作為PC產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導者,英特爾的一舉一動都影響著PC行業(yè)未來方向和發(fā)展。在剛剛過去的CES 2019上,英特爾終于為PC行業(yè)帶來又一劑強心針——10nm。有人說,別人家都出7nm了,你英特爾為什么還在說10nm?
制程工藝的意義僅僅在于那個數(shù)字嗎?
事實上,制程工藝的數(shù)字往往代表的只是一個節(jié)點,真正的性能強弱還是要靠底層技術(shù)優(yōu)化。半導體芯片性能表現(xiàn)主要通過晶體管數(shù)量和排列優(yōu)化來實現(xiàn),單位面積內(nèi)集成的晶體管數(shù)量越多,邏輯單元排列越合理,性能越強,這是硬道理。英特爾在14nm制程節(jié)點強化了五代,性能潛力挖掘的過程就是對晶體管集成數(shù)量和排列優(yōu)化的極致探索。而英特爾突破10nm瓶頸,將制程節(jié)點正式推進到10nm,這正說明英特爾已經(jīng)在10nm的優(yōu)化上取得了進展。
此外,英特爾對于10nm制程節(jié)點的看重在某種程度上要超過7nm,因為10nm制程節(jié)點使用到的很多技術(shù),包括超微縮、晶體管技術(shù)等,對于推進7nm制程演進有著至關(guān)重要的意義,在10nm制程節(jié)點做好積累,正所謂厚積薄發(fā),未來7nm制程的推進上將會更加順利,而且爆發(fā)力也會更加強悍。
10nm微架構(gòu)突破細致解讀
說回到10nm。
本屆CES 2019發(fā)布會上,英特爾一口氣公布了10nm制程下的四大應用方向,其中包括PC、服務器、全新的封裝技術(shù)以及5G。這從一個側(cè)面反映出英特爾在為10nm做準備的過程中,不僅僅考慮到了眼前的領(lǐng)域,同時還考慮到了一些前沿領(lǐng)域的拓展。至少在我看來,英特爾10nm刀一出鞘,即是成熟的殺招,未有絲毫拖泥帶水。
英特爾10nm制程面向四大領(lǐng)域
在消費級領(lǐng)域,英特爾推出了10nm Ice Lake處理器,首次集成Sunny Cove微架構(gòu)。搭載其核心的OEM產(chǎn)品最早將于今年圣誕節(jié)前后與大家見面。
其實在CES之前的英特爾Architecture Day上,英特爾就已經(jīng)公布了Sunny Cove微架構(gòu)的一些信息。近年來英特爾在14nm制程上的潛力挖掘已經(jīng)接近極限,因此10nm制程處理器發(fā)布之后,架構(gòu)將比以往更為重要。
Sunny Cove微架構(gòu)主要聚焦在ST單核性能、全新ISA及并行性三個方面的優(yōu)化和改進。從英特爾官方給出的解釋來看,Sunny Cove微架構(gòu)主要解決以下四個問題:
其一、增強的微架構(gòu),可并行執(zhí)行更多操作。
其二、可降低延遲的新算法。
其三、增加關(guān)鍵緩沖區(qū)和緩存的大小,可優(yōu)化以數(shù)據(jù)為中心的工作負載。
其四、針對特定用例和算法的架構(gòu)擴展。例如,提升加密性能的新指令,如矢量AES和SHA-NI,以及壓縮/解壓縮等其它關(guān)鍵用例。
對于處理器來說,IPC強弱與CPU性能有直接關(guān)系。英特爾在Sunny Cove微架構(gòu)IPC性能提升方式上給出了三個字:更深(deeper)、更寬(wider)、更智能(smarter)。
更深方面,Sunny Cove微架構(gòu)表現(xiàn)在L1容量的增加,從32KB增加到48KB,而且L2緩存、uop、TLB緩存都更大。
更寬主要體現(xiàn)在執(zhí)行管線上,Sunny Cove微架構(gòu)分配單元從4個增加到5個,執(zhí)行接口從8個增加到10個,L1 Store帶寬翻倍。
而想要讓更深、更寬發(fā)揮出應用的實力,那么就需要有更好的算法。Sunny Cove的smarte就是為此而設計。英特爾研究院院長宋繼強在解答這個問題時主要提及兩個方面,其一是提高分支預測精度,其二是減少延遲。另外英特爾還為Sunny Cove微架構(gòu)配置了加密解密指令集,并在AI、存儲、網(wǎng)絡、矢量等方面進行全方位改進。因此對于PC用戶來說,無論是消費級還是服務器用戶,Sunny Cove微架構(gòu)帶來的變化要比10nm這個制程節(jié)點數(shù)據(jù)更有意義。
由此可見,英特爾10nm制程架構(gòu)處理器本身具備足夠強的基礎參數(shù),為行業(yè)創(chuàng)新鋪下基石。
3D封裝讓創(chuàng)新有更多可能
此外,10nm制程創(chuàng)新不僅僅在于處理器本身提供的空間,F(xiàn)overos 3D封裝技術(shù)更值得關(guān)注。
Foveros 3D封裝技術(shù)主要解決的是工藝問題。它能夠?qū)⒉煌に囍g的芯片混搭封裝在一起,并且通過3D堆疊的方式減小體積,增強性能與功能。CES 2019發(fā)布會期間英特爾展示了首款通過Foveros 3D封裝技術(shù)打造LakeField主板,內(nèi)含有10nm高性能Ice Lake核心,同時還搭配有低功耗的Tremont核心,并整合了22nm工藝的IO核心,這個結(jié)構(gòu)就是我們所說的大小核結(jié)構(gòu),主要為移動市場準備。
在一塊主板上集成功能、功耗、性能不同的大小核,最直接的收益是對體積和功耗的優(yōu)化。LakeField整體長度只有5個美分大小,待機功耗2mW。其中大核負責高負載運算,而當計算機處于低負載應用時,切換到小核心處理自然能夠解決功耗散熱等問題。這是Foveros 3D封裝技術(shù)的價值所在,也是英特爾10nm制程節(jié)點為行業(yè)創(chuàng)新帶來的最大亮點。
英特爾為PC產(chǎn)業(yè)鋪下了創(chuàng)新路
英特爾在10nm制程節(jié)點的布局上拼的并非是10nm制程工藝本身,而是圍繞10nm制程打造的完整生態(tài)體系。這個體系包含了我們提到的消費級、服務器處理器,也包含了前沿的Foveros 3D封裝技術(shù)甚至5G、無人駕駛等前沿領(lǐng)域的芯片技術(shù),同時也包含了一般用戶看不見摸不著,但最終能夠感受得到的微架構(gòu)技術(shù)的優(yōu)化。
PC產(chǎn)業(yè)的前行很大程度上依賴于英特爾等等這些上游企業(yè)的努力,而PC產(chǎn)品形態(tài)、性能、功能等層面的演進,更是與底層芯片技術(shù)無法分割開來。英特爾10nm制程落地,其意義不在于制程節(jié)點的演進,而在于為PC行業(yè)未來的發(fā)展和創(chuàng)新鋪下了一條平滑的路,在此基礎之上,OEM廠商才有了再去做更多創(chuàng)新的動力,才有了可以充分施展拳腳的舞臺,這才是英特爾10nm之于PC行業(yè)的意義所在。
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原文標題:突破10nm之后,英特爾為PC產(chǎn)業(yè)鋪下了創(chuàng)新路
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