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UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的區(qū)別

SwM2_ChinaAET ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-24 09:43 ? 次閱讀

DIMM簡(jiǎn)介

DIMM(Dual Inline Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊)與SIMM(single in-line memory module,單邊接觸內(nèi)存模組)相當(dāng)類似,不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的,它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào),因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號(hào)的傳送需要。同樣采用DIMM,SDRAM接口DDR內(nèi)存的接口也略有不同,SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面為84Pin,金手指上有兩個(gè)卡口,用來(lái)避免插入插槽時(shí),錯(cuò)誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀;DDR DIMM則采用184Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面有92Pin,金手指上只有一個(gè)卡口。卡口數(shù)量的不同,是二者最為明顯的區(qū)別。DDR2 DIMM為240pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面有120Pin,與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個(gè)卡口,但是卡口的位置與DDR DIMM稍微有一些不同,因此DDR內(nèi)存是插不進(jìn)DDR2 DIMM的,同理DDR2內(nèi)存也是插不進(jìn)DDR DIMM的,因此在一些同時(shí)具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上,不會(huì)出現(xiàn)將內(nèi)存插錯(cuò)插槽的問(wèn)題。

UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的區(qū)別

UDIMM,Unbuffered DIMM,定位于 桌面市場(chǎng),指地址和控制信號(hào)沒(méi)有經(jīng)過(guò)緩沖器,沒(méi)有做任何時(shí)序調(diào)整(緩沖器延遲是有的),直接到達(dá)DIMM上的DRAM芯片。而Registered內(nèi)存模組則對(duì)地址和控制信號(hào)等進(jìn)行寄存,在下一個(gè)時(shí)鐘到來(lái)時(shí)再觸發(fā)輸出。

RDIMM,Registered DIMM,定位于工作站和服務(wù)器市場(chǎng),指地址和控制信號(hào)經(jīng)過(guò)寄存,時(shí)鐘經(jīng)過(guò)PLL鎖相。相對(duì)于UDIMM,RDIMM更穩(wěn)定,容量更大,但是對(duì)于單個(gè)的讀寫訪問(wèn)要滯后一個(gè)時(shí)鐘周期。 Registered內(nèi)存本身有兩種工作模式,即 Registered模式和Buffered模式。在支持Registered工作模式的主板上工作時(shí),Registered內(nèi)存工作于 Registered模式,這時(shí)主板上的地址信號(hào)和控制信號(hào)會(huì)比數(shù)據(jù)信號(hào)先一個(gè)時(shí)鐘周期到達(dá)DIMM,送入Register芯片后會(huì)在其中停留一個(gè)時(shí)鐘周期,然后在下一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的上升沿從Register輸出,與此時(shí)從主板上到達(dá)DIMM的數(shù)據(jù)信號(hào)一起同時(shí)傳送到SDRAM。當(dāng)Registered內(nèi)存工作在普通的主板上時(shí),為Buffered工作模式,這時(shí)所有的信號(hào)也基本上是同時(shí)到達(dá)DIMM再同時(shí)傳送到SDRAM,Register芯片這時(shí)在功能上只相當(dāng)于一個(gè)簡(jiǎn)單的Buffer,其輸入到輸出之間是直通的,只簡(jiǎn)單的起到改善地址信號(hào)和控制信號(hào)的作用,時(shí)序上與Unbuffered內(nèi)存是一樣的。Registered DIMM和其他內(nèi)存條相比增加了兩種關(guān)鍵的器件,PLL和register。

SODIMM,Small Outline DIMM,定位于筆記本市場(chǎng),UDIMM和RDIMM都隸屬于DIMM,內(nèi)存模組的長(zhǎng)度等,包括金手指的信號(hào)分布在內(nèi)都是一樣的。而SODIMM可以理解為小一號(hào)的內(nèi)存模組。

LRDIMM,Load-Reduced DIMM,不使用比較復(fù)雜的寄存器,而是使用簡(jiǎn)單緩沖。緩沖降低了在下層主板上的電力負(fù)載,但對(duì)能源與內(nèi)存性能幾乎無(wú)影響。不似RDIMM與LRDIMM讓服務(wù)器制造商在每個(gè)內(nèi)存通道上放更多模塊。因此,LRDIMM設(shè)計(jì)能包含大型卷系統(tǒng)內(nèi)存,而不產(chǎn)生高的延遲費(fèi)用。

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原文標(biāo)題:【博文連載】UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的區(qū)別

文章出處:【微信號(hào):ChinaAET,微信公眾號(hào):電子技術(shù)應(yīng)用ChinaAET】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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