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平地春雷到“風(fēng)林火山” 憶芯蛻變

MZjJ_DIGITIMES ? 來(lái)源:lq ? 2019-01-24 10:38 ? 次閱讀

凜冽寒風(fēng)不能吹散“中國(guó)芯”的熱情,1月22日風(fēng)林火山—憶芯STARBLAZE新品發(fā)布會(huì)在黃浦江畔舉行。

這是繼2017年底,憶芯科技發(fā)布公司首顆SSD控制芯片——STAR1000后,憶芯再度祭出升級(jí)版新品——STAR1000P,以期在國(guó)產(chǎn)芯中占據(jù)有利位置。

平地春雷到“風(fēng)林火山” 憶芯蛻變

此次發(fā)布會(huì)上,憶芯對(duì)外推出了第二代NVMe SSD控制器——STAR1000P。據(jù)介紹,STAR1000P,走PCIe 3.0 x4通道,支持NVMe 1.3規(guī)范,可支持8個(gè)閃存通道、最大掛載32TB閃存容量,兼容市面主流的3D TLC/MLC。

性能方面,STAR1000P實(shí)現(xiàn)了3.5GB/s和3.2GB/s的順序讀寫(xiě)以及600K IOPS以上的隨機(jī)讀寫(xiě)性能,最低8us的寫(xiě)延遲,助力數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵應(yīng)用。STAR1000P除支持國(guó)際AES加密標(biāo)準(zhǔn)以外,也全面支持中國(guó)商密(SM2/3/4) 安全方案。此外,官方還強(qiáng)調(diào)了極佳的低功耗表現(xiàn),號(hào)稱在全性能模式下僅2W左右。

高級(jí)特性上,STAR1000P采用憶芯科技第三代StarLDPC糾錯(cuò)碼技術(shù),同時(shí)此芯片增強(qiáng)了NVMe PI,EEEC, In-line ECC等軟錯(cuò)誤處理技術(shù),以滿足工業(yè)及企業(yè)級(jí)高可靠性要求。

憶芯CEO沈飛

憶芯CEO沈飛表示:“STAR1000P正式研發(fā)始于2017年10月9日,其中包含了40名硬件工程師,經(jīng)過(guò)286個(gè)日夜,提交310萬(wàn)行設(shè)計(jì)驗(yàn)證代碼,解決了552個(gè)JIRA和66項(xiàng)專利。終于在2018年7月16日正式流片,并于今天發(fā)布,將會(huì)在2019年4月份完成量產(chǎn)版本。”

而在此之前,憶芯已于2017年底推出了STAR1000P的前身——國(guó)內(nèi)首款商用NVMe SSD控芯片STAR1000。

其疾如風(fēng),其徐如林,侵掠如火,不動(dòng)如山,本應(yīng)應(yīng)用在戰(zhàn)場(chǎng)上的兵法此時(shí)拿來(lái)套用在憶芯的發(fā)布會(huì),也毫無(wú)違和感。據(jù)沈飛介紹,“風(fēng)林火山”分別對(duì)應(yīng)憶芯發(fā)布的四款解決方案。

風(fēng):STAR1200C,高性能、低功耗NVMe消費(fèi)級(jí)解決方案;

林:OC SSD,基于定制化Open-Channel接口的數(shù)據(jù)中心解決方案;

火:STAR1200E,低功耗、高性能NVMe企業(yè)級(jí)解決方案;

山:DeepSSD,賦能監(jiān)控市場(chǎng)KV存儲(chǔ)應(yīng)用,有效加速數(shù)據(jù)聚類、分組計(jì)算。

從2017年的平地春雷到2018年的風(fēng)林火山,從1000到1000P,沈飛表示:“我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)從跟跑變成領(lǐng)跑,從配合客戶開(kāi)發(fā),到如今帶著完整的四大方案,完成了屬于自己的蛻變?!?/p>

值得一提的是,據(jù)沈飛的透露,憶芯還將祭出“大招”——智能存儲(chǔ)主控STAR2000。按照憶芯規(guī)劃,STAR2000于2018年11月正式開(kāi)始研發(fā),計(jì)劃2019年下半年開(kāi)始流片。除了性能上的提升,順序讀性能>7.2GB/s,隨機(jī)讀性能>1.6M IOPS,STAR2000還集成多簇多核CPU,支持CNN硬件加速和NAND存內(nèi)計(jì)算?!?

