利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書看下。下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制的“0”和“1”。
源極和漏極之間是溝道,當(dāng)沒有對(duì)柵極(G)施加電壓的時(shí)候,溝道中不會(huì)聚集有效的電荷,源極(S)和漏極(S)之間不會(huì)有有效電流產(chǎn)生,晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。可以把這種關(guān)閉的狀態(tài)解釋為“0”。 當(dāng)對(duì)柵極(G)施加電壓的時(shí)候,溝道中會(huì)聚集有效的電荷,形成一條從源極(S)到漏極(D)導(dǎo)通的通道,晶體管處于開啟狀態(tài),可以把這種狀態(tài)解釋為“1”。這樣二進(jìn)制的兩個(gè)狀態(tài)就由晶體管的開啟和關(guān)閉狀態(tài)表示出來了。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理
場(chǎng)效應(yīng)晶體管,英語名稱為Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管,是一種通過對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件??煞譃榻Y(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道,接下來我們就以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例來對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理進(jìn)行說明。
對(duì)應(yīng)于三極管的基極、集電極和發(fā)射極,場(chǎng)效應(yīng)管分別是柵極、漏極和源極。在其柵-源間加負(fù)向電壓、漏-源間加正向電壓以保證場(chǎng)效應(yīng)管可以正常工作。所加負(fù)向電壓越大,在PN結(jié)處所形成的耗盡區(qū)越厚,導(dǎo)電溝道越窄,溝道電阻越大,漏極電流越小;反之,所加負(fù)向電壓越小,在PN結(jié)處所形成的耗盡區(qū)越薄,導(dǎo)電溝道越厚,溝道電阻越小,漏極電流越大。由此通過控制柵-源間所加負(fù)向電壓完成了對(duì)溝道電流的控制。
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