三星電子成功開發(fā)5G基站RFIC

2月22日韓聯(lián)社報導， 三星電子今天表示，它已成功開發(fā)出第五代（5G）基站的射頻集成電路（RFIC）。

三星電子表示，毫米波（mmWave）頻段的覆蓋范圍已從800MHz擴展到1.4GHz，大大提高了數(shù)據(jù)傳輸速度。芯片尺寸小型化約36％。

據(jù)三星稱，該芯片降低了相位噪聲，使其能夠處理更清晰的無線電信號。

使用28GHz或39GHz mmWave頻譜頻段的國家，如美國和韓國，是RFIC部署的主要目標市場。

這張由三星電子提供的照片顯示了第五代RFIC。（韓聯(lián)社）

該公司表示，三星將在今年第二季度開始商業(yè)化生產(chǎn)新的5G芯片，并在今年內(nèi)開發(fā)出24GHz和47GHz頻譜的芯片。

此外，該公司還宣布開發(fā)數(shù)字/模擬前端（DAFE）ASIC，這是5G芯片組的另一個核心組件。DAFE是模擬和數(shù)字之間轉(zhuǎn)換的關鍵，可將尺寸，重量和功耗降低約25％。

“三星正憑借其創(chuàng)新解決方案（包括低功耗RFIC和DAFE ASIC）建立其5G領先地位，開創(chuàng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型的新時代，”三星網(wǎng)絡業(yè)務研發(fā)主管Jeon Jae-ho說?！拔覀兒芨吲d地宣布我們完成了對這些新芯片組的開發(fā)，這些芯片組將在推動技術進步的同時發(fā)揮重要作用?！?/p>