1前言
當(dāng)高速通道數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到百萬兆每秒時(shí),就必須通過嚴(yán)格仿真通道中每個(gè)模塊來優(yōu)化通道的質(zhì)量,這些模塊包括鏈接器,傳輸線,過孔和封裝。它們都可能是造成阻抗不連續(xù)的來源,將會(huì)造成信號(hào)衰減,最后使通道質(zhì)量變差。為了達(dá)到最優(yōu)化的通道質(zhì)量,SI工程師需要一個(gè)快速的方式來仿真這些阻抗不連續(xù)的地方并建立一個(gè)可快速評(píng)估的通道。
這篇應(yīng)用筆記闡述了一種有效的建立準(zhǔn)確傳輸線與過孔模型的方法,最后通過仿真得到模型實(shí)現(xiàn)通道的級(jí)聯(lián)。
通道的質(zhì)量可以通過仿真得到的S參數(shù)和TDR 阻抗圖表結(jié)果來判定。參數(shù)化掃描傳輸線和過孔S參數(shù)可以實(shí)現(xiàn)快速的what-if分析,幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化通道屬性。
2無源通道結(jié)構(gòu)
一個(gè)典型的背板通道如圖1所示,其包括一個(gè)背板和通過鏈接器連接在一起的兩個(gè)子板。從發(fā)送端到接收端,阻抗不連續(xù)主要在封裝到板子,鏈接器到板子和傳輸線間的傳輸上。為了達(dá)到通道的設(shè)計(jì)要求,首先研究了不同的介質(zhì)材料FR4,F(xiàn)R408HR, Megtron 6, 和ParkpNelco N4000-13 EPSI的影響 ,通過分析其結(jié)果,幫助設(shè)計(jì)者評(píng)估通道的損耗大小并比較其通道設(shè)計(jì)余量。
圖1 高速設(shè)計(jì)中的典型通道模型
01
傳輸線和過孔模型
首先選擇典型的FR4層壓材料與低損耗材料FR408HR、Megtron 6、Nelco N4000-13 EPSI來研究不同的介質(zhì)材料的影響。它們的介電常數(shù)和損耗因數(shù)如表1,并包括了阻抗為100ohm的傳輸線尺寸【1】。傳輸線導(dǎo)體厚度,寬度,間距,頂層與底層的高度的尺度以u(píng)m為單位。選擇如圖2芯禾科技的ChannelExpert中耦合帶狀線的TML模型作為傳輸線來研究其影響并假設(shè)線長(zhǎng)為12inch。
表1 四種不同層壓材料屬性及傳輸線尺寸
圖2 芯禾 ChannelExpert中的耦合帶狀線TML模型
圖3為四種不同層壓材料的S參數(shù)與TDR ,為便于比較,加上了OIF CEI-25G-LR 規(guī)范面罩,這樣設(shè)計(jì)者在計(jì)劃階段便能判斷插損是否合乎規(guī)范。有最小損耗因數(shù)的Meg6插損值最小而有最大損耗因數(shù)的典型的FR4插損值最大,因此在這個(gè)設(shè)計(jì)選擇了有最小插損值的Meg6。
表2 四種材料
圖3 四種不同層壓材料的S參數(shù)與TDR
通道的阻抗不連續(xù)主要來自封裝到板子或者鏈接器到板子間傳輸?shù)倪^孔,因此需要優(yōu)化過孔使其滿足目標(biāo)阻抗100ohm的要求。為了使阻抗在其范圍,常使用背鉆技術(shù),如圖4所示。表3列出了不同背鉆深度的最小阻抗,我們可以清楚的看到其結(jié)果TDR阻抗變化。
表3 四種不同背鉆深度時(shí)的最小阻抗
圖4 四種不同深度背鉆的3D模型與TDR
02
通道分析
由傳輸線模型、過孔模型及從廠商獲取的鏈接器模型,我們可以在ChannelExpert快速建立通道鏈路。通過利用ChannelExpert中的參數(shù)化掃描計(jì)劃功能,設(shè)計(jì)者可以依據(jù)參數(shù)設(shè)計(jì)要求快速做what-if 分析。
圖5 芯禾ChannelExpert中的高速通道
1)變量:傳輸線長(zhǎng)度
背板中TML模型的傳輸線長(zhǎng)度從10inch,15inch,20inch,到25inch變化。為了規(guī)范檢查需要,在圖表上加了OIF CEI-25G-LR規(guī)范面罩。我們可以清楚的看到當(dāng)傳輸線長(zhǎng)度增加到25inch時(shí),其結(jié)果不能滿足規(guī)范要求,如圖7所示。
圖6 芯禾ChannelExpert中TML設(shè)置
表4 掃描計(jì)劃中四種不同傳輸線長(zhǎng)度
圖7 掃描背板TML模型不同傳輸線長(zhǎng)度時(shí)的S參數(shù)與TDR
2)變量:過孔S參數(shù)
當(dāng)取子板上傳輸線長(zhǎng)度為5inch,背板傳輸線長(zhǎng)度為12inch時(shí),我們掃描背板過孔的S參數(shù)。其通道的S參數(shù)與TDR結(jié)果如圖9所示,為便于比較,加上了OIF CEI-25G-LR規(guī)范面罩。背鉆深度對(duì)通道質(zhì)量產(chǎn)生了明顯的影響。當(dāng)背鉆深度為102.4mil時(shí),整個(gè)通道的IL及ILD沒有達(dá)到規(guī)范要求。
圖8 芯禾ChannelExpert中掃描不同的S參數(shù)
表5 四種不同背鉆深度
圖9 掃描背板過孔S參數(shù)時(shí)的S參數(shù)和TDR
3總結(jié)
本篇應(yīng)用筆記說明了一種有效建立連接準(zhǔn)確傳輸線和過孔模型通道的方法,分析了級(jí)聯(lián)后的通道屬性。參數(shù)化掃描傳輸線及過孔模型使快速what-if分析能滿足通道要求。
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原文標(biāo)題:如何實(shí)現(xiàn)高速通道S參數(shù)與TDR分析及優(yōu)化?
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