn)掃描投影***采用四倍縮小倍率的投影物鏡、工藝自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù)，及高速高精的自減振六自由度工件臺(tái)掩模臺(tái)技術(shù)，可滿(mǎn)足IC前道制造90nm、110nm、280nm光刻工藝需求，適用于8、12寸線的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。目前公司90nm 制程的IC前道***樣機(jī)已通過(guò)專(zhuān)家組現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試， 而90 nm為***的一個(gè)技術(shù)臺(tái)階，邁過(guò) 90 nm這一臺(tái)階就很容易實(shí)現(xiàn) 65 nm，再對(duì) 65 nm升級(jí)就可以實(shí)現(xiàn) 45 nm制程。在國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)的支持下，上海微電子的IC前道***有望在未來(lái)幾年實(shí)現(xiàn) 45 nm、28 nm制程，逐步縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距。

3.1.2.公司封裝***技術(shù)先進(jìn)，未來(lái)將依托于廣闊市場(chǎng)不斷發(fā)展

SIP封裝市場(chǎng)快速發(fā)展，公司封裝***市場(chǎng)空間廣闊。SIP封裝（System In a Package系統(tǒng)級(jí)封裝）將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)器件整合到同一封裝中，成為了IC封裝領(lǐng)域最高端的一種先進(jìn)封裝技術(shù)。在電子設(shè)備小型化、5G、IOT和市場(chǎng)周期變短等的多重因子推動(dòng)下，SIP市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)張，2016年全球系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)規(guī)模為54.4億美元，預(yù)計(jì)到2023年有望達(dá)90.7億美元，2016-2023年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)7.58%，SIP先進(jìn)封裝市場(chǎng)保持快速發(fā)展。

公司封裝***滿(mǎn)足各類(lèi)先進(jìn)封裝工藝需求，國(guó)內(nèi)及全球市占率分別達(dá)80%和40%。全球SIP需在不同芯片或器件間打通電流通路，節(jié)點(diǎn)不能過(guò)于精細(xì)，否則焦深不足將無(wú)法穿透，公司主打的500系列IC后道封裝***正好滿(mǎn)足這一要求。公司500系列封裝***國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到或接近國(guó)際先進(jìn)水平，具備超大視場(chǎng)，高產(chǎn)率生產(chǎn)、支持翹曲片鍵合片曝光、高精度套刻及溫控、多種雙面對(duì)準(zhǔn)和紅外可見(jiàn)光測(cè)量等特征，可以滿(mǎn)足各類(lèi)先進(jìn)封裝工藝的需求。公司封裝***已實(shí)現(xiàn)批量供貨，公司已成為長(zhǎng)電科技、日月光半導(dǎo)體、通富微電等封測(cè)龍頭企業(yè)的重要供應(yīng)商，并出口海外市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率高達(dá)80%，全球市場(chǎng)占有率達(dá)40%。

3.2 國(guó)內(nèi)LED市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)，公司LED***性能指標(biāo)領(lǐng)先

國(guó)內(nèi)LED市場(chǎng)快速擴(kuò)張，推動(dòng)LED***需求增長(zhǎng)。隨著LED行業(yè)產(chǎn)能逐漸向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)LED市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，從2011年的1545億元增長(zhǎng)至2017年LED市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5509億元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)23.6%，且LED行業(yè)趨勢(shì)轉(zhuǎn)好，市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)率連續(xù)七年超10%。國(guó)內(nèi)快速擴(kuò)張的LED市場(chǎng)規(guī)模，將進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)LED***需求。

公司LED/MEMS/功率器件***性能指標(biāo)領(lǐng)先，LED***市占率第一。公司300系列步進(jìn)投影***面向6英寸以下中小基底先進(jìn)光刻應(yīng)用領(lǐng)域，具備高分辨率（0.8um）、高速在線Mapping、高精度拼接及套刻、多尺寸基底自適應(yīng)、完美匹配Aligner和高產(chǎn)能等特征，滿(mǎn)足HB-LED、MEMS和Power Devices等領(lǐng)域單雙面光刻工藝需求，公司LED***各項(xiàng)性能指標(biāo)占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位，其中用于LED 制造的投影***市場(chǎng)占有率第一。

3.3 國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，公司積極開(kāi)拓FPD***市場(chǎng)?！?/p>

國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)業(yè)處于高速發(fā)展階段，市場(chǎng)發(fā)展空間巨大。隨著國(guó)內(nèi)FPD生產(chǎn)線的建設(shè)和陸續(xù)投產(chǎn)及下游電子設(shè)備應(yīng)用多元化發(fā)展，我國(guó)FPD產(chǎn)業(yè)步入快速發(fā)展時(shí)期，產(chǎn)能持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)商務(wù)部數(shù)據(jù)顯示，2013年國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)能僅為22百萬(wàn)平方米，而2017年國(guó)內(nèi)產(chǎn)能迅速增長(zhǎng)到96百萬(wàn)平方米，2013-2017年成長(zhǎng)率高達(dá)336.36%，預(yù)計(jì)2020年我國(guó)FPD產(chǎn)能將達(dá)到194百萬(wàn)平方米，2013-2020年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)36.48%，F(xiàn)PD市場(chǎng)保持高速增長(zhǎng)，發(fā)展空間巨大。

