現(xiàn)代裝備,如各種飛機、軍艦等,為減小敵方雷達的發(fā)現(xiàn)概率,采用了不同程度的隱身措施。在裝備表面涂覆雷達吸波涂料RAC來減小雷達散射截面已成為一種重要的方法。通常表征吸波涂料隱身特性的基本參量是其對電磁波的反射率,表達式為:
式中V反 是涂料的反射電壓,V入 是涂料上的入射電壓,P反 是涂料的反射功率,P入 是涂料的入射功率。上式也可以理解為在給定的波長和極化的條件下,電磁波從同一方向、以同一功率密度入射到雷達吸波涂料平面和良導體平面,雷達吸波涂料平面與同尺寸良導體平面兩者鏡面方向反射功率之比。
1 、掃頻測量原理
掃頻RCS系統(tǒng)也稱線性調(diào)頻系統(tǒng),其結(jié)構(gòu)如圖1和圖2所示。其中fi是發(fā)射頻率,fr是回波頻率,f0是中頻信號頻率,τ是延遲時間,B是掃頻信號帶寬,T是掃頻信號持續(xù)時間,c是光速,R是目標到混頻器信號端口的距離。
根據(jù)掃頻RCS系統(tǒng)原理,混頻器輸出的中頻信號中包含有與目標距離成線性關系的頻率分量:
由式(3)可以看出:
(1)其頻率f0正比于發(fā)射帶寬B及延遲時間τ,反比于掃頻時間T,即f0=Bτ/T。假如目標區(qū)有多個反射回波源,中頻信號應包含所有反射信號的矢量和。
(2)基于頻率與f0目標的距離R呈fc=2BR/cT的正比關系,對頻率的分辨率也是對距離的分辨率。其幅度E0(t)反映了目標在t時刻對雷達波的反射強度;由掃頻測量體制中微波掃頻頻率fi[f0-B/2,f0+B/2]與信號持續(xù)時間t[0,T]的相關性可知,信號幅度隨時間的變化規(guī)律E0(t)也是其隨發(fā)射頻率的關系曲線E0(fi)。
獲取目標反射率隨掃頻頻率變化的曲線圖的過程簡述如下:
(1)首先對采樣數(shù)據(jù)作背景對消處理,然后做N點FFT處理實現(xiàn)距離向分辨;這里N為序列字長。然后采用硬件或軟件門將一維成像非目標區(qū)內(nèi)的雜散噪聲信號頻率進一步濾除,從而只保留目標區(qū)頻帶內(nèi)的數(shù)據(jù)。
(2)對保留數(shù)據(jù)作IFFF,得到目標區(qū)相應的時域波形,記為Si(t),由于線性掃頻體制中時域回波信號亦是掃頻發(fā)射頻率的函數(shù),所以Si(t)可以用Si(fi)表示。
(3)對電壓信號Si(fi)取平方,得到回波信號的瞬時功率P(t)或P(fi)的波形,其包絡就是目標RCS隨頻率的幅度分布。
(4)為獲得P(fi)包絡,再一次FFT得到P(fi)的功率譜分布,該譜中低頻區(qū)的譜線代表包絡,高頻譜是載波fc。
(5)用數(shù)字濾波將低頻區(qū)的包絡譜濾出。再對包絡譜作IFFT便可恢復反射功率的包絡波形,也即RCS和掃頻發(fā)射頻率的關系曲線。
2 、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析和實現(xiàn)過程
本測試儀用于對平板型吸波涂料進行快速性能檢測。頻率特性采用分波段控制,可覆蓋2 GHz~18 GHz范圍。對反射率測量的動態(tài)范圍大于40 dB。圖3給出了本系統(tǒng)的框圖。
中頻信號由放大器經(jīng)過USB芯片采集后傳輸?shù)?a target="_blank">嵌入式工控機,在計算機內(nèi)部進行數(shù)據(jù)處理。其關鍵和難點是USB芯片的固件和驅(qū)動程序的編寫。當芯片上電時,首先由缺省USB設備進行枚舉。此款USB芯片具有軟配置的特點。枚舉完成以后,就可以通過USB的連接線將固件代碼下載到芯片的RAM內(nèi)。之后8051就會脫離復位并開始運行這些代碼,并且再一次進行枚舉,這個過程叫做重枚舉。
CYPRESS公司為用戶提供了固件程序框架和固件函數(shù)庫,根據(jù)外設功能的具體要求,在相應的函數(shù)中填寫函數(shù)體,就可以完成自定義功能。固件函數(shù)框架包含初始化、處理標準USB設備請求以及USB掛起時的電源管理等??蚣芡瓿闪艘粋€簡單的任務循環(huán),其任務調(diào)度的步驟如下:
(1)調(diào)用用戶函數(shù)TD_Poll()。這部分程序由開發(fā)者填寫,以實現(xiàn)USB外設的主要功能。
(2)判斷是否有標準設備請求等待處理。如果有,則分析該請求并響應。
(3)判斷USB內(nèi)核是否收到USB掛起信號。如果收到,則調(diào)用用戶函數(shù)TD_Suspend()。從該函數(shù)成功返回以后,再檢測是否發(fā)生USB喚醒事件。如果未檢測到,則處理器進入掛起方式;如果檢測到,則調(diào)用用戶函數(shù)TD_Resume(),程序繼續(xù)運行。如果從TD_Suspend函數(shù)返回FALSE,則程序繼續(xù)運行。流程圖如圖4。
