西部數(shù)據(jù)正開發(fā)低延遲閃存 旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭

外媒報道稱，存儲大廠西部數(shù)據(jù)（WD）正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭。在本周的 Storage Field Day 上，西數(shù)透露該技術(shù)介于 3D NAND 與 DRAM 之間，類似于英特爾傲騰和三星 Z-NAND 。其訪問延遲在微妙級，使用 1-bit 或 2-bit 的存儲單元。

作為一款性能向的定制設(shè)備，LLF 存儲的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照當(dāng)下的每 GB 價格計算，其成本是 3D NAND 存儲的 20 倍。換言之，這項(xiàng)技術(shù)只會在數(shù)據(jù)中心或高端工作站普及開來。

西數(shù)沒有透露其低延遲閃存的所有細(xì)節(jié)，也無法說明它是否與去年推出的東芝 XL-Flash 低延遲3D NAND 或其它特殊類型的閃存的關(guān)聯(lián)有關(guān)。

至于實(shí)際的 LLF 產(chǎn)品將于何時上市，該公司不愿表態(tài)。即便西數(shù)的 LLF 基于 BiCS4 的 3D NAND 存儲技術(shù)打造，即日起開始生產(chǎn)的難度也不大。

有趣的是，盡管西數(shù)的低延遲閃存將與英特爾傲騰和三星 Z-NAND SSD 展開競爭，但該公司并未將 LLF 稱為“存儲級內(nèi)存”（SCM）。

從長遠(yuǎn)來看，西數(shù)正在秘密開發(fā)基于 ReRAM 的存儲級內(nèi)存產(chǎn)品，并與惠普攜手開發(fā)基于憶阻器的 SCM 硬件。

當(dāng)然，研發(fā)往往需要多年。在下一代技術(shù)投入使用前，業(yè)界還是會著力于更成熟的 NAND 閃存，來滿足客戶對于容量和性能的需求。