0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

從臺(tái)積電的7nm工藝資料中推測(cè)麒麟980將有哪些技術(shù)提升?

YCqV_FPGA_EETre ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-28 15:32 ? 次閱讀

本月,全球第一款采用7nm工藝的手機(jī)處理器麒麟980將揭開面紗,這一次,和16nm麒麟960,10nm工藝麒麟970一樣,華為手機(jī)處理器再度在去全球領(lǐng)先。和麒麟970相比,麒麟980會(huì)有哪些提升?雖然華為沒有公布數(shù)據(jù),但我們可以從目前臺(tái)積電公布的7nm工藝資料中做一些推測(cè)。

2018年,半導(dǎo)體工藝正式跨入7nm時(shí)代,臺(tái)積電、格羅方德、三星等都宣稱要量產(chǎn)7nm工藝芯片,不過臺(tái)積電可能最早量產(chǎn)7nm 工藝芯片,據(jù)稱其已經(jīng)獲得了50多家客戶訂單,包括華為海思、NV、賽靈思AMD等這些大客戶,芯片應(yīng)用涵蓋智能手機(jī)、游戲主機(jī)、處理器、AI應(yīng)用、挖礦機(jī)等等。

相比10nm工藝,7nm有哪些提升,讓臺(tái)積電才在2017年量產(chǎn)10nm之后就迫不及待的在2018年升級(jí)?7nm帶給我們哪些驚喜?給我們帶來哪些驚喜?這里結(jié)合一些公布的論文和技術(shù)參數(shù)管窺一下。

1、7nm是半導(dǎo)體工藝史上一個(gè)極其重要的工藝節(jié)點(diǎn)

在ISSCC 2017大會(huì)上,臺(tái)積電的存儲(chǔ)器組詳細(xì)介紹了他們采用TSQ7nm HK-MG FinFET工藝制造的256 Mib SRAM芯片(如下圖所示),該芯片具有42.64mm2的芯片。 整個(gè)裸片大小是16nm工藝版/1/3左右(0.34X), 與10nm工藝相比,臺(tái)積電的7nm工藝密度提升為1.6倍。臺(tái)積電聲稱其7nm工藝將性能提高20%,功耗降低40%

據(jù)悉,臺(tái)積電的7nm節(jié)點(diǎn)將有兩個(gè)版本,一種針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,另一種針對(duì)高性能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 臺(tái)積電還計(jì)劃下半年引入第二個(gè)改進(jìn)工藝,稱為7nm +,會(huì)采用EUVL技術(shù)處理一些層。 這會(huì)提高產(chǎn)量并縮短晶圓周期時(shí)間。 與第一代7nm工藝相比,7nm +工藝將功耗和面積優(yōu)化的更好。

根據(jù)臺(tái)積電(TSMC)CEO魏哲家的說法,到2018年底將有超過50個(gè)產(chǎn)品完成7nm設(shè)計(jì)定案(Tape out)。其中,AI芯片、GPU和礦機(jī)芯片占了大部分的產(chǎn)能,其次是5G和應(yīng)用處理器(AP)。

這是7nm工藝和10nm、16nm工藝性能提升對(duì)比

從圖上看出,跟10nm、16nm工藝相比,7nm工藝在功耗、性能和面積上有很大提升,與16nm相比提升非常顯著,超過其他幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的升級(jí)幅度!例如如果從16nm升級(jí)到7nm,芯片面積可以縮小到原來的1/3!而且從10nm升級(jí)到7nm功耗和面積也優(yōu)化幅度很大,此外,7nm工藝將適用于各類處理器(10nm僅用于移動(dòng)處理器),所以7nm工藝是一個(gè)半導(dǎo)體制造上的一個(gè)重要節(jié)點(diǎn),圍繞這個(gè)節(jié)點(diǎn),EDA公司和IP開發(fā)了大量產(chǎn)品,所以7nm工藝將和28nm工藝節(jié)點(diǎn)一樣,會(huì)維持較長的時(shí)間,會(huì)有很長的生命周期。

