0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

格芯成為 7nm LP 工藝開發(fā)的逃兵,專注于14/12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)

羅欣 ? 來源:cnBeta.COM ? 作者:TechReport編譯 ? 2018-08-28 09:24 ? 次閱讀

縮減硅工藝的可怕競爭,最近又難倒了一位參賽選手。格芯今日宣布,它將無限期地暫停 7nm LP 工藝的開發(fā),以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專業(yè)的 14nm 和 12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)的持續(xù)開發(fā)上。這一突然的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)折,發(fā)生在該公司位于紐約馬耳他的 Fab 8 工廠宣稱對這項(xiàng)前沿技術(shù)加大投資規(guī)模的幾個(gè)月之后。

首席技術(shù)官 Gary Patton 在接受 AnandTech 采訪時(shí)稱,這一決定是出于經(jīng)濟(jì)方面的考慮,而非 7LP 面臨的任何技術(shù)障礙。

格芯稱,未來一段時(shí)間,該公司將專注于射頻、嵌入式存儲(chǔ)器、低功耗定制 14-nm 和 12-nm FinFET 工藝的定制改進(jìn)。

此外,格芯還將把重點(diǎn)放在 22DFX 和 12FDX 工藝上,以迎合低功耗、相對低成本、以及高性能的 RF / 模擬 / 混合信號(hào)設(shè)計(jì)。

(圖自:GlobalFoundries INC)

AnandTech 報(bào)道還指出,有關(guān)格芯的 5-nm 和 3-nm 節(jié)點(diǎn)的未來發(fā)展,也已經(jīng)被擱置。

今年年底之后,該公司將停止與位于紐約奧爾巴尼的 IBM 芯片研究部門(SUNY Polytechnic Institute)的合作。

另外,格芯會(huì)裁撤 5% 的員工,其而不得不與 IBM 和 AMD 重新商談供應(yīng)協(xié)議。

對于發(fā)燒友們來說,格芯此舉無疑讓大家心碎一地。但問題的真相似乎是,該公司難以吸引到長期的業(yè)務(wù),來支撐 7nm、5nm、甚至 3nm 制程所需的巨額現(xiàn)金。

格芯在新聞稿中指出,該公司除 AMD 和 IBM 之外的客戶,更青睞于已經(jīng)成熟的 14-nm FinFET 工藝,而不是需要反復(fù)經(jīng)歷艱難過渡的前沿節(jié)點(diǎn)。

萬幸的是,就算沒有了格芯Fab 8 工廠的支持。AMD 的下一代芯片,也不會(huì)受到太大的影響。

其首款 7-nm 產(chǎn)品 —— 一款面向數(shù)據(jù)中心的 Vega GPU —— 正在 GF 競爭對手臺(tái)積電那邊研制,同時(shí)還有代號(hào)為羅馬的下一代服務(wù)器 CPU 。

總而言之,在格芯當(dāng)了逃兵之后,臺(tái)積電、三星英特爾仍將繼續(xù)這方面的追求。至于是否會(huì)有下一個(gè)“受害者”,仍有待時(shí)間去檢驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 14nm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    135

    瀏覽量

    82603
  • 硅工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    12

    瀏覽量

    7124
  • 7nm
    7nm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    267

    瀏覽量

    35612
  • 格芯
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    239

    瀏覽量

    26221
  • 12nm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    33

    瀏覽量

    8141
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    廣明源172nm晶圓光清洗方案概述

    在半導(dǎo)體制造中,清洗工藝貫穿光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程,并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展,芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:27 ?149次閱讀

    曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

    節(jié)點(diǎn)(SF4X)采用了后端布線技術(shù),提高芯片性能,而且還能降低制造成本;該工藝專注人工智能等高性能計(jì)算領(lǐng)域;目前良率已經(jīng)相對穩(wěn)定;已于去年 11 月開始量產(chǎn)。 據(jù)悉,主要客戶都是AI芯片廠商;比如馬斯克的人工智能公司Grok。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.2w次閱讀

    北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司

    A股上市,獲中國移動(dòng)、紅杉資本等投資,技術(shù)應(yīng)用于大模型訓(xùn)練與圖形渲染。 4. 昆侖(Kunlunxin) *領(lǐng)域 :AI芯片 亮點(diǎn) :前身為百度智能芯片部門,7nm工藝的昆侖2代已
    發(fā)表于 03-05 19:37

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計(jì)新版1b
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?637次閱讀

    創(chuàng)飛90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

    實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。90nm BCD 工藝將高密度低壓邏輯晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的高壓晶體管相結(jié)合,創(chuàng)飛 OTP 技術(shù)的加入,使 90nm BCD 工藝
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:27 ?705次閱讀

