SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器（SCM）克服了NAND閃存的局限性，這使得接管成為必然。

存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器（SCM），能夠如同NAND閃存一樣保留其內(nèi)容的能力，也能有像DRAM一樣的的速度，這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。

這就是HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone的預(yù)測。但他補(bǔ)充說，這需要一些時(shí)間。

“這不會(huì)在一夜之間發(fā)生; 它變得經(jīng)濟(jì)可行只是時(shí)間問題，但它最終會(huì)接管。也許10年后?！埃嬖V我。

在每個(gè)字節(jié)的基礎(chǔ)上，SCM的成本比閃存高出四倍。目前只有兩家供應(yīng)商：英特爾和三星。英特爾以O(shè)ptane品牌銷售它并以企業(yè)為目標(biāo)，英特爾的Optane HPE將其用于其存儲(chǔ)陣列。

三星的產(chǎn)品名為Z-SSD，現(xiàn)在專注于消費(fèi)者，并計(jì)劃在今年晚些時(shí)候向OEM提供樣品。據(jù)說東芝和Western Digital也在開發(fā)自己的SCM產(chǎn)品。

除了更換NAND閃存外，Iannaccone還認(rèn)為SCM使用的NVMe協(xié)議將取代目前存儲(chǔ)陣列中使用的SCSI / SAS接口?！埃F(xiàn)實(shí)是NVMe是一種更加精簡的記憶方式。存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存SCM的行為更像內(nèi)存，延遲更低?！埃f。

由于閃存的固有設(shè)計(jì)，SCM在這塊要好很多。性能問題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫入。將數(shù)據(jù)寫入閃存驅(qū)動(dòng)器時(shí)，無法覆蓋舊信息。它必須在其他地方寫入一個(gè)新數(shù)據(jù)塊，并在磁盤I / O暫停時(shí)刪除舊文件。

因?yàn)槟阍谝郧暗膶懭胫罂偸窃谇謇?，它?huì)導(dǎo)致一些不穩(wěn)定，這就是媒體行為的方式。

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

憑借其覆蓋文件的能力，寫入數(shù)據(jù)所需的時(shí)間要短得多，SCM為9ms，NAND為90ms至100ms。此外，您沒有媒體的不可預(yù)測性，因?yàn)槟鷽]有運(yùn)行后臺(tái)進(jìn)程來優(yōu)化媒體。

英特爾以多種外形銷售Optane。3PAR為其存儲(chǔ)陣列而非服務(wù)器提供PCI Express附加卡。它們充當(dāng)存儲(chǔ)陣列SSD和服務(wù)器內(nèi)存之間的緩存。通過增加大約3TB的SCM，3PAR在Oracle基準(zhǔn)測試中實(shí)現(xiàn)了30％的性能提升，同時(shí)價(jià)格提升了5％。

最終，Iannaccone認(rèn)為SCM能夠從其物理位置分解并充當(dāng)多個(gè)存儲(chǔ)陣列的緩存，并且所有其他陣列都與具有SCM內(nèi)存的陣列通信。

“SCM仍然相當(dāng)昂貴，因此我們將其用作緩存和智能算法層來制作緩存，”他說。

隨著SCM的成本下降并且作為閃存的替代品變得更加可行，用例將分裂。對(duì)于大容量存儲(chǔ)，每千兆字節(jié)將有一個(gè)更合適的價(jià)值，并且將有一個(gè)性能層來優(yōu)化I / O。