國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)能全球占比持續(xù)提升，至2017年中國(guó)成為全球第二大FPD供應(yīng)區(qū)。.在FPD產(chǎn)業(yè)逐漸向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移和中國(guó)大陸以京東方為首的FPD廠商投資力度加大的雙重作用下，國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)能全球占比持續(xù)提升。據(jù)商務(wù)部數(shù)據(jù)顯示，2013年國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)能全球占比僅為13.9%，2017年國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)能全球占比上升至34%，2013-2017年增長(zhǎng)率達(dá)144.60%，中國(guó)躍升為全球第二大FPD供應(yīng)區(qū)，預(yù)計(jì)2020年國(guó)內(nèi)FPD產(chǎn)能全球占比將提高至52%，屆時(shí)中國(guó)將成為全球最大的FPD生產(chǎn)基地。

尼康、佳能FPD光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，基本壟斷了FPD***市場(chǎng)。目前尼康和佳能受ASML擠壓基本已退至20億美金規(guī)模的低端平板顯示***市場(chǎng)，但兩者在FPD光刻領(lǐng)域具有絕對(duì)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

尼康FPD光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)：尼康在目前全球FPD光刻系統(tǒng)市場(chǎng)中占有最高份額；尼康FPD光刻系統(tǒng)采用多鏡頭掃描方法，實(shí)現(xiàn)了較高的精度和生產(chǎn)效率；隨著玻璃板每年變大，允許從它們切割更多數(shù)量的面板，有必要提高生產(chǎn)率，從而可以通過(guò)單次曝光來(lái)圖案化更寬區(qū)域上的電路。尼康公司基于其獨(dú)特的技術(shù)開(kāi)發(fā)了多鏡頭系統(tǒng)來(lái)解決這一問(wèn)題，為了有效曝光，尼康將多個(gè)鏡頭排成兩排，覆蓋了很大的曝光面積，最大的尼康FPD光刻系統(tǒng)FX -101有多達(dá)14個(gè)鏡頭排列成行，這些鏡頭被精確控制為一個(gè)巨大的鏡頭；目前最大的第10代玻璃板的尺寸達(dá)3.13×2.88米，尼康為這款Gen 10平板配備了尖端的FX-101S系統(tǒng)，能夠有效地生產(chǎn)超過(guò)60英寸的大尺寸面板；制造高清晰度FPD需要各種技術(shù)，包括通過(guò)透鏡的精確曝光，玻璃板的精確定位，玻璃板表面變形的測(cè)量和調(diào)整，尼康獨(dú)立開(kāi)發(fā)了這些技術(shù)并將其應(yīng)用于FPD光刻系統(tǒng)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高精度和高生產(chǎn)率；自1986年尼康在FPD制造領(lǐng)域推出NSR-L7501G以來(lái)，尼康開(kāi)發(fā)并銷(xiāo)售了大量的FPD光刻系統(tǒng)，尼康不僅是大型FPDs光刻系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，而且還為智能手機(jī)和平板電腦生產(chǎn)中小型高清FPDs提供理想的型號(hào)；

佳能FPD光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)：由于弧形的成像范圍使得獲得最佳成像特性成為可能，佳能的設(shè)備可以掃描弧形的曝光區(qū)域，從而在大面積范圍內(nèi)獲得高分辨率的性能；通過(guò)同時(shí)使用AS和OAS方法來(lái)觀察失真，佳能的混合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可以進(jìn)一步提高檢測(cè)時(shí)間和更精確的測(cè)量；為了解決之前曝光過(guò)程中產(chǎn)生的模式失真，佳能的高精度速度平臺(tái)對(duì)掃描速度和方向進(jìn)行了微調(diào)，在曝光過(guò)程中修正光刻板上的掩模圖形；利用非線性失真校正技術(shù)結(jié)合掃描校正機(jī)制，可以處理襯底上各種形狀的變形，并更準(zhǔn)確地將其與掩模上的圖案對(duì)齊。

公司積極參與FPD***市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，實(shí)現(xiàn)首臺(tái)4.5代TFT投影***進(jìn)入用戶(hù)生產(chǎn)線。公司200系列投影***采用先進(jìn)的投影***平臺(tái)技術(shù)，專(zhuān)用于AM-OLED和LCD顯示屏TFT電路制造，具備高精度（1.5um）、支持小Mask（6英寸）降低用戶(hù)使用成本和智能化校準(zhǔn)及診斷特征，可應(yīng)用于2.5代～6代的TFT顯示屏量產(chǎn)線。目前市場(chǎng)主流的OLED量產(chǎn)機(jī)型為6代，研發(fā)機(jī)型為2.5或4.5代，由于尼康及佳能不提供6代以下機(jī)型，公司6代以下機(jī)型全球領(lǐng)先。