驍龍835有協(xié)處理器嗎

協(xié)處理器概念

協(xié)處理器是一種芯片，用于減輕系統(tǒng)微處理器的特定處理任務(wù)。

協(xié)處理器，這是一種協(xié)助中央處理器完成其無法執(zhí)行或執(zhí)行效率、效果低下的處理工作而開發(fā)和應(yīng)用的處理器。這種中央處理器無法執(zhí)行的工作有很多，比如設(shè)備間的信號傳輸、接入設(shè)備的管理等；而執(zhí)行效率、效果低下的有圖形處理、聲頻處理等。為了進行這些處理，各種輔助處理器就誕生了。需要說明的是，由于現(xiàn)在的計算機中，整數(shù)運算器與浮點運算器已經(jīng)集成在一起，因此浮點處理器已經(jīng)不算是輔助處理器。而內(nèi)建于CPU中的協(xié)處理器，同樣不算是輔助處理器，除非它是獨立存在。

驍龍835有協(xié)處理器嗎

高通的處理器目前沒有協(xié)處理器這一說。不過驍龍芯片內(nèi)置的Hexagon 682 DSP相當于協(xié)處理器。

Hexagon 682 DSP實現(xiàn)了處理能力和性能的提升，并通過支持面向機器學(xué)習(xí)的GoogleTensorFlow和面向圖像處理的Halide，使移動平臺更加智能化。Hexagon 682 DSP作為驍龍835平臺中的關(guān)鍵所在，是其強大的第二芯，旨在在不影響電池續(xù)航時間的前提下，為設(shè)備帶來強大性能。

整個移動平臺可分擔工作負載，因而能夠使用一直在線的如集成語音識別和可靠的私人助理等諸多設(shè)備功能，而不必擔心會耗盡電量。

驍龍835的性能參數(shù)

制程工藝：

高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。

2016年10月，三星宣布率先在業(yè)界實現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時實現(xiàn)性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計。制程工藝的提升與更先進的芯片設(shè)計相結(jié)合，預(yù)計將會提升電池續(xù)航。

核心：

驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，并采用八核設(shè)計。驍龍835將采用10nm八核心設(shè)計，大小核均為Kryo280架構(gòu)，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存，整合了Cat.16基帶。

快速充電：

新的驍龍835處理器，支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的芯片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內(nèi)部空間設(shè)計。

Quick Charge 4.0快充技術(shù)充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，適配范圍更廣泛。

效率提升：

高通并未公布驍龍835的更多信息，但表示10nm工藝將會帶來更好的性能，提升功率效率，作為對比高通驍龍820基于14nm制造工藝打造。 三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%。

內(nèi)存帶寬：

驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存，帶寬提升明顯。

驍龍835性能參數(shù)表