電子元器件在被用于組裝成各類電子設備而實際應用于市場時,需要面對外部各種應激反應。例如,電子設備掉落時引起的物理應變,冷熱溫差引起的熱應變,通電時的電應變等。以這些外部應變?yōu)檎T因,在產(chǎn)品使用時,有電子元器件發(fā)生故障的案例。因此,村田從各電子元器件的設計階段開始,研究外部應變與故障發(fā)生的機理,并反饋至電子元器件的可靠性設計中。同時,通過把握外部應變的強度與故障發(fā)生的時間?概率之間的關(guān)系,確立"外部應變與故障發(fā)生的加速模型",以便在更短的試驗時間內(nèi)可對電子元器件的耐用年數(shù)進行評價。
作為加速模型的具體案例,針對多層陶瓷電容器的耐用年數(shù)的溫度?電壓加速性進行說明。一般情況下,多層陶瓷電容器由電絕緣體(電介質(zhì))構(gòu)成,對于連續(xù)通電,具有高度可靠性。
例如,安裝在汽車發(fā)動機附近的控制模塊,在使用時,周圍環(huán)境的溫度會隨之升高。
圖1所示即為在這樣的高溫環(huán)境下通電時,電容器使用的陶瓷材料內(nèi)部狀態(tài)。
在陶瓷材料內(nèi)部含量極少的原子等級的電荷缺陷會從+極(正極)向-極(負極)移動。
以鈦酸鋇為代表的電陶瓷,在進行燒制工藝時,結(jié)晶構(gòu)造內(nèi)部包含了極少量的原子級缺陷(稱為氧空位),其可通過外部施加的電壓緩慢移動,不久便會累積在-極附近,最終可能會破壞陶瓷絕緣性。
如此,多層陶瓷電容器的耐用年數(shù)(壽命)取決于陶瓷材料中氧空位的移動速度與量,在確立模型時應將產(chǎn)品使用時的環(huán)境溫度與負荷電壓作為參數(shù)。通常情況下,采用阿倫尼烏斯方程的加速模型可廣泛適用,但作為簡便的推算方法,也可采用以下經(jīng)驗公式。
通過這個關(guān)系式,在更嚴格的條件下(更高的溫度,更高的電壓)進行加速試驗,可預估產(chǎn)品在實際使用環(huán)境下的耐用年數(shù)。
在此,讓我們嘗試對比多層陶瓷電容器的加速試驗與實際產(chǎn)品的預設使用環(huán)境。此時,電容器的加速試驗中耐久試驗時間表示為LA,實際使用環(huán)境下的相當年數(shù)表示為LN,來用于上述公式。
如此,可預估在85℃、20V的應用環(huán)境下進行的1000h耐久試驗,相當于65℃、5V應用環(huán)境下的362039h(≒41年?。?。用于計算的電壓加速常數(shù)與溫度加速常數(shù)雖然根據(jù)陶瓷材料的種類與結(jié)構(gòu)有所不同,但是,通過使用加速模型,可以根據(jù)較短時間內(nèi)的試驗結(jié)果驗證長時間實際使用環(huán)境下的耐用年數(shù)。
以上為多層陶瓷電容器的示例,有多種一般使用的電子元器件種類及設想的使用環(huán)境。因此,確立對各種電子元器件造成影響的應變相關(guān)加速模型是非常重要的。
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