學(xué)習(xí)隔離式反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

課程介紹

之前我們說(shuō)到了ΔI上升的斜率和上升的高度是Von來(lái)決定，下降的話當(dāng)然就是由Voff來(lái)決定，以及電感量還有ton的時(shí)間來(lái)決定高度。如果這幾個(gè)數(shù)值都下降的話，ΔI也會(huì)降下來(lái)，這樣頻率也會(huì)跌下來(lái)，L也就出來(lái)了。所以只要知道這幾個(gè)數(shù)IL、Von、ton以及頻率，這樣就可以將L求出來(lái)了。

于是我們需要找到這樣的一個(gè)關(guān)系，這個(gè)關(guān)系是所有電感都滿足的一個(gè)特性。我們知道電感有一個(gè)最樸實(shí)的公式V=L*(di/dt)。從這個(gè)公式我們可以看出來(lái)，di實(shí)質(zhì)上就是ΔI，也就是它的紋波，dt就是上升開(kāi)通的時(shí)間。所以由這個(gè)公式我們可以轉(zhuǎn)換為L(zhǎng)=Von*ton/ΔI。

學(xué)習(xí)獲得：

學(xué)習(xí)隔離式反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

1、反激開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)思路，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理框圖講解

2、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

3、經(jīng)典驅(qū)動(dòng)芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

4、頻率設(shè)計(jì)講解

5、吸收電路設(shè)計(jì)及作用講解

6、功率開(kāi)關(guān)管MOSFET的開(kāi)關(guān)速度，發(fā)熱因素及選型講解

7、輸出電路設(shè)計(jì)

8、MOSFET選型，吸收電路器件選型，輸出二極管選型，輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。

9、電流環(huán)設(shè)計(jì)

10、電壓環(huán)設(shè)計(jì)

11、經(jīng)典基準(zhǔn)電壓源TL431 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

12、光耦的應(yīng)用講解

13、TL431、光耦組合電路參數(shù)計(jì)算。

14、EMI設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單介紹

適宜學(xué)習(xí)人群：

1、如果你還是學(xué)生，正厭倦于枯燥的課堂理論課程，想得到電子技術(shù)研發(fā)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)；

2、如果你即將畢業(yè)或已經(jīng)畢業(yè)，想積累一些設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)憑此在激烈競(jìng)爭(zhēng)的就業(yè)大軍中脫穎而出，找到一份屬于自己理想的高薪工作；

3、如果你已經(jīng)工作，卻苦惱于技能提升緩慢，在公司得不到加薪和快速升遷；

4、如果你厭倦于當(dāng)前所從事的工作，想快速成為一名電子研發(fā)工程師從事令人羨慕的研發(fā)類工作。

專欄課程25個(gè)課時(shí)（點(diǎn)擊教程即可觀看）

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