旺宏電子確定支出約1.9億人民幣與IBM合作開發(fā)相變化存儲(chǔ)器

旺宏電子董事會(huì)決議通過明年新增資本支出新臺(tái)幣 8.65 億元（約1.9億人民幣），并繼續(xù)與 IBM 合作開發(fā)相變化存儲(chǔ)器。

盡管存儲(chǔ)器行情明年不被看好，但旺宏對(duì)于未來(lái)展望仍審慎樂觀，預(yù)期高端快閃型存儲(chǔ)器如 NOR Flash 等市場(chǎng)仍會(huì)持續(xù)成長(zhǎng)，產(chǎn)品價(jià)格應(yīng)還算穩(wěn)定。且在今年 10 月底通過資本支出預(yù)算為新臺(tái)幣 142 億元，自第 4 季起開始投資，以提升公司 12 英寸晶圓廠高端產(chǎn)能及研發(fā)需求。

董事長(zhǎng)吳敏求于此前法說會(huì)時(shí)曾強(qiáng)調(diào)，將把制程從 36 納米升級(jí)至 19 納米，以強(qiáng)化 NAND Flash 的競(jìng)爭(zhēng)力。且自 2001 年開始，旺宏就已成立前瞻技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，并且投入相變化存儲(chǔ)器的研發(fā)，2004 年與 IBM 簽署「合作研發(fā)相變化非揮發(fā)性存儲(chǔ)器」聯(lián)盟協(xié)定，如今過了十幾年，仍然沒有放棄。

相變化存儲(chǔ)器（Phase-change memory，PCM）是一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器裝置，其特色是使用硫族化物玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫?qū)俨ＡУ奶匦允峭高^改變溫度可以成為晶體或非晶體并具有不同的電阻，以此來(lái)儲(chǔ)存不同的數(shù)值，是未來(lái)可能取代快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)之一，目前許多國(guó)際大廠如英特爾、三星等都有投入研發(fā)。

IBM 指出，PCM 的速度比現(xiàn)有的快閃存儲(chǔ)器快近百倍，而讀寫次數(shù)甚至可達(dá)千萬(wàn)次，而英特爾和美光在近年所推出的 3D Xpoint 技術(shù)更號(hào)稱是比閃存快 1，000 倍的技術(shù)。目前 PCM 的試驗(yàn)品已展現(xiàn)出極佳的性能，尤其是制程的進(jìn)步將使 PCM 技術(shù)趨于成熟，但降低成本恐怕才是最大的挑戰(zhàn)。目前在中國(guó)方面也有消息稱，江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體即將于明年第一季量產(chǎn) PCM 存儲(chǔ)器。

雖然 PCM 存儲(chǔ)器技術(shù)看似即將成熟，但到普及恐怕還需要一點(diǎn)時(shí)間，但為了因應(yīng)新興科技的發(fā)展，高速儲(chǔ)存裝置仍然是不可或缺的技術(shù)，也是市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。旺宏表示，記憶形式的儲(chǔ)存級(jí)存儲(chǔ)器是未來(lái)的趨勢(shì)。