1 前言
隨著電子產(chǎn)品與技術(shù)的不斷發(fā)展創(chuàng)新,電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)概念逐漸走向輕薄、短小,印刷電路板(PCB)的設(shè)計(jì)也在向小孔徑、高密度、多層數(shù)、細(xì)線路的方向發(fā)展。而伴隨線路板層數(shù)厚度增加和孔徑的減小,產(chǎn)品通孔厚徑比增加明顯,PTH加工難度逐漸加大,易導(dǎo)致孔內(nèi)無(wú)金屬現(xiàn)象頻發(fā)。針對(duì)此類(lèi)問(wèn)題,本文通過(guò)藥水異常、特殊設(shè)計(jì)及生產(chǎn)操作等方面介紹深孔電鍍?cè)赑TH過(guò)程中孔內(nèi)無(wú)金屬現(xiàn)象產(chǎn)生的具體原因,并根據(jù)不同原因確定預(yù)防及改善措施,確保PTH良好,保證后續(xù)深孔電鍍效果。
2 線路板PTH原理
PTH也稱(chēng)電鍍通孔,主要作用是通過(guò)化學(xué)方法在絕緣的孔內(nèi)基材上沉積上一層薄銅,為后續(xù)電鍍提供導(dǎo)電層,從而達(dá)到內(nèi)外層導(dǎo)通的作用。PTH主要流程如下圖1所示:
圖1 PTH流程圖
其中,涉及化學(xué)反應(yīng)如下所示:
活化:Pd2++2Sn2+→[PdSn]2+——在溶液中反應(yīng)形成不穩(wěn)定絡(luò)合物
[PdSn]2+→Pd+Sn4++Sn2+——大部分絡(luò)合物被還原成金屬鈀
SnCl2+H2→Sn(OH)Cl+HCl——活化后水洗時(shí)SnCl2水解生成堿式錫酸鹽沉淀
隨著SnCl沉淀,Pd核也一起在活化的基材表面沉積
沉銅:HCHO+OH-→H2+HCHOO-——Pd作為催化劑時(shí),該步反應(yīng)才能得以進(jìn)行
Cu+H2+OH-→Cu+2H2O——銅離子在堿性條件下被還原成金屬銅
PTH后孔內(nèi)結(jié)構(gòu)如下圖2所示:
圖2 化學(xué)鍍銅沉積示意圖
3 PTH 孔內(nèi)無(wú)銅產(chǎn)生原因分析及改善措施
由于深孔電鍍產(chǎn)品縱橫比較高,導(dǎo)致在PTH過(guò)程中,孔內(nèi)藥水交換困難,極易出現(xiàn)孔內(nèi)無(wú)金屬現(xiàn)象。線路板PTH流程孔內(nèi)無(wú)金屬切片形態(tài)明顯,不同原因所造成孔內(nèi)無(wú)金屬現(xiàn)象相近,需仔細(xì)分析區(qū)分才能辨別出造成該缺陷真正原因,根據(jù)不同切片形態(tài),可將PTH孔內(nèi)無(wú)金屬分為如表3.1中三大類(lèi):
3.1 藥水異常類(lèi)
藥水異常所造成PTH孔內(nèi)無(wú)金屬缺陷主要表現(xiàn)為孔內(nèi)星點(diǎn)裝PTH不良,缺陷處圖電銅包裹板電銅,缺陷示意圖如下圖3:
圖3 藥水異常PTH孔內(nèi)無(wú)金屬示意圖
3.1.1 產(chǎn)生原因
A. 活化劑中鈀離子含量不足,導(dǎo)致在活化的過(guò)程中無(wú)法形成足夠的膠體鈀沉積在基材表面,在后續(xù)沉銅過(guò)程中,缺少鈀離子催化從而導(dǎo)致孔壁沉銅不良,引起孔內(nèi)無(wú)金屬缺陷。
B. 活化缸內(nèi)滲入微小氣泡,引起缸內(nèi)膠體鈀水解,使活化缸喪失活化功能,孔內(nèi)無(wú)法沉積銅層。