這個框架包含以下函數(shù)掛鉤:void TD_Init;void TD_Poll;BOOL TD_Suspend;void TD_Resume。
以上為任務分配器,分別在框架初始化、設備工作期間、框架進入掛起狀態(tài)之前、被外部的喚醒事件喚醒且恢復處理之后調(diào)用。此外還有9個設備請求函數(shù)和8個USB中斷函數(shù)需要用戶自己設置。
驅(qū)動程序采用的是CYPRESS提供的通用驅(qū)動程序,這是一個可以使用應用程序通過I/O控制來訪問的通用驅(qū)動程序。用戶使用Win32函數(shù)DeviceIoControl()來提交I/O控制碼,并且為CreateFile()函數(shù)返回的設備句柄設置I/O緩沖區(qū)。DeviceIoControl()的函數(shù)原型為:
BOOL DeviceIoControl(){
HANDLE hDevice, //設備句柄
DWORD dwIoControlCode, //I/O操作控制代碼
LPVOID lpInBuffer, //輸入緩沖區(qū)指針
DWORD nInBufferSize, //輸入緩沖區(qū)大小
LPVOID lpOutBufferSize, //輸出緩沖區(qū)指針
DWORD nOutBufferSize, //輸出緩沖區(qū)大小
LPDWORD lpBytesReturned, //實際返回的字節(jié)數(shù)
LPOVRLAPPER lpOverLapper, //用于異步操作的重疊指針
};
IOCTL和相應的輸入、輸出結(jié)構(gòu)在開發(fā)軟件包的ezusbsys.h中作出了定義。
為了便于程序維護,掃頻測量條件下目標RCS計算所需的函數(shù)均被封裝在名為CDataProcess的數(shù)據(jù)處理類中。CDataProcess類的成員變量包括待處理數(shù)據(jù)的指針、定標數(shù)據(jù)的指針以及處理過程中必需的參數(shù)信息。用戶可通過調(diào)用該類的成員函數(shù)進行RCS的計算。
USB芯片內(nèi)部集成有8051內(nèi)核,控制16 bit D/A輸出鋸齒波掃描電壓,該電壓經(jīng)過低通濾波器平滑,作為恒溫VCO的掃頻控制電壓。掃頻信號經(jīng)過定向耦合器主路作為混頻器的本振信號,耦合器支路輸出信號經(jīng)微波放大器達到18 dBm左右的功率值,該信號經(jīng)環(huán)形器、4 m同軸電纜到達測試探頭。探頭的反射波經(jīng)環(huán)形器的另一端口到達混頻器的信號端口。
雖然發(fā)射信號通過環(huán)形器對混頻器信號口的直漏功率比目標最大回波功率大10 dB左右,但由于4 m延時電纜相當于自由空間5 m,故兩者頻率相差較大,通過帶通濾波并放大后,可保證計算機采集到比較理想的目標回波。為限制泄漏信號過大而使混頻器飽和,在混頻器信號口加一個衰減器,控制泄漏信號電平小于0 dBm。當然衰減器的引入使混頻器動態(tài)范圍減少了10 dB左右,但還可保證混頻器至少有40 dB以上的測量動態(tài)范圍。而其他的便攜式測量方案采用檢波方法,最大動態(tài)范圍也很難做到40 dB。這是采用掃頻系統(tǒng)的最大優(yōu)點。
3 、實驗結(jié)果與結(jié)論
在掃頻測量體系中,誤差的主要是混頻器的線性度不夠,為了使測量更加準確,測量系統(tǒng)先對短路終端進行掃頻測量及信號采集,將對短路板的采樣信號作為對比標準存起來。然后在同樣條件下對被測目標體進行掃頻測量,對2組數(shù)據(jù)進行上述信號處理,然后將2組數(shù)據(jù)對應相減,即是目標反射率隨頻率變化的數(shù)據(jù)。
對某吸波涂料樣板進行測試,將實測數(shù)據(jù)與廠家標準數(shù)據(jù)進行對比,見表1。
由表1數(shù)據(jù)可以看出,在反射率比較小時,實測數(shù)據(jù)與標準數(shù)據(jù)相差較大,在反射率比較大時,誤差較小,處于要求的誤差范圍內(nèi),能夠反映吸波涂料的吸波性能。
本系統(tǒng)與傳統(tǒng)的測量方法以及以往的便攜式測量方法相比,具有以下優(yōu)勢:
(1)使用恒溫VCO作為信號源,掃頻速度快,使用D/A建立掃頻電壓可任意控制掃頻時間。
(2)掃頻方法可縮短電纜距離,回波信號頻率高,便于濾波處理。
(3)信號處理方法使用成熟的RCS信號處理方法。
(4)動態(tài)范圍大,可以做到大于40 dB。
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