IC Insights最新發(fā)布的報(bào)告將2018年全球半導(dǎo)體資本支出從8%上調(diào)到14%。
IC Insights最新公布了2018年5月的半導(dǎo)體市場(chǎng)報(bào)告。這份報(bào)告包含了全球前25位的半導(dǎo)體供應(yīng)商、2018年第一季度IC市場(chǎng)分析,以及對(duì)于2018年的半導(dǎo)體資本支出預(yù)測(cè)。
總體而言,此次IC Insights公布的半導(dǎo)體資本支出情況比3月份發(fā)布的版本預(yù)測(cè)更加樂觀。
在3月發(fā)布的報(bào)告中,IC Insights預(yù)測(cè)今年全球半導(dǎo)體支出將增長(zhǎng)8%。但是,正如圖一中所示,IC Insights將2018年的資本支出提高了六個(gè)百分點(diǎn),為14%。
圖一
如果此次IC Insights的預(yù)測(cè)成真,那么2018年全球半導(dǎo)體資本支出會(huì)比2016年增長(zhǎng)53%,并首次沖破1000億美元大關(guān)。
其中,盡管三星表示目前為止還沒有全年的資本支出預(yù)測(cè),同時(shí)三星也表示,2018年的半導(dǎo)體資本支出將會(huì)少于2017年的242億美元。
但是,截至2018年第一季度,三星半導(dǎo)體部門的支出已經(jīng)達(dá)到了67億2000萬美元,比其前三季度的平均水平略高,也幾乎是2016年第一季度資本支出的四倍。
在過去四個(gè)季度,三星的資本支出達(dá)到了266億美元,這真的很難讓人相信其2018年的資本支出不會(huì)超過242億美元。
IC Insights預(yù)計(jì)三星今年的半導(dǎo)體資本支出將會(huì)達(dá)到200億美元,比去年的242億美元要少。但是,考慮到今年半導(dǎo)體支出的強(qiáng)勁增長(zhǎng),超過這一數(shù)字的可能性非常大。
此外,隨著DRAM和NAND閃存市場(chǎng)發(fā)展迅猛,SK 海力士預(yù)計(jì)今年的資本支出為115億美元,比2017年的81億美元,增長(zhǎng)了42%。SK 海力士的主要支出,主要用于韓國(guó)清州的兩個(gè)內(nèi)存工廠,以及位于中國(guó)無錫的DRAM工廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。
據(jù)了解,SK 海力士的韓國(guó)清州工廠將會(huì)在今年年底開始興建,無錫工廠也會(huì)比預(yù)計(jì)的2019年年初提前幾個(gè)月開始興建。(校對(duì)/范蓉)
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原文標(biāo)題:破1000億美元!2018年半導(dǎo)體資本支出創(chuàng)紀(jì)錄
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