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存儲(chǔ)器三雄修正擴(kuò)產(chǎn)步伐 內(nèi)存“暴利”大勢(shì)已去?

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:工程師曾暄茗 ? 2018-12-22 10:26 ? 次閱讀

對(duì)于存儲(chǔ)器廠商而言,很難想象,冬天可以來得這么快。從2018年開始,NAND閃存價(jià)格已出現(xiàn)疲軟,并將持續(xù)到2019年,而DRAM內(nèi)存價(jià)格在第三季度也由漲轉(zhuǎn)跌,美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光公司也受此影響而進(jìn)行業(yè)務(wù)調(diào)整。

12月19日,美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光公司發(fā)布了截至11月29日的2019財(cái)年一季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示,美光當(dāng)季營(yíng)收79.1億美元,同比增長(zhǎng)16%,環(huán)比下降6%;凈利潤(rùn)32.9億美元,同比增長(zhǎng)23%,環(huán)比下滑24%。然而,賺錢帶來的興奮卻無法抵御寒潮的來襲,美光指出其客戶“需求減弱”并且“近期可見度有限”。

美光預(yù)計(jì),2019年DRAM和NAND需求將減弱,因此下調(diào)了第二財(cái)季的營(yíng)收,預(yù)計(jì)為57億到63億美元之間,低于分析師預(yù)期的72.6億美元,美光股價(jià)在盤后下跌近9%。美光公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在此次財(cái)報(bào)會(huì)議上表示,“我們正采取果斷行動(dòng),包括大幅降低2019財(cái)年12.5億美元的資本開支”,以減少NAND 及DRAM產(chǎn)量維持價(jià)格。

由于擔(dān)心芯片需求環(huán)境可能進(jìn)一步惡化,并對(duì)利潤(rùn)施加更多壓力,投行 Needham 的分析師 Rajvindra Gill 將美光的評(píng)級(jí)從買入下調(diào)至持有,并表示“雖然我們對(duì)于在此估值水平下調(diào)降評(píng)級(jí)感到猶豫不決,但我們認(rèn)為整體需求環(huán)境至少在未來 6 個(gè)月內(nèi)仍將維持低迷,因此我們轉(zhuǎn)向觀望?!?/p>

對(duì)于美光而言,雖然已經(jīng)從2018年64.66美元股價(jià)高點(diǎn)下跌超過50%,但似乎還有一段路要走。

存儲(chǔ)三雄調(diào)整產(chǎn)能 因應(yīng)市場(chǎng)變局

調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布的《The McClean Report》報(bào)告指出,繼DRAM廠于2017年第4季之后,DRAM平均售價(jià)(以及隨后的市場(chǎng)增長(zhǎng))已經(jīng)處于或接近其峰值,DRAM產(chǎn)業(yè)可能將經(jīng)歷長(zhǎng)期間的景氣向下格局。

IC Insights表示,在過去兩年中DRAM 制造商一直處于接近滿載狀態(tài),2017年資本支出跳增81%,今年持續(xù)攀升40%,這導(dǎo)致DRAM 價(jià)格穩(wěn)步上升,并為供應(yīng)商帶來可觀的利潤(rùn)。但是,這種情況預(yù)計(jì)未來供給將淹沒市場(chǎng),為價(jià)格趨緩的先期指標(biāo)之一,而這將使得“冬天”恐達(dá)2年之久。

面對(duì)著內(nèi)存市場(chǎng)的寒冬來臨,除了美光,三星與SK海力士也紛紛進(jìn)行業(yè)務(wù)調(diào)整,“彌補(bǔ)損失”。目前,這三者在DRAM產(chǎn)業(yè)的全球市場(chǎng)份額達(dá)到90%以上。

三星目前已經(jīng)削減了存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃以阻止價(jià)格進(jìn)一步下滑,其表示2018年DRAM內(nèi)存的產(chǎn)量位元增長(zhǎng)率(bit growth)將低于年初預(yù)測(cè)的20%,而NAND閃存的位元增長(zhǎng)率將為30%(此前預(yù)測(cè)為40%)。同時(shí),根據(jù)相關(guān)消息顯示,三星2019年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%。

另一邊,SK海力士在此前的2018Q3財(cái)報(bào)會(huì)議上亦表示,將調(diào)整在2019年第1季末開始量產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的M15工廠產(chǎn)能,以降低SK海力士對(duì)DRAM的依賴。而位于無錫的C2工廠,也將把原來2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生產(chǎn)制程,優(yōu)化成1xnm(10nm后期)的產(chǎn)品,以降低生產(chǎn)成本,并將在2019年第2季量產(chǎn)。至于,以生產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器為主的M11工廠,則將把2D NAND Flash轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)3D NAND Flash,也是因?yàn)榫蜕a(chǎn)成本來進(jìn)行的考量。

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原文標(biāo)題:存儲(chǔ)器三雄修正擴(kuò)產(chǎn)步伐 內(nèi)存“暴利”好光景已逝?

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