多晶硅和單晶硅的區(qū)別

單晶硅具有兩種同晶，結(jié)晶和無(wú)定形。晶體硅進(jìn)一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導(dǎo)電的，但導(dǎo)電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導(dǎo)體特性。

單晶硅是現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可或缺的基礎(chǔ)材料，如日常生活中的電子計(jì)算機(jī)和自動(dòng)控制系統(tǒng)。電視，電腦，冰箱，電話，手表和汽車(chē)都與單晶硅材料密不可分。單晶硅作為技術(shù)應(yīng)用的流行材料之一，已經(jīng)滲透到人們生活的每個(gè)角落。

多晶硅是元素硅的一種形式。當(dāng)熔融的元素硅在過(guò)冷條件下固化時(shí)，硅原子以金剛石晶格形式排列成多個(gè)晶核。如果晶核生長(zhǎng)成具有不同晶體取向的晶粒，則晶粒結(jié)合并結(jié)晶成多晶硅。

多晶硅可以用作拉制單晶硅的原料，多晶硅和單晶硅之間的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)上。例如，就機(jī)械性能，光學(xué)性能和熱性能的各向異性而言，它比單晶硅更不明顯;就電性能而言，多晶硅晶體的導(dǎo)電性遠(yuǎn)低于單晶硅，甚至導(dǎo)電性也很差。

在化學(xué)活性方面，兩者之間的差異非常小。多晶硅和單晶硅在外觀上可以彼此區(qū)分，但真正的識(shí)別必須通過(guò)分析晶面取向，導(dǎo)電類(lèi)型和電阻率來(lái)確定。單晶硅電池具有高電池轉(zhuǎn)換效率和良好的穩(wěn)定性，但成本高。 早在20年前，單晶硅電池就突破了20％以上光電轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)壁壘。

多晶硅電池的成本低，轉(zhuǎn)換效率略低于Czochralski硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。 材料中的各種缺陷，例如晶界，位錯(cuò)，微缺陷和材料中的雜質(zhì)，例如碳和氧，以及工藝中的污染。 過(guò)渡金屬被認(rèn)為是多晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換率從不超過(guò)20％的門(mén)戶(hù)。 德國(guó)弗勞恩霍夫研究所的研究人員采用了這項(xiàng)新技術(shù)，是世界上首個(gè)使多晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率達(dá)到20.3％的國(guó)家。