探究STM32H7芯片IAP跳轉(zhuǎn)失敗案例

有STM32用戶反饋，他在使用STM32H750VB編寫用戶引導(dǎo)程序【BOOT CODE】和應(yīng)用程序【APP CODE】。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)描述，STM32H750有128K Bytes的片內(nèi)flash，地址是從0x0800 0000~~0x0801 FFFF。他將用戶bootloader放在0x0800 0000~0x0800 2FFF，應(yīng)用程序放在0x08003000~0x0801 FFFF。但當(dāng)他按照這樣的存儲(chǔ)分配設(shè)計(jì)時(shí)，發(fā)現(xiàn)總是沒法實(shí)現(xiàn)從BOOT區(qū)到APP區(qū)的跳轉(zhuǎn)。

基于該用戶的反饋信息，給他做了些提醒，比如中斷矢量表定位問題，客戶都說(shuō)已經(jīng)注意到了，代碼應(yīng)該沒有問題。我這邊就客戶反饋的問題找了塊STM32H743的板做了驗(yàn)證測(cè)試。發(fā)現(xiàn)從BOOT區(qū)到APP區(qū)的跳轉(zhuǎn)并沒有異常，那么客戶怎么又有問題呢？

再次查看了客戶郵件的反饋信息。他用的默認(rèn)內(nèi)部SRAM區(qū)為AXI SRAM,地址區(qū)間在0x24000000 --0x2407FFFF,即下面表格中的A區(qū)，而我使用的默認(rèn)內(nèi)部SRAM區(qū)是DTCM SRAM，地址區(qū)間在0x20000000 -0x2001FFFF，即下面表格中的B區(qū)。

難道是這個(gè)差別導(dǎo)致跳轉(zhuǎn)的不同結(jié)果？當(dāng)然，這兩個(gè)SRAM區(qū)在使用上還是有差異的。

我嘗試著將測(cè)試工程的默認(rèn)SRAM區(qū)從TCM RAM也改成AXI SRAM進(jìn)行測(cè)試。果真沒法實(shí)現(xiàn)從BOOT區(qū)到APP區(qū)的跳轉(zhuǎn)！看來(lái)跳轉(zhuǎn)失敗跟選擇這個(gè)默認(rèn)SRAM區(qū)有關(guān)系。也就是說(shuō)當(dāng)我默認(rèn)使用DTCM RAM時(shí)跳轉(zhuǎn)正常,如果默認(rèn)使用AXI SRAM時(shí)會(huì)跳轉(zhuǎn)失敗。

我們知道，STM32H7系列芯片支持D-CACHE/I-CACHE。具體到這里，如果使用AXI SRAM往往會(huì)用到D-CACHE。我們的工程代碼里也的確開啟了D-CACHE,如果是因?yàn)檫@個(gè)原因，如果在做跳轉(zhuǎn)操作之前關(guān)閉D-CACHE應(yīng)該就能實(shí)現(xiàn)正常跳轉(zhuǎn)。 于是對(duì)代碼稍加調(diào)整，實(shí)際上也就是加了句關(guān)閉D-CACHE的代碼?！炯t色方框處】

再次進(jìn)行測(cè)試，此時(shí)即使使用AXI RAM做為默認(rèn)內(nèi)存空間，從用戶BOOT區(qū)也能可靠跳轉(zhuǎn)到APP區(qū)，完美實(shí)現(xiàn)。

這里涉及到STM32H7系列芯片內(nèi)部不同存儲(chǔ)區(qū)的訪問特性和D-Cache相關(guān)知識(shí)，細(xì)節(jié)還是挺多的。有興趣的話，可以自行查看相關(guān)技術(shù)手冊(cè)做進(jìn)一步的了解和探究。有時(shí)間，后續(xù)將在這里做進(jìn)一步交流。此時(shí)分享該應(yīng)用案例，一做應(yīng)用提醒，二做拋磚引玉。