0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星電子、SK海力士、美光三大巨頭不約而同地要開始刻意控制產(chǎn)能了

中國半導體論壇 ? 來源:lq ? 2019-01-08 14:19 ? 次閱讀

據(jù)報道,2019年內(nèi)存制造商試圖通過減緩產(chǎn)能擴張的手段,來避免價格競爭并保持盈利能力。2019年,DRAM市場產(chǎn)量的總資本支出預計約為180億美元,同比減少10%。

美光宣布將資本支出削減至30億美元,產(chǎn)能增幅從20%下修到15%左右;SK海力士2019年的資本支出將減少至55億美元;三星宣布終止其平澤工廠的產(chǎn)能擴張,三星半導體年產(chǎn)量增長率降至20%左右,創(chuàng)歷史新低。

這兩年,DRAM芯片和內(nèi)存條價格經(jīng)歷了一波瘋漲,如今已經(jīng)慢慢回歸理智,而在另一方面,NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕,SSD固態(tài)硬盤的價格也是持續(xù)走低,性價比越來越高。

但是這對于內(nèi)存、閃存芯片廠商來說,并不是好消息,三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產(chǎn)能了。

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財務電話會議上表示,當前DRAM內(nèi)存芯片市場查能過剩、庫存持續(xù)增加,導致價格下跌、拖累產(chǎn)業(yè)。

美光預計明年內(nèi)存芯片產(chǎn)能增幅為15%,低于此前預期的20%,NAND閃存芯片也只會增長35%,低于此前預計的35-40%。

為了解決供過于求的問題,美光計劃將明年全年的資本支出下調(diào)12.5億美元降至95億美元,以減少DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片產(chǎn)能。

不過產(chǎn)能調(diào)整需要時間,美光預計可能要明年下半年才會恢復供需平衡。

同時,三星、SK海力士也有類似的減產(chǎn)計劃,三星更是會增加晶圓代工市場份額,以彌補芯片降價帶來的損失。

市調(diào)機構IC Insights預計,明年半導體行業(yè)的整體資本支出可能會比今年減少12%,其中三星、Intel、SK海力士、臺積電、美光三巨頭合計減少14%,其他減少約7%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關注

    關注

    40

    文章

    2320

    瀏覽量

    183693
  • 美光
    +關注

    關注

    5

    文章

    715

    瀏覽量

    51444
  • 固態(tài)硬盤

    關注

    12

    文章

    1468

    瀏覽量

    57462

原文標題:手法真多!三星、美光、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導體論壇】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    三星SK海力士市值份額差距縮至13年最小

    韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
    的頭像 發(fā)表于 10-28 15:44 ?540次閱讀

    SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體

    隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第季度初步財務報告,市場焦點轉向其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預
    的頭像 發(fā)表于 10-08 15:58 ?705次閱讀

    三星、SK海力士正全力推進HBM產(chǎn)能擴張計劃

    近期,科技界傳來重要消息,三星SK海力士大半導體
    的頭像 發(fā)表于 08-29 16:43 ?925次閱讀

    市場規(guī)模達739.億美元!三星電子SK海力士進軍化合物功率半導體領域

    近日,韓國兩大科技巨頭三星電子SK海力士正計劃擴展其業(yè)務領域,進軍功率半導體市場。這一戰(zhàn)略舉措不僅標志著兩家公司對未來技術趨勢的預判,也是
    的頭像 發(fā)表于 07-05 11:11 ?634次閱讀
    市場規(guī)模達739.億美元!<b class='flag-5'>三星</b><b class='flag-5'>電子</b>與<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>進軍化合物功率半導體領域

    HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰(zhàn)

    雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領軍企
    的頭像 發(fā)表于 07-03 09:28 ?569次閱讀

    三星、SK海力士通用DRAM產(chǎn)線開工率維持80%~90%

    在半導體存儲行業(yè),三星電子SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術和產(chǎn)能占據(jù)市場的重要地位。然
    的頭像 發(fā)表于 06-24 11:26 ?765次閱讀

    TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星SK海力士提供首批樣品

    近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨家向三星電子SK海力士提供6款以上
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:30 ?868次閱讀

    三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

    在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星SK海力士大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:54 ?598次閱讀

    2024年第一季度SK海力士研發(fā)投入超1萬億韓元

    隨著半導體行業(yè)的復蘇,兩大巨頭三星電子SK海力士紛紛加大研發(fā)(R&D)費用與基礎設施投資。據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 05-20 09:49 ?512次閱讀

    三星電子SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產(chǎn)能售罄

    全球知名存儲芯片制造巨頭三星SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-15 09:23 ?464次閱讀

    、SK海力士三星擬上調(diào)存儲芯片價格,數(shù)據(jù)中心需求強勁成為主因

    臺灣東部花蓮地區(qū)4月3日發(fā)生強烈地震之后,、SK海力士、三星紛紛暫停存儲芯片報價,三星雖未受
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:30 ?551次閱讀

    剛剛!SK海力士出局!

    來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨家供貨,SK
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:12 ?645次閱讀

    三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術

    三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循SK海力士首次使用的技術。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 11:00 ?754次閱讀

    三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競爭加劇

    近日,據(jù)報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 15:33 ?813次閱讀

    三星電子SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃

    三星電子SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:35 ?669次閱讀