當(dāng)開關(guān)電源完成初步設(shè)計后就可以進行下一步的優(yōu)化設(shè)計了,所謂優(yōu)化設(shè)計就是為當(dāng)前的方案選取最合適的器件以及為選取的器件配置最優(yōu)的參數(shù)。開關(guān)電源中對效率影響較大的是開關(guān)管(包括二極管)和磁性元件(包括導(dǎo)線),在以往的設(shè)計參考資料中會給出一些一般取值,當(dāng)建立了損耗模型后估計可以用公式把這些最優(yōu)參數(shù)推導(dǎo)出來而不再依賴經(jīng)驗值了。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
184文章
17719瀏覽量
250215 -
ti
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
8082瀏覽量
212443 -
MOSEFT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
35瀏覽量
4416
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
高壓柵極驅(qū)動器的功率損耗分析
應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路,驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?!陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損
二極管的反向恢復(fù)損耗定義
二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而,在二極管的實際應(yīng)用中,反向恢復(fù)損耗是一個不容忽視的問題。本文將對二極管的反向恢復(fù)
MOSFET驅(qū)動器功耗有哪些
功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對于MOSFET驅(qū)動器而言,其功耗主要由三部分組成:驅(qū)動損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
開關(guān)電源的損耗跟輸出有關(guān)系嗎,開關(guān)電源的損耗主要包括哪些內(nèi)容
開關(guān)電源在工作過程中會產(chǎn)生一定的損耗,這些損耗主要表現(xiàn)為兩種形式:一種是在輸出端產(chǎn)生的功率損耗,另一種是在電源內(nèi)部產(chǎn)生的能量損耗。在電源內(nèi)部
德州儀器高端開關(guān)的接地損耗和電池損耗設(shè)計
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《德州儀器高端開關(guān)的接地損耗和電池損耗設(shè)計.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-25 11:04
?0次下載
影響MOSFET開關(guān)損耗的因素
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開關(guān)損耗是電子工程中一個關(guān)鍵的性能參數(shù),它直接影響到電路的效率、熱設(shè)計和可靠性。
如何減少開關(guān)電源的導(dǎo)通損耗
減少開關(guān)電源的導(dǎo)通損耗是提升電源效率、降低能耗的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。導(dǎo)通損耗主要來源于電流通過開關(guān)管、導(dǎo)線、二極管
開關(guān)電源MOS管的主要損耗
影響電源的效率,還可能導(dǎo)致MOS管過熱、性能下降甚至損壞。以下將詳細分析開關(guān)電源MOS管的主要損耗類型,并探討如何減少這些損耗。
一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道,但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道的電流都很大,導(dǎo)致晶體管內(nèi)的功耗很高。在
功率器件熱損耗計算和選型要求
對于常見功率器件,整流橋,電解電容,IGBT,MOS管,這些功率器件的熱損耗功率該怎么計算?
尤其是電解電容,在母線支撐電路中,受到母線電壓跌落幅值的影響功率損耗很大,所以在常規(guī)的38
發(fā)表于 06-12 16:44
如何減少MOS管的損耗
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中扮演著重要角色,然而其在實際應(yīng)用中的損耗問題也是不容忽視的。為了減少MOS
開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計算和預(yù)測技術(shù)介紹
本文詳細介紹了開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計算和預(yù)測技術(shù),并討論了提高開關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點,以選擇最合適的芯片來達到高效指標(biāo)。
反激CCM模式的開通損耗和關(guān)斷損耗詳解
的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),開關(guān)損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵,但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上。電源工程師們都知道
開關(guān)電源場管電流計算公式
開關(guān)電源場效應(yīng)管電流計算主要是通過場效應(yīng)管工作狀態(tài)來確定的。場效應(yīng)管是一種基于半導(dǎo)體材料的電子元件,它可以控制電流的流動,適用于高頻和高功率的電路應(yīng)用。在
評論