英特爾迎2年空窗期，臺積電將遙遙領(lǐng)先！

英特爾(Intel Corp.)距離推出10納米服務(wù)器芯片、將有長達2年的空窗期，Raymond James證券認為，臺積電的技術(shù)將遙遙領(lǐng)先。另外，該證券并認定半導體景氣進入下降循環(huán)，沖擊費城半導體指數(shù)在周二(9月25日)下挫。

CNBC、MarketWatch、barron`s.com報導，Raymond James分析師Chris Caso 25日以次世代制程技術(shù)問題將產(chǎn)生長期影響為由，將英特爾(Intel Corp.)的投資評等調(diào)降至“表現(xiàn)遜于市場”。

根據(jù)報告，10納米制程技術(shù)延遲投產(chǎn)，是英特爾最大的策略性問題，兩年內(nèi)都無法推出10納米服務(wù)器芯片的空窗期，將替競爭對手創(chuàng)造領(lǐng)先優(yōu)勢，也許差距永遠都無法追上。

英特爾甫于7月宣布，其10納米制程芯片要等到明(2019)年假期旺季才會釋出。Caso直指，英特爾原地踏步(standing still)，為超微(AMD)代工芯片的臺積電卻勇往直前，等到英特爾終于發(fā)布10納米服務(wù)器芯片之際，臺積電早已遙遙領(lǐng)先。Caso并指出，英特爾的CPU短缺問題在7-9月當季繼續(xù)延燒，部分PC OEM已轉(zhuǎn)單給超微。

另外，Caso在訪談了亞洲的芯片供應(yīng)鏈之后，認定景氣已進入下降循環(huán)，他對整個半導體產(chǎn)業(yè)的看法也轉(zhuǎn)趨保守。Analog Devices、Microchip與ON Semiconductor的投資評等都從“表現(xiàn)優(yōu)于市場”被調(diào)降至“表現(xiàn)與市場一致”。

英特爾25日應(yīng)聲下跌2.13%、收45.91美元，拖累費城半導體指數(shù)走勢。臺積電ADR 25日也下跌1.6%、收44.17美元。費城半導體指數(shù)25日終場則下挫1.7%(23.64點)、收1,364.82點。