C. 溶液內(nèi)PH值過(guò)低,由于化學(xué)沉銅需要在強(qiáng)減性條件下才能進(jìn)行,PH過(guò)低時(shí)甲醛還原能力下降,影響沉銅反應(yīng)速率,造成沉銅不良。
D. 沉銅缸內(nèi)絡(luò)合劑不足,導(dǎo)致部分銅離子生成氫氧化銅沉淀,銅缸內(nèi)沒(méi)有足夠的銅離子進(jìn)行反應(yīng)來(lái)沉積到孔壁內(nèi)側(cè),導(dǎo)致沉銅不良發(fā)生。
3.1.2 改善措施
在PTH生產(chǎn)過(guò)程中,對(duì)于活化缸及沉銅缸,應(yīng)保證缸內(nèi)各個(gè)組分維持在正常的工藝濃度范圍內(nèi),以保證化學(xué)反應(yīng)的有序進(jìn)行。除此之外,缸內(nèi)PH及溫度等也會(huì)影響孔壁內(nèi)側(cè)沉銅效果,應(yīng)持續(xù)對(duì)其監(jiān)控。
活化缸內(nèi)膠體鈀受細(xì)小氣泡影響,極易產(chǎn)生水解,因此,應(yīng)保證缸內(nèi)管道無(wú)漏氣現(xiàn)象,保證膠體鈀的正常反應(yīng)。
3.2 特殊設(shè)計(jì)類(lèi)
此類(lèi)原因所造成孔內(nèi)無(wú)金屬切片形態(tài)主要表現(xiàn)為缺陷處明顯圖電銅包裹板電銅,同時(shí)缺陷處存在內(nèi)層銅被電鍍加厚現(xiàn)象,如下示意圖4:
圖4 特殊設(shè)計(jì)孔內(nèi)無(wú)金屬示意圖
3.2.1 產(chǎn)生原因
對(duì)于深孔電鍍產(chǎn)品,縱橫比往往較大,在這種情況下,孔內(nèi)藥水交換速率下降明顯,導(dǎo)致PTH過(guò)程中孔中心部沉銅層往往不夠致密。
在這種情況下,若板內(nèi)孔存在如下圖5所示設(shè)計(jì),則在PTH后板電過(guò)程中,內(nèi)層銅A處因縱橫比過(guò)大沉銅層相比于B處不夠致密,導(dǎo)致在板電通電后電勢(shì)高于B處,因B處通過(guò)內(nèi)層銅與C相導(dǎo)通,故雖然A較C更接近孔口,但電勢(shì)仍較高,吸收銅離子能力小于C點(diǎn)。另深孔電鍍?cè)诎咫娺^(guò)程中,孔內(nèi)溶液交換速度較慢,孔內(nèi)銅離子相對(duì)較少。
基于以上兩點(diǎn),在板電過(guò)程中,A處在原本銅離子相對(duì)較少的情況下,因電勢(shì)原因吸收銅離子能力再次下降,直接導(dǎo)致其電鍍銅層厚度不足,A處在后續(xù)工序(外層圖形及圖形電鍍)前處理因損銅造成孔內(nèi)開(kāi)路,從而引起孔內(nèi)無(wú)金屬缺陷。
圖5 孔內(nèi)沉銅厚度差異示意圖
3.2.2 預(yù)防措施
針對(duì)此類(lèi)設(shè)計(jì)上的問(wèn)題,在保證設(shè)計(jì)原稿不變更的情況下,可以適當(dāng)調(diào)整沉銅及板電參數(shù),以保證A處銅厚足夠,避免在后續(xù)流程中損銅開(kāi)路。
主要方法可以將原沉銅時(shí)間延長(zhǎng)或在完成一次沉銅后,將板從預(yù)浸缸再次進(jìn)板沉銅,保證沉銅層厚度;還可以在一次沉銅后,小電流短時(shí)間(8ASF*30min)板電,板電后從除油缸進(jìn)板再次進(jìn)行沉銅,然后在板電將孔銅加厚至足夠;此外還可以在沉銅條件不變的情況下,適當(dāng)降低板電電流密度,延長(zhǎng)電鍍時(shí)間,保證孔內(nèi)銅離子足夠及鍍層均勻。