所以,據(jù)此我們可以推測(cè)麒麟980的晶體管數(shù)量會(huì)有很大提升,而且憑借華為海思的設(shè)計(jì)功力,其在功耗上會(huì)做很好的優(yōu)化。未來依托7nm工藝,麒麟可能會(huì)有中低端處理器系列比如7系列,或者6系列,形成高中低完全覆蓋的布局。

2、7nm工藝激發(fā)了封裝技術(shù)升級(jí)

我們都知道,XXnm其實(shí)指的是集成電路上形成的互補(bǔ)氧化物金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的寬度,也被稱為柵長。隨著工藝技術(shù)升級(jí),整個(gè)集成電路的面積縮小,集成電路的節(jié)距也隨之縮小、所以必須采用更先進(jìn)的封裝技術(shù)。

據(jù)悉,臺(tái)積電會(huì)采用CoWoS(基板上芯片上芯片)和集成扇出(InFO)晶圓級(jí)封裝等技術(shù)應(yīng)用在7nm工藝芯片上。此外,臺(tái)積電開發(fā)了其系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù),以進(jìn)入先進(jìn)的SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)領(lǐng)域。SiP被認(rèn)為是5G高速連接時(shí)代的重要封裝技術(shù)。具有5G功能的智能手機(jī)會(huì)大量采用SiP封裝技術(shù)。

據(jù)此判斷,麒麟980應(yīng)該也采用了更先進(jìn)封裝技術(shù),據(jù)傳封測(cè)公司還未麒麟芯片量身打造了專用的測(cè)試設(shè)備。

3、一級(jí)高速緩存性能大提升,麒麟980主頻大突破?

我們都知道,緩存定義為CPU與內(nèi)存之間的臨時(shí)數(shù)據(jù)交換器,它的出現(xiàn)是為了解決CPU運(yùn)行處理速度與內(nèi)存讀寫速度不匹配的矛盾——緩存的速度比內(nèi)存的速度快多了。

目前一般高級(jí)CPU都采用了三級(jí)緩存形式(包括L1一級(jí)緩存、L2二級(jí)緩存、L3三級(jí)緩存)都是集成在CPU內(nèi)的緩存,它們的作用都是作為CPU與主內(nèi)存之間的高速數(shù)據(jù)緩沖區(qū),L1最靠近CPU核心;L2其次;L3再次。運(yùn)行速度方面:L1最快、L2次快、L3最慢;容量大小方面:L1最小、L2較大、L3最大。CPU會(huì)先在最快的L1中尋找需要的數(shù)據(jù),找不到再去找次快的L2,還找不到再去找L3,L3都沒有那就只能去內(nèi)存找了。如下圖所示,其中一級(jí)高速緩存非常重要,它將與CPU 的主頻進(jìn)行匹配,如果一級(jí)高速緩存能實(shí)現(xiàn)高速度則意味著可以進(jìn)一步提升CPU主頻。

高速緩存也叫SRAM,一般采用6晶體管形式(6T)組成一個(gè)存儲(chǔ)bit 單元,在臺(tái)積電公布的數(shù)據(jù)上,SRAM的bit存儲(chǔ)信息存儲(chǔ)在四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管交叉耦合組成的反相器中(其原理這里不贅述),如下圖所示:

從臺(tái)積電的7nm工藝資料中推測(cè)麒麟980將有哪些技術(shù)提升?

在臺(tái)積電公布的測(cè)試數(shù)據(jù)中,一級(jí)高速緩存有驚喜的表現(xiàn)!這是顯微鏡拍攝的采用7nm High-K Metal-Gate FinFET 工藝技術(shù)的SRAM

這是測(cè)試的速度!在1.12V左右速率竟然可以高達(dá)5.36GHz!太驚喜了!這意味著采用7nm工藝的CPU主頻有望實(shí)現(xiàn)更高突破!它帶來的性能提升是超乎想象的。此外,CLK-to-WL、Double-WL 和 wl_clk RC延遲都大大減少了,這也可以進(jìn)一步提升CPU性能。

這個(gè)提升是最激動(dòng)的人心的,這意味著麒麟980主頻可以有很大提升空間,如果能提升超過3GHz那將是劃時(shí)代的!值得期待!

