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WBG功率器件的仿真技巧研究

新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細(xì)的分析了開關(guān)性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.

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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的

發(fā)表于 01-13 17:36 ?253次閱讀

<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計基礎(chǔ)（十二）——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

發(fā)表于 01-06 17:05 ?192次閱讀

<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計基礎(chǔ)（十一）——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問題

DOH：DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果

發(fā)表于 12-24 06:41 ?233次閱讀

DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>散熱問題

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率

發(fā)表于 12-23 17:31 ?341次閱讀

<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)函數(shù)

功率器件封裝新突破：納米銅燒結(jié)連接技術(shù)

、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，以及相對較低的成本，在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進展，從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭

發(fā)表于 12-07 09:58 ?490次閱讀

<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>封裝新突破：納米銅燒結(jié)連接技術(shù)

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

：RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對 WBG 柵極驅(qū)動器應(yīng)用進行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料，因其開關(guān)更快且損耗更低，相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢。對于需要關(guān)鍵考量高效率和高

發(fā)表于 09-27 15:05 ?826次閱讀

<b class='flag-5'>WBG</b> <b class='flag-5'>器件</b>給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率

發(fā)表于 09-11 10:44 ?612次閱讀

碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

三菱電機功率器件發(fā)展史

三菱電機從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了

發(fā)表于 07-24 10:17 ?701次閱讀

三菱電機<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>發(fā)展史

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個，一是

發(fā)表于 07-19 11:21 ?883次閱讀

IGBT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗

功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域

功率器件，也稱為功率電子器件，是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分，它們具備處理高電壓和高電流的能力，是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對功率

發(fā)表于 07-16 16:01 ?4906次閱讀

大功率器件散熱裝置設(shè)計探討

摘要：針對某大功率器件的散熱需求，基于傳熱路徑和流動跡線，進行了一種內(nèi)嵌熱管的高效風(fēng)冷散熱裝置的設(shè)計研究，并進行了仿真計算。計算結(jié)果顯示散熱符合設(shè)計要求，表明此高效散熱裝置設(shè)計方案可行

發(fā)表于 06-09 08:09 ?606次閱讀

大<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>散熱裝置設(shè)計探討

如何利用 GaN 功率器件實現(xiàn)出色的中等功率電機變頻器

們往往無法滿足關(guān)鍵變頻器應(yīng)用對性能和效率的更高要求。氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù)，在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改進和進步，設(shè)計人員可以利用 GaN 器件達(dá)成上述目標(biāo)。GaN

發(fā)表于 05-05 10:51 ?550次閱讀

如何利用 GaN <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>實現(xiàn)出色的中等<b class='flag-5'>功率</b>電機變頻器

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅

發(fā)表于 04-29 11:49 ?1436次閱讀

SiC功率器件先進互連工藝研究

共讀好書杜隆純何勇劉洪偉劉曉鵬（湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心）摘要：針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗

發(fā)表于 03-05 08:41 ?593次閱讀

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用

隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率

發(fā)表于 02-22 09:19 ?838次閱讀

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