3.3 生產(chǎn)操作類(lèi)
生產(chǎn)操作類(lèi)造成PTH孔內(nèi)無(wú)金屬主要為設(shè)備異常及違規(guī)操作,切片特點(diǎn)主要有孔內(nèi)殘存異物、孔內(nèi)缺陷處圖電銅包裹板電銅等,其缺陷示意圖如下圖6:
圖6 生產(chǎn)操作孔內(nèi)無(wú)金屬示意圖
3.3.1 產(chǎn)生原因
生產(chǎn)操作所造成孔內(nèi)無(wú)金屬主要為PTH前去毛刺和PTH過(guò)程中活化及沉銅缸設(shè)備異常所造成,主要異常有:PTH前去毛刺段后處理高壓水洗異常,導(dǎo)致孔內(nèi)鉆屑銅粉等異物無(wú)法及時(shí)排出,造成后續(xù)PTH過(guò)程中,孔內(nèi)藥水無(wú)法正常交換,從而導(dǎo)致孔內(nèi)沉銅不良;此外,在PTH過(guò)程中,活化缸及沉銅缸內(nèi)振動(dòng)及氣頂異常停止或振動(dòng)幅度頻率不合格也會(huì)造成孔內(nèi)氣泡無(wú)法及時(shí)排出,影響孔內(nèi)藥水交換,導(dǎo)致沉銅異常,從而引起孔內(nèi)無(wú)金屬缺陷。
3.3.2 改善措施
針對(duì)高縱橫比產(chǎn)品,在PTH及前處理去毛刺過(guò)程中務(wù)必保證設(shè)備處于正常工作狀態(tài),此外,對(duì)于此類(lèi)深孔電鍍產(chǎn)品,可是當(dāng)更改工藝參數(shù),以保證孔內(nèi)清潔和足夠的藥水交換。
在前處理去毛刺可采用正常去一次毛刺后再額外進(jìn)行高壓搖擺水洗,對(duì)產(chǎn)品孔內(nèi)進(jìn)行再次清潔;此外可在加工高縱橫比產(chǎn)品時(shí)適當(dāng)提高PTH活化缸及沉銅缸電振幅度,可將原2.5m/s提高至3m/s,從而保證在PTH過(guò)程中,孔內(nèi)無(wú)氣泡殘存。
4 總結(jié)
針對(duì)深孔電鍍產(chǎn)品板厚較厚,孔徑較小,縱橫比高的特點(diǎn),為保證在PTH過(guò)程中消除孔內(nèi)無(wú)金屬缺陷,需對(duì)設(shè)備、工藝參數(shù)以及工藝流程等進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整,以保證孔內(nèi)PTH質(zhì)量。具體措施如下:
A. PTH前去毛刺后,再多進(jìn)行一次高壓搖擺水洗,以清除孔內(nèi)鉆屑等異物。
B. PTH過(guò)程中保證各缸尤其是活化及沉銅缸藥水、溫度計(jì)PH參數(shù)都處在正常工藝范圍內(nèi)。
C. PTH過(guò)程中適當(dāng)提高活化缸及沉銅缸電振幅度,由原2.5m/s提高至3m/s。
D. 一次PTH后將板從預(yù)浸缸再次進(jìn)板,額外沉銅一次;或者在PTH一次后,板電用8ASF電鍍30NIN后再次從除油缸進(jìn)板沉銅;保證孔內(nèi)銅層均勻性。
E. PTH后板電需采用小電流長(zhǎng)時(shí)間,以保證孔內(nèi)銅離子足夠保證孔壁電鍍效果。
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原文標(biāo)題:【技術(shù)】PCB板深孔電鍍孔無(wú)銅缺陷成因及改善
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