以上只是管窺了7nm工藝帶來的幾個(gè)性能突破點(diǎn),實(shí)際上,7nm工藝還有更多驚喜,不過,據(jù)報(bào)道,目前開發(fā)10nm芯片的成本超過1.7億美元,而7nm則達(dá)到了3億美元,5nm更是高達(dá)5億美元,3nm直接將超過15億美元。隨著工藝成本日益提升,只有少數(shù)幾個(gè)IC巨頭如華為、NV、AMD等敢于投入跟進(jìn)這場(chǎng)工藝豪賭。

而且,芯片戰(zhàn)略是需要長期投入的,手機(jī)廠家也不例外。據(jù)悉華為海思2015年開始就投入7nm工藝的研究,當(dāng)時(shí)就跟TSMC一起做標(biāo)準(zhǔn)庫的研究與開發(fā),大概進(jìn)行了幾十個(gè)月的研究期,包括芯片可靠性研究等。為啥華為和TSMC會(huì)有如此緊密的合作,為啥華為在16nm,10nm,7nm一路領(lǐng)先?下一篇,我就寫寫華為和臺(tái)積電如何好基友,如何敢嘗工藝“頭啖湯”。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 臺(tái)積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5733

    瀏覽量

    168653
  • 華為
    +關(guān)注

    關(guān)注

    216

    文章

    34941

    瀏覽量

    254762
  • 麒麟980
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    399

    瀏覽量

    22648

原文標(biāo)題:麒麟980即將發(fā)布,7nm工藝帶來哪些驚喜?

文章出處:【微信號(hào):FPGA-EETrend,微信公眾號(hào):FPGA開發(fā)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 0人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    性能殺手锏!臺(tái)3nm工藝迭代,新一代手機(jī)芯片交戰(zhàn)

    面向性能應(yīng)當(dāng)會(huì)再提升,成為聯(lián)發(fā)科搶占市場(chǎng)的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時(shí)間與細(xì)節(jié)。外界認(rèn)為,該款芯片也是以臺(tái)3nm
    的頭像 發(fā)表于 07-09 00:19 ?5729次閱讀

    臺(tái)2nm制程良率已超60%

    ,較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升(此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%),預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是,蘋果作為臺(tái)戰(zhàn)略合作
    的頭像 發(fā)表于 03-24 18:25 ?557次閱讀

    消息稱臺(tái)3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià),即日起效!

    )計(jì)劃2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對(duì)3nm、
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:35 ?416次閱讀

    臺(tái)設(shè)立2nm試產(chǎn)線

    臺(tái)設(shè)立2nm試產(chǎn)線 臺(tái)已開始在新竹寶山晶圓廠
    的頭像 發(fā)表于 01-02 15:50 ?721次閱讀

    臺(tái)2025年起調(diào)整工藝定價(jià)策略

    近日,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛,臺(tái)計(jì)劃2025年1月起,針對(duì)其3nm、5
    的頭像 發(fā)表于 12-31 14:40 ?562次閱讀

    臺(tái)2nm工藝將量產(chǎn),蘋果iPhone成首批受益者

    近日,據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體領(lǐng)域的制程競爭正在愈演愈烈,臺(tái)計(jì)劃在明年大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝制程。這一消息無疑為整個(gè)行業(yè)注入了新的活力。 早前,
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:22 ?586次閱讀

    臺(tái)分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié):功耗降低 35% 或性能提升15%!

