上電時實現(xiàn)延時系統(tǒng)復(fù)位的IC,reset IC
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上電時實現(xiàn)延時系統(tǒng)復(fù)位的IC
技術(shù)分類: 模擬設(shè)計 微處理器與DSP | 2008-02-26
來源:EDN | 作者:Goh Ban Hok, Infineon Technologies Asia Pacific Ltd, Singapore
通過給晶體管增加一些電容、二極管和電阻,使用保持時間可調(diào)的復(fù)位IC,將純手動復(fù)位轉(zhuǎn)換為自動復(fù)位。
在大多數(shù)應(yīng)用中,(手動復(fù)位)引腳通常與開關(guān)相連,為管理芯片制造手動復(fù)位信號。隨后,在預(yù)先設(shè)定的有效延時時間后,其從低電平有效復(fù)位回到高電平狀態(tài)。手動復(fù)位適用于大多數(shù)應(yīng)用;然而,它需要人為干涉產(chǎn)生復(fù)位信號。在一些應(yīng)用中,手動復(fù)位存在爭議,因為系統(tǒng)每次上電時都要執(zhí)行。
更進一步,包括嵌入式處理器在內(nèi)的應(yīng)用需要復(fù)位輸出為保持高電平——也就是說,非有效——在應(yīng)用復(fù)位或低有效之前的某個時期。如圖1電路在設(shè)備上電時無需按下復(fù)位鍵的情況下,被證實是有效的,因為在復(fù)位的低信號到來之前,復(fù)位自動以預(yù)先設(shè)定的保持時間發(fā)生。
電路使用帶引腳和低有效輸出的復(fù)位管理芯片。通常輸入的內(nèi)部上拉電阻為20到50kΩ。上電期間,內(nèi)部電阻將電容C1充電到正向最大值VDD。為管理芯片產(chǎn)生復(fù)位輸入,其輸入必須接收低有效的地信號,需要晶體管Q1導通。這個導通的時間長度取決于R1和C2的RC時間常數(shù)。這兩個器件決定Q1什么時候?qū)?,從而為輸出提供保持時間可調(diào)的高電平。為增加保持時間,增加R1和C2的RC時
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