0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

mos場效應(yīng)管四個區(qū)域

工程師 ? 來源:未知 ? 作者:姚遠(yuǎn)香 ? 2018-08-24 14:38 ? 次閱讀

N溝道增強(qiáng)型MOS管的四個區(qū)域

1)可變電阻區(qū)(也稱非飽和區(qū))

滿足Ucs》Ucs(th)(開啟電壓),uDs《UGs-Ucs(th),為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開啟。在該區(qū)域UDs值較小,溝道電阻基本上僅受UGs控制。當(dāng)uGs一定時,ip與uDs成線性關(guān)系,該區(qū)域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當(dāng)于一個受電壓UGS控制的可變電阻。

2)恒流區(qū)(也稱飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū))

滿足Ucs≥Ucs(h)且Ubs≥UcsUssth),為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域,在該區(qū)域內(nèi),當(dāng)uGs一定時,ib幾乎不隨UDs而變化,呈恒流特性。i僅受UGs控制,這時場效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個受電壓uGs控制的電流源。場效應(yīng)管用于放大電路時,一般就工作在該區(qū)域,所以也稱為放大區(qū)。

3)夾斷區(qū)(也稱截止區(qū))

夾斷區(qū)(也稱截止區(qū))滿足ucs《Ues(th)為圖中靠近橫軸的區(qū)域,其溝道被全部夾斷,稱為全夾斷,io=0,管子不工作。

4)擊穿區(qū)位

擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大,PN結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿,ip急劇增加。工作時應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。

轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3( a)中作Ubs=6V的垂直線,將其與各條曲線的交點對應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐標(biāo)中連成曲線,即得到轉(zhuǎn)移性曲線,如圖3(b)所示。

mos場效應(yīng)管四個區(qū)域

mos場效應(yīng)管的參數(shù)

場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但普通運(yùn)用時只需關(guān)注以下主要參數(shù):飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up,(結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,或開啟電壓UT(加強(qiáng)型絕緣柵管)、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。

(1)飽和漏源電流

飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。

(2)夾斷電壓

夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線,可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

mos場效應(yīng)管四個區(qū)域

(3)開啟電壓

開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線,可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

mos場效應(yīng)管四個區(qū)域

(4)跨導(dǎo)

跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。

(5)漏源擊穿電壓

漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必需小于BUDS。

(6)最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。運(yùn)用時場效應(yīng)管實踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。

(7)最大漏源電流

最大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許經(jīng)過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。

MOS管工作原理

MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時,溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos場效應(yīng)管作用

一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 場效應(yīng)管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    47

    文章

    1171

    瀏覽量

    64187
  • MOS場效應(yīng)管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    205

    瀏覽量

    12840
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    場效應(yīng)管代換手冊

    場效應(yīng)管代換手冊
    發(fā)表于 01-08 13:44 ?0次下載

    場效應(yīng)管驅(qū)動電路設(shè)計 如何降低場效應(yīng)管的噪聲

    在設(shè)計場效應(yīng)管驅(qū)動電路時,降低場效應(yīng)管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來降低場效應(yīng)管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 : 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為場效應(yīng)管供電,可以
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:17 ?452次閱讀

    場效應(yīng)管的參數(shù)介紹 如何測試場效應(yīng)管的功能

    場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。 場效應(yīng)管
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:02 ?1130次閱讀

    場效應(yīng)管的優(yōu)勢與劣勢 場效應(yīng)管的負(fù)載能力分析

    場效應(yīng)管的優(yōu)勢 高輸入阻抗 :場效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這意味著它們需要的驅(qū)動電流非常小,這對于低功耗應(yīng)用非常有利。 低噪聲 :場效應(yīng)管由于其高輸入阻抗和低導(dǎo)通電阻,通常比雙極型晶體
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:58 ?533次閱讀

    常見場效應(yīng)管類型 場效應(yīng)管的工作原理

    場效應(yīng)管(MOSFET)和金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MESFET)。 常見場效應(yīng)管類型 結(jié)型場效應(yīng)管(JFET) 結(jié)型場效應(yīng)管是一種利用PN結(jié)作為
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:52 ?811次閱讀

    什么是N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管

    場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,場效應(yīng)管可以分為N溝道場效應(yīng)管和P溝道
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:41 ?1576次閱讀

    N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管有什么區(qū)別

    N溝道場效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應(yīng)管(P-Channel Field Effect Transistor
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:38 ?2215次閱讀

    如何判斷場效應(yīng)管工作在什么區(qū)

    分為三區(qū)域:截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。正確判斷場效應(yīng)管的工作狀態(tài)對于電子電路的設(shè)計和調(diào)試至關(guān)重要。 一、場效應(yīng)管的工作原理 結(jié)構(gòu):場效應(yīng)管
    的頭像 發(fā)表于 07-14 09:23 ?2254次閱讀

    如何分別場效應(yīng)管的三

    場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它具有三主要的引腳:源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。正確
    的頭像 發(fā)表于 07-14 09:14 ?1832次閱讀

    場效應(yīng)管的三電極分別是什么

    的電流。場效應(yīng)管具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等特點,被廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。 場效應(yīng)管的三電極分別是:柵極(Gate)、漏極(Drain)和源極(Source)。下面將詳細(xì)介紹這三
    的頭像 發(fā)表于 07-14 09:12 ?3710次閱讀

    場效應(yīng)管的雪崩電流解析

    在電子工程領(lǐng)域,場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)作為一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。其中,功率MOS場效應(yīng)管(MOSFET)因其獨特的性能
    的頭像 發(fā)表于 05-31 17:30 ?1363次閱讀

    什么是場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管的電路符號

    場效應(yīng)管,即場效應(yīng)晶體管(簡稱FET),是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
    的頭像 發(fā)表于 02-20 15:31 ?2735次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>場效應(yīng)管</b> <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>場效應(yīng)管</b>的電路符號

    逆變器的場效應(yīng)管發(fā)熱原因

    逆變器的場效應(yīng)管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置,常用于太陽能發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中,場效應(yīng)管(MOSFET)是逆變器中的關(guān)鍵元件,負(fù)責(zé)開關(guān)直流電,實現(xiàn)直流電的變換
    的頭像 發(fā)表于 01-31 17:17 ?3192次閱讀

    場效應(yīng)管的分類和區(qū)別

    變大。 如果在柵源之間加負(fù)向電壓,溝道電阻會越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。 2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道,每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。 N溝道增強(qiáng)型MOS在其柵源之間加正向電壓,形成反型
    發(fā)表于 01-30 11:51

    結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物場效應(yīng)管的分類

    電壓時導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài),加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。 2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道,每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。 N溝道增強(qiáng)型MOS在其柵源之間加正向電壓,形成反型層和導(dǎo)電溝道,溝道電阻
    發(fā)表于 01-30 11:38