    來源:IEEE 臺(tái)在本月早些時(shí)候于IEEE國際電子器件會(huì)議(IEDM)上公布了其N2(2nm級(jí))制程的更多細(xì)節(jié)。該新一代工藝節(jié)點(diǎn)承諾實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:57 ?621次閱讀
    <b class='flag-5'>臺(tái)</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>分享 2<b class='flag-5'>nm</b> <b class='flag-5'>工藝</b>深入細(xì)節(jié):功耗降低 35% 或性能<b class='flag-5'>提升</b>15%!

    臺(tái)產(chǎn)能爆棚:3nm與5nm工藝供不應(yīng)求

    臺(tái)近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺(tái)的3
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:20 ?757次閱讀

    臺(tái)計(jì)劃漲價(jià)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求

    據(jù)了解,臺(tái)已經(jīng)成功獲得英偉達(dá)的同意,計(jì)劃在明年對(duì)其產(chǎn)品和服務(wù)進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。針對(duì)3nm制程,其價(jià)格預(yù)計(jì)將有最多5%的上漲,而CoWoS封裝
    的頭像 發(fā)表于 11-07 14:00 ?426次閱讀

    今日看點(diǎn)丨 傳蘋果2025年采用自研Wi-Fi芯片 臺(tái)7nm制造;富士膠片開始銷售用于半導(dǎo)體EUV光刻的材料

    半年的新產(chǎn)品(例如iPhone 17)計(jì)劃采用自家的Wi-Fi芯片,采用臺(tái)N77nm工藝
    發(fā)表于 11-01 10:57 ?1090次閱讀

    所謂的7nm芯片上沒有一個(gè)圖形是7nm

    最近網(wǎng)上因?yàn)楣饪虣C(jī)的事情,網(wǎng)上又是一陣熱鬧。好多人又開始討論起28nm/7nm的事情了有意無意之間,我也看了不少網(wǎng)上關(guān)于國產(chǎn)自主7nm工藝的文章。不過這些文章里更多是抒情和遐想,卻很少
    的頭像 發(fā)表于 10-08 17:12 ?672次閱讀
    所謂的<b class='flag-5'>7nm</b>芯片上沒有一個(gè)圖形是<b class='flag-5'>7nm</b>的

    臺(tái)3nm制程需求激增,全年?duì)I收預(yù)期上調(diào)

    臺(tái)近期迎來3nm制程技術(shù)的出貨高潮,預(yù)示著其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位進(jìn)一步鞏固。隨著蘋果iPhone 16系列新機(jī)發(fā)布,預(yù)計(jì)搭載的A1
    的頭像 發(fā)表于 09-10 16:56 ?843次閱讀

    谷歌Tensor G5芯片轉(zhuǎn)投臺(tái)3nm與InFO封裝

    近日,業(yè)界傳出重大消息,谷歌手機(jī)的自研芯片Tensor G5計(jì)劃轉(zhuǎn)投臺(tái)的3nm制程,并引入臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 08-06 09:20 ?792次閱讀

    臺(tái)產(chǎn)能分化:6/7nm降價(jià)應(yīng)對(duì)低利用率,3/5nm漲價(jià)因供不應(yīng)求

    摩根士丹利的報(bào)告,以及最新的市場(chǎng)觀察,臺(tái)在6/7nm與3/5nm兩大制程節(jié)點(diǎn)上的產(chǎn)能利用情況及價(jià)格策略呈現(xiàn)出截然不同的態(tài)勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 07-11 09:59 ?817次閱讀

    臺(tái)3nm工藝產(chǎn)能緊俏,蘋果等四巨頭瓜分

    據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,近期全球芯片制造巨頭臺(tái)面臨了3nm系列工藝產(chǎn)能的激烈競爭。據(jù)悉,蘋果、高通、英偉達(dá)和AMD這四大科技巨頭已經(jīng)率先瓜分完了
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:47 ?828次閱讀

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會(huì)員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個(gè)性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動(dòng)獲取豐厚的禮品