三星量產(chǎn)7nm EUV與臺(tái)積電一較高下

三星前不久發(fā)布的2018年Q4季度財(cái)報(bào)指引顯示三星當(dāng)季盈利會(huì)大幅下滑，同比跌減少9%，環(huán)比減少38.5%，而盈利暴跌的主要原因就是三星智能手機(jī)業(yè)務(wù)低迷，還有最關(guān)鍵的存儲(chǔ)芯片降價(jià)，這個(gè)趨勢會(huì)一直持續(xù)到今年上半年。

為了彌補(bǔ)存儲(chǔ)芯片降價(jià)周期帶來的影響，三星早就開始強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)了，要趕超臺(tái)積電，而這就要跟后者搶先進(jìn)工藝量產(chǎn)時(shí)間了。根據(jù)三星高管所說，他們今年下半年會(huì)量產(chǎn)7nm EUV工藝，2021年則會(huì)量產(chǎn)更先進(jìn)的3nm GAA工藝。

Tomshardware網(wǎng)站報(bào)道，三星晶圓代工業(yè)務(wù)市場副總Ryan Sanghyun Lee表示三星從2002年以來一直在開發(fā)GAA（ Gate-All-Around）技術(shù)，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能。

根據(jù)他的消息，三星將在2021年量產(chǎn)3nm GAA工藝。

去年底，三星宣布將在2020年使用4nm GAA工藝。業(yè)內(nèi)觀察人士，如Garner副總裁Samuel Wang對2022年之前量產(chǎn)GAA技術(shù)表示懷疑，不過他現(xiàn)在也說三星看起來可能比預(yù)期更早地將GAA芯片投入生產(chǎn)。

只不過三星關(guān)于3nm GAA工藝何時(shí)量產(chǎn)的說法似乎并沒有一個(gè)統(tǒng)一的表態(tài)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Eun Seung Jung去年12月在IEDM會(huì)議上表示三星已經(jīng)完成了3nm工藝技術(shù)的性能驗(yàn)證，并且在進(jìn)一步完善該工藝，目標(biāo)是在2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

3nm GAA工藝不論是在2020年還是2021年量產(chǎn)，現(xiàn)在都還有點(diǎn)遠(yuǎn)，三星今年主推的是7nm EUV工藝，預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)——盡管三星去年就宣布7nm EUV工藝能夠量產(chǎn)了，實(shí)際上之前所說的量產(chǎn)只是風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，遠(yuǎn)沒有達(dá)到 規(guī)模量產(chǎn)的底部，今年底量產(chǎn)才是有可能的。

在7nm EUV工藝上，臺(tái)積電之前也宣布今年量產(chǎn)，看起來三星的進(jìn)度優(yōu)勢也沒有了，不過三星在7nm EUV工藝上有自己開發(fā)的光罩檢查工具，而其他家還沒有類似的商業(yè)工具。