    臺(tái)積電2nm工藝將量產(chǎn),蘋果iPhone成首批受益者

    近日,據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體領(lǐng)域的制程競爭正在愈演愈烈,臺(tái)積電計(jì)劃在明年大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝制程。這一消息無疑為整個(gè)行業(yè)注入了新的活力。 早前,有傳言稱臺(tái)積電將使用其2nm節(jié)點(diǎn)來制造蘋果的
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:22 ?589次閱讀

    臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚:3nm與5nm工藝供不應(yīng)求

    臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺(tái)積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平,其中3nm
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:20 ?759次閱讀

    銳成微推出基于8nm工藝的PVT Sensor IP

    近日,銳成微基于8nm工藝工藝、電壓、溫度傳感IP(PVT Sensor IP,下同)完成硅測試,驗(yàn)證結(jié)果展現(xiàn)出了其優(yōu)異的性能,未來將為客戶在先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 11-08 16:17 ?505次閱讀

    所謂的7nm芯片上沒有一個(gè)圖形是7nm

    最近網(wǎng)上因?yàn)楣饪虣C(jī)的事情,網(wǎng)上又是一陣熱鬧。好多人又開始討論起28nm/7nm的事情了有意無意之間,我也看了不少網(wǎng)上關(guān)于國產(chǎn)自主7nm工藝的文章。不過這些文章里更多是抒情和遐想,卻很少
    的頭像 發(fā)表于 10-08 17:12 ?673次閱讀
    所謂的<b class='flag-5'>7nm</b>芯片上沒有一個(gè)圖形是<b class='flag-5'>7nm</b>的

    臺(tái)積電產(chǎn)能分化:6/7nm降價(jià)應(yīng)對低利用率,3/5nm漲價(jià)因供不應(yīng)求

    摩根士丹利的報(bào)告,以及最新的市場觀察,臺(tái)積電在6/7nm與3/5nm兩大制程節(jié)點(diǎn)上的產(chǎn)能利用情況及價(jià)格策略呈現(xiàn)出截然不同的態(tài)勢。
    的頭像 發(fā)表于 07-11 09:59 ?817次閱讀

    傳三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成

    近日,據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星在其1b nm(即12nm級(jí))DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%,僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:53 ?919次閱讀

    聯(lián)電攜手英特爾開發(fā)12nm制程平臺(tái),預(yù)計(jì)2026年完成,2027年量產(chǎn)

    今年初,聯(lián)電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺(tái),以滿足移動(dòng)設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及網(wǎng)絡(luò)市場的高速增長需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-31 09:15 ?665次閱讀

    清溢光電:已實(shí)現(xiàn)180nm節(jié)點(diǎn)掩膜版量產(chǎn) 佛山基地2025年末遷入設(shè)備

    清溢光電5月16日披露了最新投資者調(diào)研紀(jì)要。 紀(jì)要內(nèi)容顯示,清溢光電已實(shí)現(xiàn) 180nm 工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的量產(chǎn),以及 150nm 工藝
    的頭像 發(fā)表于 05-17 16:16 ?641次閱讀

    存內(nèi)計(jì)算——助力實(shí)現(xiàn)28nm等效7nm功效

    可重構(gòu)芯片嘗試在芯片內(nèi)布設(shè)可編程的計(jì)算資源,根據(jù)計(jì)算任務(wù)的數(shù)據(jù)流特點(diǎn),動(dòng)態(tài)構(gòu)造出最適合的計(jì)算架構(gòu),國內(nèi)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并在12nm工藝下制造的CGRA芯片,已經(jīng)在標(biāo)準(zhǔn)測試集上實(shí)現(xiàn)了和7nm的GPU基本相
    的頭像 發(fā)表于 05-17 15:03 ?2460次閱讀
    存內(nèi)計(jì)算——助力實(shí)現(xiàn)28<b class='flag-5'>nm</b>等效<b class='flag-5'>7nm</b>功效

    凱文·奧巴克利晉升為英特爾高級(jí)副總裁及代工服務(wù)總裁?

    奧巴克利手握半導(dǎo)體行業(yè)20余年豐富經(jīng)驗(yàn),曾在IBM、、Avera及Marvell等知名企業(yè)供職,其中在IBM期間,他負(fù)責(zé)22nm14nm制程技術(shù)的
    的頭像 發(fā)表于 05-14 14:13 ?505次閱讀

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會(huì)員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個(gè)性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動(dòng)獲取豐厚的禮品