存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化之路 能否吹響勝利號(hào)角?

國(guó)內(nèi)一直處于“缺芯少魂”的尷尬境地,2018年的國(guó)產(chǎn)芯熱潮并沒(méi)有改變太多境況。據(jù)海關(guān)總署公布的數(shù)據(jù),2018年全年,我國(guó)集成電路的進(jìn)口額3120.58億美元,同比增長(zhǎng)19.8%。2018年Q1,中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口額達(dá)146.72億美元,同比猛增75.4%。

此外,大韓貿(mào)易投資振興公社及半導(dǎo)體行業(yè)周四發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2017年中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口總額達(dá)886.17億美元,同比增長(zhǎng)38.8%。中國(guó)是全球最大的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),國(guó)內(nèi)總存儲(chǔ)的消耗量占全球的50%,然而,根據(jù)政府發(fā)布的報(bào)告,國(guó)內(nèi)自主開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額幾乎為零。

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)副秘書(shū)長(zhǎng)宮承和

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)副秘書(shū)長(zhǎng)宮承和在發(fā)布會(huì)上也表示,現(xiàn)今國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)水平上高端、高性能、高可靠的芯片設(shè)計(jì)以及生產(chǎn)相對(duì)落后,整體上還需一定時(shí)間。

盡管存在一定的差距,但在受制于人多年后,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯也開(kāi)始以新玩家的身份進(jìn)入賽道。

目前,在閃存方面有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)入局且進(jìn)展順利。2017年年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)出32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片;2018年底,32層3D NAND FLASH已經(jīng)推出;按照紫光的計(jì)劃,在2019年底前還將推出64層產(chǎn)品。此外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還對(duì)外公布了其全新的3D NAND架構(gòu) Xtacking。

更值得一提的是,2018年12月,紫光存儲(chǔ)與群聯(lián)達(dá)成了戰(zhàn)略合作協(xié)議。此次合作之后,未來(lái)有可能出現(xiàn)長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)NAND閃存,群聯(lián)提供主控,紫光存儲(chǔ)做品牌,推出紫光自己的SSD產(chǎn)品。

而在主控芯片,作為國(guó)內(nèi)SSD主控的重要玩家,聯(lián)蕓科技于2016年3月推出其首款支持3D NAND閃存顆粒的SSD主控器(MAS080X)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);2017年5月推出的MAS090X系列SSD主控器可支持全球目前推出的所有已經(jīng)量產(chǎn)3D NAND閃存顆粒。

盡管在半導(dǎo)體領(lǐng)域還與世界存在一定差距,但隨著摩爾定律的放緩,人工智能還未形成標(biāo)準(zhǔn),宮承和認(rèn)為,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體有可能實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē),“現(xiàn)在是一個(gè)好的追趕時(shí)間節(jié)點(diǎn)?!彼硎荆?018年是中國(guó)芯片蓬勃發(fā)展的一年,2019年也將會(huì)是“國(guó)產(chǎn)芯”創(chuàng)造新奇跡的一年。

憶芯CEO沈飛認(rèn)為:“經(jīng)過(guò)2017年存儲(chǔ)顆粒價(jià)格飛漲,到2018年的下跌,該市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始洗牌,我們希望更多公司能和我們一起在世界市場(chǎng)上大展身手?!?/p>

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原文標(biāo)題:【IC設(shè)計(jì)】國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片“新奇跡” 憶芯風(fēng)林火山崛起

文章出處:【微信號(hào):DIGITIMES,微信公眾號(hào):DIGITIMES】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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