一個反向電流小尺寸、低成本解決方案

在使用電子元器件時，你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行；從輸出到輸入。幸運的是，有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。

原因

反向電流的最常見原因，即反向偏置電壓，就是輸出上的電壓要高于輸入上的電壓，從而使電流在系統(tǒng)中的流動方向與你希望的流動方向相反。圖1中顯示了這個情況。

圖1：反向電流

VIN 由于功率損耗突然變?yōu)榱悖沟孟到y(tǒng)輸出上的電壓高于輸入電壓，這種情況是有可能發(fā)生的?；蛘呤?a target="_blank">電源MUXing意外地導致了一個反向電壓事件。

如何防止？

反向電流有可能損壞內(nèi)部電路和電池等電源。事實上，甚至是電纜都有可能被損壞，連接器的性能也會被降低。這也是器件著火的原因，就是因為大電流導致功率耗散呈指數(shù)級別的上升。

保護功能需要將反向電流保持在非常低的水平上。這意味著對于反向電壓的限制。有三種常用的方法可以防止反向電流：設計一個使用二極管、FET或負載開關的系統(tǒng)。

二極管

二極管與FET相比，它的成本更低，更易于集成。它們非常適合于高壓、低電流應用。然而，如果你曾經(jīng)使用過二極管的話，你一定非常熟悉它所導致的正向壓降，而這會縮短電池使用壽命，并且使VCC（通常情況下）大約下降0.6-0.8V。這個壓降會降低電源電路的效率，并且增加系統(tǒng)的總體功率耗散。

基于這些原因，肖特基二極管是常見的替代器件；它們的正向壓降更低。不過，它們也更加昂貴，且具有更高的反向電流泄露，而這會導致系統(tǒng)問題。圖2顯示的是系統(tǒng)中的一個用來阻斷反向電流的二極管。

圖2：二極管反向電流保護

FET

由于其低正向電壓和高電流處理能力，F(xiàn)ET會在你必須保持較低功率耗散時提供幫助。對于一個放置在接地路徑中的N類型金屬氧化物半導體 (NMOS) FET來說，你使體二極管的方向與正常電流流向保持一致。通過使用這種方法，如果有人錯誤地安裝了電池，柵極電壓為低電平，這就防止了FET接通。然而，當電池安裝正確時，柵極電壓為高電平，它的通道短接至地。

為了在FET關閉時阻斷兩個方向上的電流，你還可以將FET背靠背連接。與二極管解決方案相比，電源到負載的壓降更低，不過這種實現(xiàn)方式占用了大量的電路板面積。圖3顯示了用來阻斷反向電流的背靠背FET示例。

圖3：用雙FET實現(xiàn)的反向電流阻斷

負載開關

TI負載開關是用來接通和關閉電源軌的集成電子中繼器。大多數(shù)基本負載開關采用小型集成封裝，由四個引腳組成：輸入電壓、輸出電壓、使能、和接地，并且包含多重特性，其中有反向電流保護。圖4顯示了一個用來阻斷反向電流的負載開關。

圖4：負載開關反向電流保護

例如，德州儀器 (TI) 的TPS22963 3A負載開關集成了反向電流保護以及更多其它功能，這些功能全都包含在一個1.4mm x .9mm的封裝內(nèi)。圖5顯示的是TPS22963在系統(tǒng)中的常見放置位置。

圖5：TPS22963負載開關

有數(shù)個原因會導致反向電流，VIN的突然損耗，或者是電源MUXing中的突發(fā)事件。這會導致系統(tǒng)損壞，甚至會損壞電源。TI負載開關可以成為管理反向電流的一個尺寸、成本都很合適的解決方案。